Запоминающий элемент

 

О П И СА Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

386445

Союа Советсних

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства № 148277

Заявлено 04Л.1971 (№ 1608321/18-24) с присоединением заявки №

П,риоритет

Опубликовано 14.VI.1973. Бюллетень № 26

Дата опубликования описания 24.IX.1973

М. Кл. G llс 11/34

Государственный камитет

Савета Милистрае СССР аа делам изабретений и аткрытий

УДК 681.327.66(088.8) Авторы изобретения

А. А. Чеснис и В. Б. Толутис

Ордена Трудового Красного Знамени институт физики полупроводников АН Литовской ССР

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

По основному авт. св. № 148277 известны запоминающие элементы, выполненные на основе выпрямляющего контакта, например селен — металл, в которых слой селена легирован серебром, а тыловой контакт металл— селен является нерелаксирующим. Недостаток таких запоминающих элементов заключается в том, что после длительного воздействия формирующим напряжением в пропускном направлении изменяется их рабочий режим.

Кроме того, при многократном взаимодействии формирующим напряжением релаксационные свойства запоминающих элементов, являющиеся физической основой действия приборов, постепенно ослабевают, в результате чего элементы .выходят из строя.

Предлагаемый запоминающий элемент отличается от известных тем, что тыловой контакт металл — селвн выполнен в виде релаксирующего контакта, например кадмий — селен, с электрическими характеристиками, близкими к характеристикам основного релаксирующего .контакта.

Такое выполнение запоминающего элемента позволяет повысить стабильность его работы и увеличить срок службы.

На чертеже дана схема описываемого запоминающего элемента.

Запоминающий элемент состоит из слоя 1 селена, легированного серебром, основного релаксирующего контакта 2 между селеном и слоем 8 металла, например кадмия, тылового релаксирующего контакта 4 между кадмием и селеном и токовых электродов 5.

5 При переводе одного из релаксирующих контактов запоминающего элемента в крайнее состояние, в котором он обладает, например, наибольшим сопротивлением, другой контакт в то же время переводится в крайнее со10 стояние, в котором он обладает, соответственно, наименьшим сопротивлением. Благодаря этому во время формирования запоминающего элемента происходит перераспределение напряжения в его приэлектродных областях.

15 Следовательно, когда любой из релаксирующих контактов, напр имер основной, достигает крайнего состояния с наименьшим сопротивлением (при формировании контакта в пропускном направлении), той доли напряжения

20 формирования, которая падает на него, становится не достаточно для дальнейшего измерения его состояния.

Таким образом, даже при длительном формировании запоминающего элемента его ра25 бочий режим практически не изменяется.

Предмет изобретения

Запоминающий элемент по авт. св.

З0 № 148277, отличающийся тем, что, с целью

386445

Составитель Е. Иванеева

Техред Е. Борисова

Корректор Е. Михеева

Редактор А. Пейсочеико

Заказ 2791,17 Изд. № 1640 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, %-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 повышения стабильности его работы и увеличения срока службы, тыловой контакт металл — селен выполнен в виде релаксирующего контакта с электрическими характеристиками, близкими к характеристикам основного релаксирующего контакта.

Запоминающий элемент Запоминающий элемент 

 

Похожие патенты:

Ионотрон // 376806

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам, и может быть использовано при создании линий задержки , функционально законченных интегральных схем на приборах с зарядовой связью (ПЗС)
Наверх