Полупроводниковый электролюминесцентныйисточник излучения

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ш> 429758

Союз Советских

Социалистических

Реслублик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 21.12.72 (21) 1860107/24-7 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет

Опубликовано 25.09.74. Бюллетень № 35 (51) М. Кл. H 05Ь 33 18

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 628,9.03 (088.8) Дата опубликования описания 18.07.75 (72) Лвторгя изобретения

М. С. Миргаловская, И. А. Стрельникова и А. Э. Юнович

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова и Институт металлургии им. А. А. Байкова (71) Заявители (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ!Й ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ

ИСТОЧНИК ИЗЛ УЧЕН ИЯ

Предмет изобретения

Изобретение относится к электронике, а именно к устройствам для получения излучения, возникающего в результате рекомбинации носителей заряда в объеме полупроводника. Оно относится, в частности, к устройствам с р — n-переходом, созданным из сплавов соединений типа Апт В, которые при приложении прямого напряжения создают эффективное излучение в инфракрасной области электромагнитного спектра.

Известны источники, изготовленные из Gap, GaAs, GaSb, InAs, тройных твердых растворов на их основе — Ga! „AI2As, GaAs„.P!

G a! -„I n P — и некоторых других.

Однако известные источники — электролюминесцентные диоды не дают излучения в практически важной спектральной области

1,9 — 2,6 мкм, соответствующей «окну» прозрачности атмосферы.

Предложенный полупроводниковый электролюминесцентный источник излучения с р — ипереходом создан, подобно известным, на основе соединений АптВ и их твердых растворов.

Целью изобретения является получение излучения в спектральной области.

Для этого применен сплав твердого раствора Ga!-.„In Sb (при х от 0,01 до 0,22), составляющий одну часть гетероперехода, другой частью которого является инжектирующая об2 ласть из GaSb, прозрачная для получаемого излучения, На чертеже .показана схема источника.

Полупроводниковый электролюминесцентный источник содержит область 1 на основе GaSb р-типа, легированного Zn, на которой в процессе вытягивания выращена монокристаллическая п-область 2 тройного полупроводникового сплава твердого раствора

10 Ga!,.In,Sb, легированного Те.

Диод имеет индиевые омические контакты

3, 4 и укреплен на медной подложке 5. Ток подводится электродами 6, 7. Излучение выводится либо через боковые грани, либо через

15 верхнюю область 1, прозрачную для излучения, возникающего в области 2.

2О Полупроводниковый электролюминесцентп»! é источник излучения с р — п-переходом на основе соединений Ап В и их твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью получения излучения в спектральной

25 области 1,9 — 2,6 мкм, применен сплав твердого раствора Ga! „In„Sb (при х от 0,01 до

0,22), составляющий одну часть гетероперехода, другой частью которого является инжектирующая область из GaSb, прозрачная для

ЗО получаемого излучения.

С! catt!ttttcctь У.. Л

Редактор А. Зиньковский Техред T. Курилко Корректор Т. Гревцова

30t;a 15 1 5t1 Изд. Ш 455 Тнрагк 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Соьета Мнннстров СССР по дела.,t изобретений и открытпй,Чоск:a, iK-35, Раушскап наб., д. 4 5

Тппогра:, >;:и, . .;. Сан;н..ва, 2