Способ управления плазменным образованием

 

Ютэитно"техн«нес он6! иотенв;)F

И А

Союз Советскмк

Соцмалистмческик республик

ОП НИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ (>426595

-е к лвтовскомю сви етельств (61) Дополнительное к bBT. сеид-ву (22) Заявлено 040772 (21) 1804896/26-25 (5 1)М. Кл.

Н О1 г 17/00

Н 01,7 И/00 с присоединением заявки М

Государственный комитет

СССР ио делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 2Û181. Бюллетень М 43

Дата опублмковамия описания 2 3.1181 (53) УДК 533.6.01 (088. 8) (72) Автор изобретения

Н.Ф. Лазарев (71) Заявитель (54) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПЛАЗМЕННЫМИ ОБРАЗОВАНИЕМ

Изобретение относится к области физической электроники и может быть применено для получения.управляеьых светового и корпускулярного излуче5 ний из плазмы, а также при использо-: вании эффектов, возникающих во внеш ней электрической цепи газового разряда, в .различных областях техники.

Известен способ исследования эффектов, связанных с сужением газового разряда, путем перемещения диафрагмы для сужения разряда к электро- дам. Однако передвижение диафрагьы относительно катода и анода поЗволяет разрушать плазменное образование только при замыкании диафрагмы на один из электродов.

Цель изобретения — обеспечение воэможности разрушения и восстановления плазменного образования в фиксированной точке разрядного промежутка при наличии сужения в разряде без изменения давления газа. в разряде и введения дополнительных внешних электрических и магнитных полей.

Цель достигается тем, что по предлагаемому способу к плазменному образованию в сужении зафиксированной в . разрядной трубке диафрагмы приближают другое плазменное образование. В карестве управляющего может быть испбль эовано плазменное образование в сужении подвижной диафрагмы. Управляющее воздействие достигается впрыском в управляемое образование энергичных электродов из управляющего образованияия.

На чертеже схематически изображено устройство, с.помощью которого можно реализовать предлагаемый способ.

Устройство состоит иэ корпуса 1 и двух подвижных диафрагм 2 со штоками 3. Корпус 1 представляет собой стеклянную трубку с внутренним диаметром 32 мм. Диафрагмы 2 имеют возможность перемещаться со скольжением в трубке, при этом зазор между стенкой трубки и диафрагмой составляет 0,1-0,2 мм. Диафрагмы имеют форму полых цилиндров, в донышках которых имеются отверстия диаметром 5 мм. Каждая диафрагма имеет шток 3 для пере движен ия.

При. разряде (Рн = 1 10

5 ° 10 им рт.ст., 3=0,5-1 А, 090В) через объем, ограниченный корпу- сом 1 и диафрагмами 2, у отверстия диафрагм с катодной стороны (если расстояние между диафрагмами больше 6 мм) возникают яоко светящиеся

426595

Формула из обретен и я

Редактор Е. Миронова Техред З.Фанта Корректор В. Бутяга

Заказ 10634/1 Тираж 787 Подпи си ое

ВНИИПИ Государственного комитета СССР апо делам изобретений и открытий

1130 35, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 плазменные образования сферической формы. При передвижении диафрагм одна к другой на расстояние 6 мм заметных изменений яркости излучения и формы плазменного образования, а, «гакже параметров внешней электрической цепи не наблюдают. При расстоянии между диафрагмами б мм плазменное образование, находящееся у отверстия диафрагмы, расположенной ближе к аноду, начинает проявлять неустойчивость. При этом наблюдают резкие периодические изменения светового потока, а также периодические изменения параметров внешней цепи разряда (сила тока и напряжение). При расстоянии между диафрагмами 4-5 мм разряд становится снова устойчивым, но плазменное .образование у диафрагмы, расположенной ближе к аноду, уже не наблюдается, в то время как у диафрагмы, расположенной ближе к катоду, плазменное образование остается беэ изменений, при этом направление на разряде уменьшается на 6-8 В.

При раэдвигании диафрагм íà расстояние более 6 мм у диафрагмы pac-, положенной ближе к аноду, возникает плазменное образование, напряжение на разряде увеличивается на 7-8 В, а сила тока разряда уменьшается.

Управление может осуществляться и вращением подвижной диафрагмы, расположенной на фиксированном расстоянии от неподвижной. Эксперименты показали, что приближение управляющего плазменного образования к управляемому дает такой же эффект.

Таким образом, передвигая плазменные образования одно относительно другого, можно эффективно разрушать и восстанавливать плазменное образование.

40 Способ управления плазменным образованием в разрядах с сужением, от ли ч ающий ся тем, что с целью повышения зффективносги управления, к упомянутому плазменному

25 образованию приближают другое плазменное образование.