•шоюгная тип,.- '•:-;;-'. • "-* -i '-(\>&:г, ::,,,

 

39}737

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 30.111.1971 (¹ 1641454126-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 25.V11.1973. Бюллетень ¹,31

Дата опубликования описания ЗО.XI.1973

М. Кл. Н 03k 17160

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий

УДК 621.317,7.087.92 (088.8) Автор изобретения

Н. В. Сдатчиков

Заявитель

ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ

Изобретение относится к автоматике и может быть использовано для коммутации импульсов в дешифраторах систем выборки быстродействующих запоминающих устройств.

Известный транзисторный ключ, содержащий основной транзистор, база которого подключена к источнику управляющих сигналов, а эмиттер через диод — к источнику импульсов тока, и вспомогательный транзистор аналогичного типа проводимости, имеет низкую надежность и быстродействие.

В предлагаемом транзисторном ключе база вспомогательного транзистора подключена в точке соединения диода и источника импульсов тока, а эмиттер непосредственно подключен к коллектору основного транзистора. Такое выполнение повышает быстродействие и надежность работы транзисторного ключа.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.

Транзисторный ключ 1 с источником управляющих сигналов 2 и источником импульсов тока 8 подключен к нагрузке, состоящей из резистора 4 и конденсатора б. В состав транзисторного ключа 1 входят основной транзистор б и-p-n-типа с диодом 7 в цепи эмиттера и вспомогательный транзистор 8 п-р-п-типа, база которого подключена к шине 9 и через резистор 10 — к источнику питания. Диод 7 предохраняет эмиттерный переход транзистора б от пробоя при отсутствии управляющих сигналов от источника сигналов 2.

Если напряжение питания меньше допустимо5 го обратного напряжения эмиттерного перехода транзистора б, то диод 7 может не включаться.

При отсутствии управляющих сигналов или импульсов тока ток через транзистор б

10 не протекает и транзистор 8 также заперт.

При наличии управляющих сигналов и импульсов тока через транзистор б в нагрузку, состоящую из резистора 4 и конденсатора 5, протекает ток, а транзистор 8 при этом оста15 ется закрытым, так как его эмиттерный переход заперт напряжением, равным падению напряжения на транзисторе б и диоде 7.

При выключении источника импульсов то20 ка 8 на коллекторе транзистора б устанавливается потенциал, равный напряжению источника питания, так как транзистор 8 открывается, и через него происходит быстрый заряд конденсатора б. Транзистор 8 открывается

25 только на время заряда конденсатора б, когда его эмиттерный переход оказывается сме. щенным в прямом направлении.

Таким образом, при наличии емкостной нагрузки увеличение быстродействия ключа до30 стигается без затраты дополнительной мощности.

391737

Составитель Ю. Еркин

Техред Т. Миронова

Корректор М. Лейзерман

Редактор E. Гончар

Заказ 3110/13 Изд. № 811 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 5Ê-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Если основной транзистор б работает в режиме насыщения, то вспомогательный транзистор 8 позволяет также быстро вывести его из насыщения.

Предмет изобретения

Транзисторный ключ, содержащий основной транзистор, база которого подключена к источнику управляющих сигналов, а эмиттер через диод — к источнику импульсов тока, и вспомогательный транзистор аналогичного типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и надеж5 ности работы, база вспомогательного транзистора подключена к точке соединения диода и источника импульсов тока, а эмиттер непосредственно подключен к коллектору основного транзистора.

1

l !

I

t !

I

•шоюгная тип,.- •:-;;-. • -* -i -(\>&:г, ::,,, •шоюгная тип,.- •:-;;-. • -* -i -(\>&:г, ::,,, 

 

Наверх