Способ изготовления полупроводниковых приборов

Авторы патента:

H01L21/479 - обработка с использованием электрического тока или электрических полей, например для электроформования (H01L 21/36-H01L 21/449 и H01L 21/461- H01L 21/477 имеют преимущество)

3802I9

П ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 04.VI.1971 (№ 1666978/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

ПриоритетвЂ”

Опубликовано 17.IX.1973. Бюллетень ¹ 37

Дата опубликования описания 20.ХП.1973

М. Кл. Н 011 7/52

Комитет ао делам изобретений и открытий.при Совете Министров

СССР

УДК 621.382 (088.8) Авторы изобретения

А. Б. Кот и Г. А. Юрлова

:Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к технологии, производства полупроводниковых приборов на основе стеклоо бразных полупроводников.

Из весте и способ,про из водсъва полупроводниковых стеклообразных переключателей путем электрофоретического осаждения частиц полупроводникового стекла из суспенз ии на один из двух помещенных в данную суспензию электродов при постоянной разности потенциалов между ними.

Для получения полупроводникового слоя, переменного по толщине, предложено электрод, на котором происходит осаждение материала, выполнять из резистивного материала и создавать На нем потенциальный рельеф, соответствующий рельефу наносимого материала.

После измельчения любым известным методом полупроводникового аморфного материала и получения суспензии с диспергированными в ней частицами аморфного материала размером порядка одного микрона и соответствующей режиму осаждения плотностью, наг пример 1,34 вЂ”, суопензию помещают в сп .см циальную ванну. В электрическом контакте с суспензией находятся два электрода, на которые поступает постоянное напряжение. Электрод, на котором происходит осаждение аморфного полупроводника, выполняют из резистивного материала.

В качестве такого материала можно использовать манганин с удельным сопротивлением

50,,42 вЂ” 0,48 ом . лтлт2/м, константан с удельным сопротивлением 0,48 вЂ” 0,52 ом млР/м, окись олова и др.

В зависимости от того, какой прибор готовится, выбирают ту или иную форму элек10 трода и соответствующий материал для его изготовления. С помощью дополнительного источника тока на резистивном электроде создают потенциальный рельеф, в простейшем случае вида grad Е=const, что в свою очередь д5 обусловливает высаживание материала, толщина которого повторяет потенциальный рельеф. Для перезода аморфного материала в стеклообразный проводят термическую обработку полученного слоя путем пропускания

2О импульсов тока через резистивный электрод.

Способ позволяет существенно упростить технологию нанесения различных по толщине, а также переменных по толщине слоев аморфного материала.

Предмет изобретения

Способ изготовления полупроводниковых приборов на основе аморфных полупроводников путем их электрофоретического осажде380219

Ссставиасль Г. Корнилова

Texpeä Т. Курилко

Корректор А. Дзесова

Редактор И. Грузова (Заказ ¹ 893 Изд. ¹ 1 Тираж 780 Подписное.

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д:. 4/5

Типография М 24 Согозполиграфпрама, Москва, 121019; ул. Маркса вЂ” Энгельса, 14 ния на электрод-подложку с последующей термической обработкой, отличающийся тем, что, с целью получения полупроводникового слоя, переменного по толщине, электродподложку выполняют из резистивного материала и на нем создают потенциальный рельеф, соответствующий рельефу наносимого материала, например, дополнительным источником тока.