Способ получения антидиффузионного барьера

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетскик

Социалистически и

Республик (и) ЗВПаа (63) дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 12,0471 (21) 1639779/26-25 с присоединением заявки J6— (23) Приоритет— (чЗ) Опубликовано 05.1078,Бюллетень,% 37 (45) Дата опубликования описаиия150878 (51) M. Кл.

Н 01 V 1/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (®) УДК 621. 362. 2 (088. 8) A.Á.Äèìàíò, В.Г.Сыркин, В.В.Иноземцев, А.А.Уэльский, Ю.Д.Николаев, H.Í.Ïðîõîðîâ, С.Н.Люскин, В И,.Пешель и В.С.Смирнов (72) Авторы изобретения

Научно-исследовательский и экспериментальный институт автомобильного электрооборудования и автоприборов

P3) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АН1ИДИФФУВИОННОГО

БАРЬЕРА

Формула изобретения

Известны способы создания антидиффузионного барьера, например залуживание легкоплавкими припоями, химическое осаждение металлов из растворов солей, гальванический способ.

Однако при способе залуживания наблюдается резкое термическое воздействие на полупроводниковые эагото- вки, которое ухудшает их свойства; высокие тепловые и электрические сопротивления припоя, проникновение агрессивных флюсов в термоэлемент, диффузия примесей из припоев в полупроводник.

Химический и гальванический способы создания антидиффузионного барьера сопровождаются газовыделением, приводящим к плохому контакту барьерного слоя с полупроводником.

С целью уменьшения тепловых и электрических сопротивлений контакта термическую диссоциацию легколетучего тетракарбонила никеля проводят на поверхности полупроводника, нагретого до низкой температуры, кото,рая не вызывает нежелательных изменений свойств полупроводника.

Полупроводник на основе,В 18

$Ъ, Зе помещают в герметичную камеру ю оборудованную инфракрасным нагревателем. В камере создают разрежение порядка 1-10 мм рт.ст. После нагрева образцов до температуры 100

140 С в камеру направляют дозированный тетракарбонил никеля со скоростью (2-6) 10 мол/мин, который при соприкосновении с поверхностью нагретых образцов диссоциирует по схеме: gi (CO gi +4СО. Выделяющийся в результате реакции никель образует

Ч антидиффузионный барьер толщиной

10-20 мк за 1-2 ч, а газообразную окись углерода удаляют из камеры с помощью вакуум-насоса.

Способ получения антидиффузионного барьера на ветвях полупроводниковых термоэлементов на основе7е

8>, Яе,-Sb путем нанесения никелевого слоя, отличающийся тем, что, с целью уменьшения тепловых и электрических сопротивлений контакта, термоэлемент нагревают до о

100-140 С при давлении 1-10 мм рт.ст, 361748

Составитель С.Островская

Редактор А,Письман Техред Н.Бабурка Корректор В.Сердюк

Заказ 5463/1 Тираж 960 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4 на поверхность термоэлемента подают струю тетракарбонил никеля, который в результате термической диссоциации образует слой никеля, а образуемую при диссоциации окись углерода удаляют.