Способ изготовления усиливающих рентгеновских экранов

 

Иласс 57b, 12

АВТОРСКОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТЕНИЕ

ОПИСАНИЕ способа изготовлении усиливающих рентгеновских экранов.

К авторскому свидетельству С. А. Булгача и E. Н. Цитрмн, заявленному 17 июля 1935 года (спр. о перв. № 173125).

О выдаче авторского свидетельства опубликовано 30 апреля 1936 года.

Предмет изобретения. (65) Предлагаемый способ получения кристаллического, флуоресцирующего под лучами рентгена, вольфрамата кальция для изготовления усиливающих экранов состоит в том, что аморфный вольфрамат кальция сплавляется в печи с 15 /о

Na,ÍÐ0, при температуре 1200, после чего полученный плав немедленно погружается в горячую воду. При этом соль рассыпается в мельчайшие кристаллы.

Пример. 1 м вольфрамовой кислоты растворяется и смеси 1,1 кг 25%-ного водного раствора аммиака и 2 л воды.

К фильтрованному раствору прибавляется теоретическое количество водного раствора хлористого кальция. Выпадающий аморфный вольфрамат кальция отфильтровывается, отмывается от хлоридов и по высушивании смешивается с 15 процентами Na HPO и прокаливается в печи при температуре-1200 до получения однородной массы, после чего тут же вносится в горячую воду.

Способ изготовления усиливающих рентгеновских экранов из вольфрамата кальция, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллического вольфрамата кальция, аморфный вольфрамат кальция смешивают с фосфорнонатриевой солью, прокалнвают (при высокой температуре) и опускают в горячую воду.

Тип.,Промиеиюграф". Таибевская, 12 3аа 215)

Способ изготовления усиливающих рентгеновских экранов 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области получения мощных ионных пучков (МИП) и может быть использовано в ускорителях, работающих в непрерывном и импульсном режимах

Магнетрон // 2115193

Изобретение относится к ионно-оптическим ускорителям ионов и может быть использовано в ионных двигателях
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем
Наверх