Модулятор субмиллиметрового диапазона волн
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 27.1.1972 (№ 1746475/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 25Х11.1973. Бюллетень ¹ 31
Дата опубликования описания 7.XII.1973
М. Кл. H 01р 1/14
Государственный комитет
Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий
УДК 621.372.85(088.8) Авторы изобретения
1О. 1. Альтшулер, Л, И. Кац, P. М. Ревзин и А. А. Тюмин
Заявитель
Научно-исследовательский институт механики и физики при
Саратовском государственном университете им. Н. Г. Чернышевского
МОДУЛЯТОР СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ВОЛН
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при создании элементов, управляющих параметрами электромагнитного излучения субмиллиметрового диапазона.
Известен модулятор суб милли метрового диапазона волн, состоящий из двух отрезков прямоугольного волновода, в отверстии связи между которыми установлена подключенная к внешнему источнику модулирующсго напряжсн11я полупроводниковая пластина.
Извсстпьш модулятор не работоспособен прп комнатной тсмпсратурс и пмест значительпу1о инерционность.
Целью изобрстсппя является уменьшение инерционности и обеспечение работоспособности при комнатной температуре.
Для этого полупроводниковая пластина установлена между двумя прямоугольными изгибами волновода перпендикулярно к силовым линиям внешнего магнитного поля и имеет толщину порядка 0,1 длины волны.
1та чсртегкс схематически изображен описываемый модулятор.
В пря,",1 оугольных квазиоптических волноводах 1 и 2 смонтированы отражающие зеркала 3 и 4 под углом 45 к оси канализирующей системы. В отверстии связи волноводов и 2 находится полупроводниковая пластина 5, имеющая толщину порядка 0,1 длины волны, с нанесенными на ней омичсскими контактами 6. Пластина 6 расположена на диэлектрической подложке 7. Через каналы
5 В в зеркалах выведены проводники 9, подающие модулирующес напряжение на контакты
6. Канализиру1ощая система в месте распоJIoKcHIiH полупроводниковой пластины помещена в поле электромагнита /О, при этом
10 силовые линии магнитного поля, создавасмого пм, перпендикулярны к плоскости пластины 5.
Элсктром 1 HHTI?51c. колебания сх бмил IH 1pTрового диапазона возбуждаются в квазиопти15 ческом волповоде !. Падающее на зеркало З излучение на правлястся на полупроводниковую пластину 5. Приложенное к пластине поле обеспечивает вследствие м агнитоплазменных эффектов прохождение излучения
20 субмиллиметрового диапазона с малым затуханием. В свою очередь, переменное электрическое поле, изменяя параметры прошедшего через пластину излучения, обеспечивает модуляпионньш эффект. Глубина модуляции
25 определяется соотношением между величинами электрического и магнит1 ых полей. Зеркало 4 сщс раз из,tcIIHcT направление излучения таким ооразом, что оно распространяется в волноьодс 2 в виде плоской элсктро30 магнитной волны.
391659
Предмет изобретенья
Составитель Л. Слашинина
Техред 3. Тараненко
Редактор T. Иванова
Корректор Л. Новожилова
Заказ 3255, 16 Изд. № 875 Тираж 780 Подписное
Ц1-1ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Модулятор субмиллиметрового диапазона волн, состоящий из двух отрезков прямоугольного волновода, в отвсрстии связи мсхкду которыми установлена подключенная к внешнему источнику модулирующсго напряжения полупроводниковая пластина, отличаюшийся тем, что, с целью уменьшения его инерционности и обсспечения работоспособности при комнатной температуре, пластина установлена мс кду двумя прямоугольными изгибами волновода перпендикулярно и силовым линиям впсшнсго магнитного поля и имеет толщину порядка 0,1 длины волны.
