Способ контроля дефектности диэлектрических

 

39I455

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 24.1.1972 (№ 1743769/26-9) М. Кл. G Oln 27/00

Н 05k 3/00 с присоединением заявки №

Гасударственный камите1

Севета Мииистрое СССР па делам иаойретеиий и сткрытий

Приоритет

Опубликовано 25.V11.1973. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания 28.XI.1973

УДК 621.315.61:620.179 (088.8) Авторы изобретения

П. T Орешкин, А. И. Перелыгин, А. П. Колесников, Е. А. Морозов, А. К. Тлеубаева, А. А. Васютин и Н. И. Акованцева

Рязанский радиотехнический институт

Заявитель

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

ПЛЕНОК

Предлагаемое изобретение относится к способу контроля дефектности диэлектрических пленок на металлических и полупроводниковых подложках и может быть использовано для контроля электропроводящих дефектов и пористости изолирующих пленок при производстве конденсаторов, полупроводниковых приборов, интегральных схем, для оценки качества слоев фоторезиста, диэлектрической пленочной изоляции.

Известен электрографический способ контроля пор и других электропроводящих дефектов диэлектрических пленок на полупроводниковых и металлических подложках,,заключающийся в том, что при пропускании тока в системе катод — подложка — диэлектрическая пленка — фотоэмульсионный слой фотобумаги, смоченной в деионизованной воде,— анод в эмульсионном слое образуется скрытое изображение дефектов.

При проявлении и закреплении эмульсионного слоя фотобумаги получается видимый отпечаток дефекта, характер изображения которого зависит от времени выдержки, напряжения и других факторов.

Недостатками известного способа являются несоответствие конфигурации дефекта диэлектрической пленки отпечатку на фотобумаге, трудность в определении местоположения дефекта непосредственно на диэлектрической пленке и подложка, малая разрешающая способность, Целью ттзобретения является точное определение конфигурации дефектов, повышение

5 разрешающей способности.

Достигается она тем, что диэлектрическую пленку на проводящей подложке приводят в контакт с электролитом, электролитически осаждают металл на дефектах диэлектриче10 ской пленки, селективно травят ее и регист,рируют по виду осажденного металла конфигурацию и распределение дефектов на проводящей подложке.

Диэлектрическую пленку приводят в кон15 такт с электролитом, на который подают положительный потенциал. В качестве электролита (анода) применяют металл соответствующей соли, находящейся в электролите, или платину, на подложку (катод) подают отри20 цательный потенциал. Пропускают электрический ток через систему катод — подложка — диэлектрическая пленка — электролит — анод. В ,результате этого в местах электрапроводяших дефектов осаждается металл, который повто25 ряет кон фигурацию и .распределение этих дефектов.

По конфигурации и распределению осажденного металла судят о дефектности диэлектрической пленки. Затем селективно травят ди30 электрическую пленку и регистрируют конФч391455

Предмет изобретения

Составитель Э. Гилинская

Техред 3. Тараненко

Корректор Е. Хмелева

Редактор Т. Иванова

Заказ 3112/4 Изд. № 848 Тираж 755 Подписное

ЦНИИПИ Государственного Комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 гурацию и распределение металла на проводящей подложке. Так как электрический ток, проходящий через дефекты, пропорционален их сечению, то и количество осажденного металла пропорционально сечению дефектов. Диаметр ионов металла находящихся в электролите, гораздо меньше сечения дефектов, поэтому металл осаждается в местах самых мелких дефектов.

Разрешающая способность увеличивается и может достигать до 10 дефектов на одном квадратном сантиметре, а,конфигурация и местоположение дефектов на диэлектрической пленке (подложке) .может сохраняться неограниченное время.

В качестве электролита применяют стандартные электролиты для меднения, лужения, никели.рования и т. д.

Способ контроля дефектности диэлектрических пленок на проводящих подложках аропусканием электрического тока через исследуемую систему и регистрацией дефектов по виду осажденного металла, отличающийся тем, что, с целью точного определения конфигурации дефектов и повышения разрешающей способl0 ности способа, диэлектрическую пленку .на проводящей подложке приводят в контакт с .раствором электролита, 1производят электролитическое осаждение металла на дефектах диэлектрической пленки, се1пективно травят ее и

15 регистрируют по виду осажденного металла конфигурацию и распределение дефектов на проводящей подложке.

Способ контроля дефектности диэлектрических Способ контроля дефектности диэлектрических 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к физико-химическим методам исследования окружающей среды, а именно к способу определения концентрации ионов в жидкостях, включающему разделение пробы анализируемого и стандартного веществ ионоселективной мембраной, воздействие на анализируемое и стандартное вещества электрическим полем и определение концентрации детектируемых ионов по их количеству в пробе, при этом из стандартного вещества предварительно удаляют свободные ионы, а количество детектируемых ионов в пробе определяют методом микроскопии поверхностных электромагнитных волн по толщине слоя, полученного из ионов путем их осаждения на электрод, размещенный в стандартном веществе, после прекращения протекания электрического тока через стандартное вещество

Изобретение относится к электрохимии и может быть использовано в машиностроении для управления процессом нанесения гальванических покрытий при электролизе, а также при работах, связанных с зарядкой и тренировкой аккумуляторных батарей и в других электротехнологиях

Изобретение относится к способу кулонометрического определения технеция и может быть использовано для контроля за содержанием технеция в технологических растворах радиохимического производства, а также в других областях, где используются соединения технеция

Изобретение относится к аналитическому приборостроению, в частности к электрохимическим приборам, и может использоваться в промышленности и научных исследованиях для точного определения основного вещества методом кулонометрии при контролируемом потенциале

Изобретение относится к области аналитической химии и может быть использовано для раздельного определения катионных (КПАВ), неионогенных (НПАВ) и анионных (АПАВ) поверхностно-активных веществ (ПАВ) в различных объектах, например шампунях, моющих средствах, сточных водах и др

Изобретение относится к аналитической химии, а именно к способу потенциометрического определения концентрации веществ в растворах экстракционных систем путем измерения ЭДС электродной пары, состоящей из мембранного электрода и стандартного хлорсеребряного электрода, и определения концентрации веществ по градуировочному графику, выражающему прямолинейную зависимость "ЭДС электродной пары - концентрация испытуемого раствора"

Изобретение относится к области аналитической химии и может быть использовано для анализа органических веществ и фармацевтических препаратов

Изобретение относится к области мембранных технологий разделения и очистки веществ и может быть использовано для определения свойств селективной проницаемости ионообменных мембран
Наверх