Генератор цилиндрических л\лгнитныхдоменов

 

1п>4326ОО

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН И Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Со>сз Советских

Социалистических

Республик

Ф (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 29.01.73 (21) 1879294/18-24 (o l ) 1>1. ьл. 6 1!с 1 1. 15 с присоединением заявки—

Государственный комитет

Совета Министров СССР ио делам изобретений и открытий (32) Приоритет—

Опубликовано 15.0б.74. Бюллетень ¹ 22

Дата опубликования описания 01.09.75

)о,)) г Д1«|>81.023.65 (0SS.8) (72) 1 вто;>Ь1 изобретен H;i

Е. В. Карасев и М. Е. Фабриков

Институт электронных управляющих машин (71) Заяз;тель (54) ГЕНЕРАТОР ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ

ДОМЕНОВ

Предлагаемое устройство относится к обл.".Оти,":ычислптельной техники и может быть использовано 3 запоминающих устройствах, в кoTopBi«3 качестве носителей информации используются ма.-нитные цилиндрические домены.

Продв>!жение м 11 гнитных цил индри чески« до ieHOB в .,IаBгнипгоодноосном материале осуществляется ИОД действием градиентны«магнитны«полей, создаваемых ферромагнитными 1о

ЯППЛИКЯЦ IЯМ.I il;)П 11« НЯМЯГНИЧИВЯНИО1 ВО

В>;еш:>ем маг>>итном поле, вращающемся в плоскости ила=тины кристалла. Ферромагнитные Hpn1Bпгающпе аппликации имеют обычно Т- или 1-образную и прямоугольную конфигурации.

1. звестно у"тройство, предназначенное для генерации цилиндрических магнитных доменОВ и их зз дз B г. родВигаlощий канал. Такое устройсTBO содерж:.т элемент хранения маги;тного домена ". обратным нас равленпем

H-::ì3> HHHåHH0 т» в пластине кристалла. Элемент «ранен:1я магнитного домена образован ферромагнитной Яп.1.1Hê3öI åé из магнитомягкого материал"., по иещенной на поверхности 25 пластины кристалла. Генерация цилиндрического домена в таком устройстве осуществляется путем растяг)вяния магнитного домена, аюше-.o:я вдо1ü периметра ферромагнитной 3. пл;1кации элемента хранения во внешнем магнитном поле (упразляюи.см по. ле) с последуloùèì сг0 ряcщспленисм на двз домена, одllH пз KoTopbI«, цплиндрпчсск. и ., вводится в прод>и г.".Ioщпи канал, а BTOI)Oi!

IIP030Ë)Ê3BT СЗОС ДВИ)КСНИЕ ВДОЛЬ IIC j)11)!CТ;):> аппликации элемента;p3I.CH!i >! и может быть использован для гснср;.ц" и цнлиндриче:ког > домена в следующем ц:ле. Внешнсе у. р IBляюшее магнитное:;еле вр3ù3åòñÿ в пл >скости пластины кристял13.

Однако иззсст:10å устройство îî!3;IaeT следующими недостатками: при двпжен 1и вдоль периметра яппл:1К;,ill) элемента «ранения магнитный:омсн испытывает дсй:тв>1е силы

TPcHIIsI HTo и .IBo1:iT H запаздь>занH10 1BI!)IoHия магнитного .домcна от управляющего пол .

il, как следствие, —;;. О-.„аничснпю oыстрсде.".ствия такого устройcTB!1: генерация ципиндр 1ЧЕСКИ« .10)!СНОВ > «>ЦЕСТВ1ЯСТС>1 3 VHI)RB lHI> щи«полях, бо1ьши«, чем поля, необ«одимь>. для и« продвин еHII„, что требует потреблен:i . :

:. Ополнптельной мс". и >:т .. снижает H3дсжность раооты всего устрой.тза.

Целью изобретения ягзляст я повышение оыстродействия и .Ядежности работы гснс.)3TOP 3 ЦИЛИНДРI)Чt. КИХ МBГНIIÒÍÛ«ДО)ICÍОВ.

Сущность изобретения состо:1Т в том, что з качестве элемента «ранения магнитного д= мена используется ферромагнитная aiiii1!iкяцезия из магнитожесткого материала, i)омещен3

432600

ПЛЯ Н3 IIOBCPXHOCTH КР!!СТЯЛЛЯ. Тс7КЯЯ ЯПИЛИклция, единожды намагниченная, будет удерживать магнитный домен н3 о(1ном из концов.

ИспользОВяние мяГнитожесткОй Япп IIH(31IIIH

;1озволяст хранить магнитный домен без flo- 5 треблсния какой-либо энергии и повысить быстродействие устройства, так к;»(в нем устранено движение магнитного домена вдоль

: сриметра аппликации элемента хранения.

Элемент расщепления магнитного .!Омена вы- 10 полиси в виде сжатой проводягцсй петли, по которо!! Н170пgскяется импу. Iьсный ток.

На фиг. 1 — 3 изображены различные вар IЯHTьl образования цилиндрически:(магнитных доменов предлагаемым генератором. 15

Предлагаемый гснсрятор 1»агнитных цилиндрических доменов состоит из пластины магнитоодноосного кристалла 1, на поверхности которой помещены all:Ië1 кац1!я 2 из

3!слгнито>кссткого материала, элемент 3 рас- 20 ьцепления магнитного домена, выполненный в виде проводящей петли и расположенный и-! конце магнитожесткой аппликации, где удерживается и хранится магнитный домен, проГ!Вигающис аппликации 4 из магнитомягкого 25 материала.

Работу предложенного генератора можно представить, следующим образом.

Во внешнем магнитном поле смсгцсния, перпендикулярном плоскости .пастипы кристалла, на краю ферромагнитной аппликации из магнитожесткого материала, удерживается магнитный домен, так как для него на этом краю ап!7ли кации 2 создан притягивающий полюс (фиг. 1). При направлении управляю-! цего поля Н, Ифиг. 2) ня краю соседней с аппликацией 2 продвигающей afffiëaêaöHH 4 создается полю;, притягивлюгций магнитный домен. В этот момент ио:Ipo:-одяflicl! I тле элемента 8 расщепления магнитного до..;сНа пропускается импульсньш ток, магнитное ..:олс кот0130ГО ВЫЗЫВяет расщепление м 3Гн;1тн Я ГО, !ОМСНсl Нсl ДВс1, ОДИН ИЗ H II X, Ц I.Ë . I Н !Р ИЧЕСК И И, ВВодится В Нро.гв!!Г310!цу10 схсзlу (фиГ. 3) .

В отсуTcTIIHc им1!улься тока в проводяще;I петле генерация,! ввод ц;п1!ндричсского домена в продвигaioffi):þ схему не производятся.

Предложенное устройство обладает следующими преимугцсствами: для хрансн;!я магнитного:!омена иод яппликацисй гeHepaTopa нс требуется его движения Вдоль ce: ср:.!метра во виси!нем управляющем мяг11итном поле; гснерация цилиндрического домена осуГцсствлястся, как и его иродз:!жение, в сТНиом управляющем поле. Указанные преимущества позволяют повысить быcTpoдейстзие и нл !С>кность работы reHepaTopa цил:.!.!др:I-feских магнитных доменов.

Предмет изобретен! !я

Генератор ципиндричсск;fx магнитных доменов, содержащий пластину»a! í IToozHoocного кристалла с расположенным на ней э,7ементом хранения магнитного до»сна с ооратным H3Hpaaëcíècì намагниченност:I f элементом расщепления млгHHTного ioìенл, выполненным в !виде токопроводящсй петли, рас1юложснной над элементо;1 хранен:!я xiar«:!тн Ого .f0! I e H a C о б р а тн ы 1 направлением H 3 xl 3 f ниченности, от,гичающггйгся тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности,заботы устройства, указанный элемент хранения магнитного домена выполнен в в:!де аппликации из магнитожесткого материала, на. магничснной в плоскости пластины.

432600

Составитель Ю. Розенталь

Техред Г. Васильева

Редактор Б. Нанкина

Корректор И. Симкина

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

Заказ 502/969 Изд. № 1717 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Генератор цилиндрических л\лгнитныхдоменов Генератор цилиндрических л\лгнитныхдоменов Генератор цилиндрических л\лгнитныхдоменов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к магнитным материалам, а именно, к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалов

Изобретение относится к области металлургии, а именно к магнитным материалам, в частности к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалам

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП)

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах
Наверх