Способ измерения напряженности магнитного поля

 

О П И С А Н И Е Ç6856Ç

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено,28Х.1971 (№ 1664765/18-10) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26.1.1973. Бюллетень № 9

Дата опубликованная описания 27.Ш.1973

М. Кл. G 01г 33/02

Комитет по делам изобретений и OTKpblTHA ори Спеете Мииистрое

СССР

УДК 621.317.42(088.8) Авторы изобретения

Н. М. Корнюшина и Н. Н. Якобсон

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Изобретение относится к области магнитометрии и может быть использовано в квантовых магнитометрах с оптической накачкой на парах, щелочных металлов.

Известны способы измерения магнитных полей путем регистрации частоты пере одов в зеемановской структуре основного состояния паров щелочных металлов.

Предлагаемый способ исключает зависимость результатов измерений от ориентации вектора магнитного поля. Для этого в рабочем объеме, заполненном парами, например, щелочного металла, создают радиополе, имеющее области с тремя ортогональными составляющими, возбуждающее переходы

АР= 1; Лт=О, +1.

Такое поле может быть создано, например, при помощи одного или нескольких дипольных излучателей. Измерение при этом осуществляется путем совмещения частоты радиополя с частотой перехода, что индицируется по минимуму прозрачности паров.

На фиг. 1 приведена конфигурация магнитного поля одной из возможных реализаций системы возбуждения радиополя в виде точечного магнитного диполя 1. Объем образца

2 обозначен пунктиром.

Переходы AF = +1; Ьт —— О, + -1 требуют создания разности населенностей между состояниями сверхтонкой структуры. Последняя может быть достигнута путем облучения образца неполяризованным светом, например, с использованием изотонической структуры вещества или оптического фильтра для сверхтонких компонентов. Такой процесс накачки не зависит от взаимной ориентации направления распространения накачивающего света и вектора постоянного (измеряемого) магнитного поля Нс.

10 Частоты ч,, переходов h F = -1;

hmF — — О, +-1 зависят от величины слабого магнитного поля Нс следующим образом:

v„„, — ч, + (m, + т,) H, + В(т,m,) Но, 15 где у и В(т тз) — постоянные для каждого вещества; тс — частота, соответствующая расщеплению сверхтонкой

20 структуры основного состояния.

В этом случае не существует двух одинаковых или близких частот переходов, разрешен25 ных правилами отбора AF= 1; Лт — — О, +1 и возможно регистрировать только один переход, т. е. частота перехода будет зависеть только от величины поля Нс, а зависимости наблюдаемой частоты резонанса, связанные с

30 перекрытием линий, характерные для пере3»68563 ходов типа АР=О; Am> — — +0-11, не будут иметь места.

При использовании переходов ЬР= 11, 5m> —— +1 могут быть выбраны линии, связывающие только два состояния.

Система возбуждения радиополя для устранения мертвых зон в регистрации рабочего перехода может быть выполнена в виде системы активных или пассивных диполей (замедляющей структуры), выполненных таким образом, чтобы обеспечить существование в пределах рабочего объема колбы областей, в которых ориентация вектора радиочастотного поля имеет проекции на три ортогональных направления.

В блок-схеме (см, фиг. 2) предлагаемого способа источник накачки 8 предназначен для создания разности населенностей между состояниями сверхтонкой структуры паров рабочего вещества в ячейке 4. Точечный диполь б, пространственная ориентация вектора магнитного поля которого имеет в объеме ячейки три области с ортогональным направлением вектора Но, соединен с блоком формирования частоты перехода б, питающегося от перестраиваемого генератора 7. Частота генератора 7 управляется следящей системой подстройки частоты 8, которая регулирует выходную частоту блока формирования частот до точного совпадения с частотой перехода в ячейке с парами. Совпадение частоты перехода с частотой радиополя контролируют по минимуму прозрачности ячейки 4 для источника 8 с помощью фотоприемника 9.

Так как источник излучает неполяризованный свет, то процесс накачки и детектирования не зависит от угла О между вектором постоянного магнитного поля Но и направлением распространения света. Возбуждение переходов осуществляют «точечным» диполем и, в пределах объема ячейки, при произ5 вольной ориентации поля Но всегда существуют области с необходимой поляризацией радиополя. При произвольной ориентации измеряемого магнитного поля Но относительно системы координат, связанной с прибором, 10 накачка и детектирование населенностей будет осуществляться, так как свет неполяризован. С другой стороны, хотя бы в одной из областей образца будет выполнено правило поляризации для рабочего перехода, т. е. сис15 тема измерения будет работать при произвольных ориентациях постоянного поля, а измеренная частота перехода зависит только от величины поля Но.

20 Предмет изобретения

Способ измерения напряженности магнитного поля путем создания разности населенностей между уровнями сверхтонкой структу25 ры за счет оптической накачки, формирования электромагнитного поля и возбуждения выбранного перехода, отличающийся тем, что, с целью исключения зависимости сигналов и результатов измерения от ориентации изме30 ряемого магнитного поля, в рабочем объеме с парами формируют электромагнитное поле, имеющее, в пределах образца, области с тремя ортогональными ориентациями вектора, например, системой активных или пассивных

35 диполей, и измеряют магнитное поле, совмещая частоту электромагнитного поля с частотой рабочего перехода.

Составитель Л. Строганов

Редактор О. Филиппова Техред Т. Курилко Корректоры: Е. Денисова н Н. Прокуратова

Заказ 621/!7 Изд. № 182 Тираж 755 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская иаб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ измерения напряженности магнитного поля Способ измерения напряженности магнитного поля Способ измерения напряженности магнитного поля 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу и устройству для получения сигналов с использованием принципа магнитометров с оптической накачкой

Изобретение относится к технике магнитных измерений

Изобретение относится к области магнитометрии

Изобретение относится к магнитометрической технике, в частности к магнитометрам с оптической ориентацией атомов и может быть использовано дпя измерения земного или космического магнитного поля и его вариаций, а также метрологических измерений

Изобретение относится к радиоспектроскопии и может быть использовано в метерологических и научных целях

Изобретение относится к технике магнитных измерений, а именно к оптическому тракту оптической накачки квантовых магнитометров

Изобретение относится к магнитометрическим устройствам и может быть использовано в технике точного измерения магнитного поля в условиях высокого уровня электромагнитных помех
Наверх