Всесоюзная1в. ф. миусков, а. в. миренский и ю. н. шилинбюро института кристаллографии ан сссрnatektho-tcxihfvegkal

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТ ЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

362233

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено )07Л.1969, (М 1291381 26-25) с присоединением заявки №

М. Кл. G Оlп 23/20

Заявители Институт кристаллографии АН СССР и Специальное конструкторское бюро института кристаллографии АН СССР

РЕНТГЕНОВСКАЯ КАМЕРА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ

ДЕФЕКТОВ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение предназначено для исследования или контроля распределения дефектов внутри кристаллов без их разрушения и может найти применение при изучении различных кристаллов, в особенности кристаллов полупроводников и кристаллов, используемых в квантовой радиоэлектронике.

Известны приборы для исследования р аспределения дефектог, в кристаллах теми или иными рентгенодифракционными методами—

Л анга, Бор мана, монохроматического пучка, отраженного от одного или нескольких кристаллов — монохроматоров. Однако развитие рентгснографических методов исследования кристаллов потребовало создания нового прибора, который позволил бы исследовать один и тот же кристалл на одной установке различными методами, то есть более полно выявить картину распределения дефектов кристалла и повысить точность установления степени совершенства кристалла. Указанная цель достигается с помощью прибора, который позволяст проводить исследования одного и того жс образца кристалла различными методами — методами Ланга, Бормана и монохроматичсского пучка без переюстировки исследуемого кристалла на приборе, что дает возможность получать сопоставимые данные как о распределении дефектов кристалла по

1

2 его поверхности и объему, так и о количественных характеристиках этих дефектов.

Конструктивное выполнение прибора представлено на чертеже.

Пучок рентгеновских лучей, излучаемый острофокусной трубкой, после формирования щелевым коллимирующим устройством 1 и кристаллом-монохроматором 2 попадает на

10 исследуемый кристалл 8. Исследуемый кристалл закреплен в гониометре-кристаллодержателе 4, который имеет две оси вращения.

Одна из осей параллельна пучку рентгеновских лучей (интервал вращения 360 ), а дру1S гая — перпендикулярна этому пучку (интервал вращения 1-5 ) . Дифрагированный от исследуемого кристалла рентгеновский пучок регистрируется детектором излучения 5 (счетчик излучения или кассета с фотопленкой).

20 Сканирующее устройство б сообщает гониометру-кристаллодержателю возвратно-поступательное движение в направлении, перпендикулярном первичному пучку, и колебательное движение вокруг оси главного гониометра

25 (качание кристалла) .

Главный гониометр 7 с устройствами, которые он несет на себе, размещен на поворот. ном столе 8 с возможностью радиального перемещения, а держатель кристалла-монохро30 матора установлен на оси стола.

362233

Предмет изобретения

Составитель И. Петрова

Техред Л. Богданова

Редактор Н. Коган

Корректоры: О. Тюрина и Л. Чуркина

Заказ 226/2 Изд. № 1001 Тира>к 404 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-З5, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Рентгеновская камера для исследования дефектов кристаллов, содержащая главный гониометр, на котором смонтированы коллимирующее устройство, гониометр-кристаллодержатель исследуемого образца, сканирующее устройство, шторная щелевая диафрагма и детектор излучения, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности количественного определения характеристик дефектности кристаллов, главный гониометр размещен на по5 воротном столе с возможностью радиального перемещения, а камера снабжена кристалломмонохроматором, держатель которого установлен на оси стола.

Всесоюзная1в. ф. миусков, а. в. миренский и ю. н. шилинбюро института кристаллографии ан сссрnatektho-tcxihfvegkal Всесоюзная1в. ф. миусков, а. в. миренский и ю. н. шилинбюро института кристаллографии ан сссрnatektho-tcxihfvegkal 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к рентгеноструктурному анализу поликристаллов, а именно к определению одной из характеристик первичной рекристаллизации в сплавах - критической степени пластической деформации - рентгеноструктурным методом

Изобретение относится к физическому материаловедению, а конкретно к технике рентгеноструктурного контроля кристаллогеометрических параметров большеугловых границ зерен, описываемых тетрагональными решетками совпадающих узлов (РСУ), в поликристаллических материалах с любым размером зерна

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано для изготовления емкостей сжиженных газов, низкотемпературного и криогенного оборудования, установок для получения сжиженных газов, оболочек ракет и емкостей для хранения ракетного топлива из стали 01Х18Н9Т

Изобретение относится к области рентгенографических способов исследования тонкой структуры и может быть использовано для неразрушающего контроля внутренних напряжений с целью выявления признаков опасности развития хрупкого разрушения металлических деталей и изделий
Наверх