Полупроводниковое устройство

Авторы патента:

АЛЕКСАНДРОВ Л.Н.

ЛОВЯГИН Р.Н.

ТОРОПОВ А.И.

H01L27/13 - комбинированные с тонкопленочными и толстопленочными пассивными компонентами

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (iр397Il8

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26.03.71 (21) 1634185/26-25 (51) М. Кл.з

Н OIL 27/13 с присоединением заявки №

Государственный комитет (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.08.82. Бюллетень № 32 (45) Дата опубликования описания 30.08.82 (53) УДК 621.382 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Л. H. Александров, P. Н. Ловягин и А. И. Торопов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения

АН СССР (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к активным приборам на основе МДП-структуры и схемам микроэлектроники.

Известны приборы со структурой металл,диэлектрик-полупроводник, но практически вся микроэлектроника базируется на кремнии, так как быстродействующие МДПструктуры на германии невозможно получить из-за неустойчивости поверхности германия покрытой окисной пленкой. Однако кремний обладает малой подвижностью электронов и дырок, что ограничивает быстродействие схем. Возможность применения германия для создания МДПструктур потенциально расширяет частотную область работы активных приборов и быстродействие схем микроэлектроники.

Целью изобретения является расширение ,частотной области применения МДП-струк туры путем использования в качестве основы совершенного монокристалла германия.

Поставленная цель достигается образованием на поверхности германия пленки кремния, продолжающей совершенную кристаллическую структуру германия, на основе которой сформирована диэлектрическая йленка. Толщина кремниевой прослойки между германием и границей диэлектрик вЂ” решетка кремния много меньше толшины пространственного заряда в германии.

Совершенные пленки кремния толщиной

20 вЂ” 1000 А на германии получены методом ионного распыления кремния в вакууме при таких температурах, когда свойства германия не изменяются: образование диэлектрической пленки достигается реак1р тивным распылением (возможны другие известные методы) .

Предложенная МДП-структура состоит из металла, полупроводника-монокристалла германия, сверху которого нанесена

15 тонкая в 30 вЂ” 100 А монокристаллическая пленка кремния, на основе которой сформирован диэлектрик. Толщина пленки кремния существенно меньше длины Дебая в используемом германии. Такая прослой2р ка кремния используется с целью сочленения решетки кремния с диэлектрической пленкой с малой плотностью состояния на границе их раздела для управления концентрацией носителей тока в области пространственного заряда в германии.

Фор мул а изобретения

Полупроводниковое устройство МДПструктуры на основе монокристалла герЗр мания и диэлектрика вЂ” двуокиси кремния, 397118

Техред А. Камышникова Корректор Е. Михеева

Редактор Л. Письман

Заказ 1180/9 Изд. № 208 Тираж 758 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 отл и ча ющееся тем, что, с целью расширения его функциональных возможностей, между указанными слоями расположена монокристаллическая пленка кремния, толщиной меньше длины Дебаевского экранирования в германии.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ

Гибридная интегральная схема свч-диапазона // 2235390

Гибридная интегральная схема свч-диапазона // 2290720

Изобретение относится к электронной технике

Гибридная интегральная схема свч-диапазона // 2449419

Изобретение относится к электронной технике

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона // 2521222

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление многослойной диэлектрической подложки, нанесение на каждый из диэлектрических слоев металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки, совмещение сквозных отверстий диэлектрических слоев, спекание и отжиг, расположение и закрепление многослойной диэлектрической подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, расположение и закрепление в каждом сквозном отверстии активного тепловыделяющего компонента с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, электрическое соединение контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизации многослойной диэлектрической подложки. При этом одну часть отдельных диэлектрических слоев подложки изготавливают со сквозным отверстием, сечением соразмерным активному тепловыделяющему компоненту с превышением не более 0,5 мм, другую часть - с меньшим сечением при соотношении их площади сечения 1,4-10 соответственно, сквозные отверстия последних заполняют материалом металлизационного покрытия, а при формировании последовательности многослойной диэлектрической подложки с ее лицевой стороны располагают отдельные диэлектрические слои с большим сечением, с обратной стороны - с меньшим. Изобретение обеспечивает повышение технологичности и электрических характеристик. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.