В п т б^м 2нт

 

ОПИСАНИЕ 398709

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистимеских

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 20.IV.1972 (№ 1775222/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 27.1Х.1973. Бюллетень ¹ 38

Дата опубликования описания 12.111.1974

М. Кл. С 23g 5/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

УДК 621.79.02 (088.8) Авторы изобретения

А. П. Достанко, М. И. Пикуль и В. А. Зеленков

Заявитель

Минский радиотехнический институт

СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОДЛОЖЕК

Изобретение относится к технологии изготовления элементов радиоаппаратуры и может быть использовано при производстве подложек.

Известен способ очистки подложек, включающий облучение подложек ультразвуком.

Однако известный способ не позволяет проводить качественную очистку подложек от загрязнений и окисной пленки в условиях обычного рабочего вакуума непосредственно перед нанесением покрытия, что особенно важно при выращивании эпитаксиальных слоев и формировании низкоомных невыпрямляющих контактов.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что непосредственно перед нанесением покрытия в вакуумной рабочей камере при давлении 10 4 — 10 е мм рт. ст. подложки подвергают воздействию ультразвуковых колебаний с частотой 15 — 100 кгц сначала при комнатной температуре в течение 2 — 4 мин, а затем при 1200 †13 С в течение 1 — 3 мин, а нагрев подложек ведут расфокусированным электронным лучом, сканирующим по очищаемой поверхности с частотой 0,005 — 1 кгц, что значительно повышает качество очистки подложек от загрязнений и окисной пленки.

Очистка подложек производится в две стадии, следующие одна за другой, причем они обе осуществляются непосредственно перед нанесением покрытия в вакуумной рабочей камере при давлении 10 4 — 10 6 мм рт. ст.

На первой стадии очистки подложки подвергают воздействию ультразвуковых колебаний с частотой 15 †1 кгц при комнатной температуре в течение 2 — 4 мин. При этом с поверхности подложки удаляются загрязнения, не имеющие прочной кристаллохимической связи с ней, например пыль, остатки

10 кислот, щелочей, масла.

На второй стадии поверхность подложки, в котОрой распространяются ультразвуковые колебания, бомбардируют расфокусированным электронным лучом, сканирующим по

15 очищаемой поверхности с частотой 0,005 — 1 кгц, причем за счет соударений электронов с загрязнениями происходит их частичное удаление, а остающиеся загрязнения испаряются по мере нагревания подложки. При достиже20 нии 1200 †13 С на поверхности подложки протекает реакция: ЯОе, + $1Т 2SiO Образовавшийся SiO,. при этой температуре летуч.

Однако при давлении 10 4 — 10 е мм рт. ст. в вакуумной камере находится большое колиЖ чество кислорода, поэтому реакция протекает в прямом и обратном направлении с одинаковой скоростью, если процесс длительный.

В связи с этим для удаления окисной пленки кремния необходимо реакцию резко сдви30 путь в прямом направлении. Это достигается

398709

Составитель Г. Челей

Текред Е. Борисова

Корректор М. Лейзерман

Редактор T. Морозова

Заказ 551/4 Изд. № 1012 Тираж 826 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета 51инистров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Я(-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 воздействием на подложки ультразвуковых колебаний прп 1200 †13 С в течение 1—

3 мин. 3а счет разности скоростей распространения ультразвуковых колебаний в кремнии и окисной пленке происходит частичное разрушение последней, в результате чего увеличивается активная поверхность окисной пленки, кроме того, введение ультразвуковых колебаний в подложку увеличивает ее поверхностную энергию. Сумма этих эффектов приводит к увеличению скорости образования газообразного SiO и к эффективному удалению образовавшихся мелких частиц Si02

Нанесение покрытия или выращивание эпптаксиального слоя начинается сразу же по окончании очистки.

Качество очистки проверяют по величине адгезии покрытия к подложке.

Предмет изобретения

Способ очистки подложек, включающий облучение подложек ультразвуком, отличаюиийс» тем, что, с целью повышения качества о 1псткп подлоукек от загрязнений и окисной пленки, непосредственно перед нанесением покрытия в вакуумной рабочей камере при

10 давлении 10 — 10 в мм рт. ст, подложки подвергают воздействию ультразвуковых колебаний с частотой 15 — 100 кгц сначала при комнатной температуре в течение 2 — 4 мин, а затем при 1200 — 1300 С в течение 1 — 3 мин, 15 а нагрев подложек ведут расфокусированным электронным лучом, сканирующим по очищаемой поверхности с частотой 0,005 — 1 кгц.