Патент ссср 411619
f.:. „-. c» с 0 ю 3 н а l
4ll6l9
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистицеских
Рестги блик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 11.1.1971 (№ 1619559/26-9) М. Кл, H 03k 7/08 с присоединением заявки №
Приоритет
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
УДК 621 376 59(088 8) Опубликовано 15.1.1974. Бюллетень № 2
Дата опубликования описания 21 V.1974
Авторы изобретения
В. М. Машенков и Л. И. Рудь
Заявитель
ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНЪ|Й МОДУЛЯТОР
С ТЕРМОСТАЬИЛИЗАЦИЕЙ
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и вычислительной техники.
Известен широтно-импульсный модулятор с термостабилизацией, содержащий мультивибратор на транзисторах, источник опорного напряжения и термокомпенсирующие транзисторы, эмиттеры которых отключены, а коллекторы подсоединены к базам транзисторов мультивибратора. Этот модулятор сложен и обладает плохой помехоустойчивостью.
Цель изобретения — упрощение модулятора и повышение его помехоустойчивости. Для этого базы термокомпенсирующих транзисторов подсоединены к одному полюсу источника опорного напряжения, другой полюс которого соединен с одноименным полюсом источника питания мультивибратора.
На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого модулятора, который содержит мультивибратор на транзисторах 1 — 4, термостабилизирующие транзисторы 5 и б, эмиттеры которых отключены, а коллекторы подключены к базам транзисторов 1 и 2. Базы транзисторов 5 и б подсоединены к источнику 7 опорного напряжения, другой полюс которого соединен с одноименным полюсом источника 8 питания мультивибратора. На базы транзисторов 3 и 4 подаются управляющие напряжения U, с помощью которых производится регулировка длительности импульса мультивибратора.
Работает модулятор следующим образом.
Если транзистор 1 открыт, а транзистор 2
5 закрыт, то во время формирования импульса на коллекторе транзистора 2 конденсатор 9 разряжается через открытый транзистор 1. В начале разряда напряжение на базе закрытого транзистора 2 равно положительному на10 пряжению на конденсаторе 9, т. е. напряжению источника питания. При разряде конденсатора 9 напряжение на базе транзистора 2 уменьшается по экспоненциальному закону и, когда оно становится равным нулю, транзис15 тор 2 открывается и разряд прекращается.
После этого в мультивибраторе возникает лавинообразный процесс, приводящий к полному отпиранию транзистора 2 и запиранию транзистора 1. Теперь конденсатор 9 заряжа20 ется, а конденсатор 10 разряжается через открытый транзистор 2. Процесс разряда протекает аналогично. Далее цикл работы повторяется.
При увеличении температуры окружающей
25 среды обратный ток коллекторного перехода закрытого транзистора увеличивается. При этом в нетермостабилизированном мультивибраторе закрытый транзистор открывается раньше, чем при нормальной температуре, 30 длительность импульса уменьшается. Так как
411619
Составитель Ю. Еркин
Техред 3. Тараненко
Редактор T. Юрчикова
Корректор 3. Тарасова
Заказ 1115/19 Изд. № 1189 Тираж 811 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Я(-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова. 2 это имеет место для обоих транзисторов, то уменьшается и период колебаний, т. е. увеличивается частота колебаний.
При подключении коллектора термокомпенсирующего транзистора 6 к базе транзистора
2, а базы к положительному полюсу источника 7 обратный ток коллекторного перехода транзистора б течет в направлении, противоположном протеканию обратного тока коллекторного перехода транзистора 2. Подбором транзисторов можно исключить влияние обратных токов транзисторов 1 и 2.
Предмет изобретения
Широтно-импульсный модулятор с термостабилизацией, содержащий мультивибратор на транзисторах, источник опорного напряжения и термокомпенсирующие транзисторы, эмиттеры которых отключены, а коллекторы подсоединены к базам транзисторов мультивибратора, отличающийс я тем, что, с целью упрощения модулятора и повышения его помехоустойчивости, базы термокомпенси1О рующих транзисторов подсоединены к одному полюсу источника опорного напряжения, другой полюс которого соединен с одноименным полюсом источника питания мультивибратора.
