Фотоэлектрический преобразователь
ОПИСАНИЕ
-И ЗОБ РЕ7 ЕН И Я
Союз Советских.
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 24.XI1.1971 (№ 1730016/26-25) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
Опубликовано 05.Н1.1973. Бюллетень № 29
Дата опубликования описания 21.XI.1973.Ч. Кл. Н С11 15!04
Гасударственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
УДК 621 382(088.8) А. М. Васильев, Т. М. Головнер и А. П. Ландсман „, „
Авторы изобретения
Заявитель
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим преобразователям энергии.
Известен фотоэлектрический преобразователь, выполненный на основе полупроводниковой структуры с р-12-переходом, на тыльной поверхности которого находится микрорельеф, обеспечивающий многократное внутреннее отражение излучения, и сплошной металлический контакт.
Недостатком известной конструкции является малая чувствительность в области длин волн вблизи края собственного поглощения полупроводникового материала из-за сплошного металлического контакта, уничтоокающего условия полного внутреннего отражения на тыльной поверхности фотопреобразователя.
В предложенном фотоэлектрическом преобразователе этот недостаток устранен благодаря тому, что на тыльную поверхность преобразователя, имеющую микрорельеф, нанесен слой материала, пе поглощающий вблизи края собственного поглощения полупроводникового материала и обладающий меньшигi по сравнению с ним показателем, и контакт в виде сетки.
Предложенный фотопреобразователь показан на чертеже, где 1 — рабочая поверхность, 2 — тыльная поверхность с микрорельсфом, 2
8 — слой непоглощающего материала, имеющего показатель преломления меньший, чем у материала фотопреобразователя, 4 — металлическая контактная сетка на тыльной пов ерхности.
Необходимый микрорельеф на тыльной поверхности может быть создан, например, шлифовкой на микропорошке. Эта операция применяется при промышленном производстве кремниевых фотопреобразователей. Средой, соответствующей предъявляемым требованиям, может быть слой диэлектрика, например слой окиси кремния для кремниевых и герм аниевых фотопреобразователей (показатель преломления 1,45, коэффициент поглощения равен нулю в области длин волн вблизи края поглощения кремния и германия). В одном из случаев оптимальной средой, с которой должен осуществляться
20 оптический контакт тыльной поверхности, является воздух, так как в нем полное внутреннее отражение выполняется для наибольшего диапазона углов падения света (16,5 — 90 для кремния и 14 — 90 для герма25 ния) °
Так как тыльная поверхность с микрорельефом должна быть свободна от металлических внсдрений, тыльный контакт у такого фотопреобразователя может быть расположен
30 чо периметру или в виде сетки.
389э79
Составитель Л. Шварцман
Техред Т. Курилко
Корректоры: А. Дзесова и В. Брыксина
Редактор T. Орловская
Заказ 3014/11 Изд. № 759 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Шлифованная тыльная поверхность состоит из небольших участков, расположенных под углом один к другому и к рабочей поверхности фотопреобразователя. Большинство участков составляет угол, больший 1б,5, с рабочей поверхностью фотопреобразователя (из-за беспорядочного расположения). В этом случае для света, вошедшего в фотопреобразователь нормально, создаются условия полного внутреннего отражения на тыльной поверхности. Полностью отразившись от тыльной поверхности, свет приходит к передней поверхности также под углом, большим 16,5, так что на рабочей поверхности также произойдет полное внутреннее отражение и т. д.
Таким образом, свет, вошедший в фотопреобразователь, из него не выходит, даже если он доходит до свободной от контакта тыльной поверхности, а многократно отражается внутри фотопреобразователя с полным сохранением интенсивности при отражении.
Предмет изобретения
Фотоэлектрический преобразователь, .выполненный на основе полупроводниковой структуры с р-п-переходом, на тыльной поверхности которой находится микрорсльеф, обеспечивающий многократное внутреннее отражение излучения, и контакт, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности в области длин волн вблизи края собственного поглощения полупроводникового материала, на поверхность с микрорельефом нанесен
15 слой материала, не поглощающий вблизи края собственного поглощения полупроводникового материала и обладающий меньшим, по сравнению с ним, показателем преломления, и контакт в виде сетки.
