Способ определения градиента магнитногополя

 

О П И С А Н И Е (ii) 434343

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 30.03.73 (21) 1899418!26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 30.06.74. Бюллетень, е 24

Дата опубликования огшса ия 31.10.74 (51) М. Кл. С 01г 33 00

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР ео делам изобретений и открытий (53) УДК 538.122(088.8) (72) Авторы изобретения

А. Г. Жучков, В. Г. Клепарский, А. И. Лапшин, С. Н. Матвеев и В. Д. Мочалов (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГРАДИЕНТА МАГНИТНОГО

ПОЛЯ

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля параметров магнитных полей, например, при тарировании установки для измерения параметров магнитоодноосных монокристаллов.

Известны способы определения градиента магнитного поля путем аналитических вычислений либо путем непосредственного измерения, например, датчиком Холла.

Однако аналитические вычисления градиента не всегда обеспечивают достаточную точность, поскольку предполагают ряд допущений, а измерение датчиком Холла достаточно сложно и требует дополнительного громоздкого оборудования.

Весьма часто возникает необходимость определения градиента магнитного поля в воздушном зазоре между двумя магнитопроводами, обеспечивающими взаимно противоположное направление магнитных потоков, например, при измерении параметров магнитоодноосных монокристаллов. Для этого образец указанного материала помещают в воздушный зазор между двумя магнитопроводами и формируют в нем плоскую доменную стенку. При этом вы .псление градиента н с оеспечивает необходимой точности, а его замер извест..ыми способами доста- очно сложен.

Цель изобретения — повышение точности измерении.

Цель достигается тем, что по предлагаемому способу на образец монокристалла дополнительно воздействуют однородным магнитным полем смещения, перпендикулярным к плоскости образца, измеряют изменение положения доменной стенки н определяют искомый градиент как отношение изменения однородного магнитного поля к соответствующему изменению положения доменной стенки в

10 плоскости образца.

На чертеже приведена схема устройства, реализующего предлагаемый способ.

Два магнитопровода 1 и 2 соответственно с помощью обмоток 3 и 4, по которым проте1 кает постоянный ток, создают градиентное поле с напряженностями Н и Н2 в зазоре между ними, поскольку направления потоков в магнитопроводах взаимно противоположны.

В зазоре магнитопроводов 1 и 2 помещена пластинка 5 из монокристаллического магнитоодноосного оптически прозрачного материала (ортоферрит, ферритгранат) . Соленоид б создает однородное магнитное поле, перпендикулярное к плоскости пластины.

Если в градиентное поле двух магнитопроводов 1 и 2 поместить тонкую пластинку магнитоодноосного монокристаллического материала, то в последней формируется плоская стенка, образованная двумя противоположно

30 намагниченными областями. Если теперь на

434343

grad H =

ЛН

Состаивтель И. Суздалев

Техред Н. Куклина

Редактор И. Орлова

Корректор В. Брыксина

Заказ 2954/9 Изд. № 1772 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

3 намагниченную таким образом пластинку 5 воздействовать однородным магнитным полем от обмотки соленоида, имеющим определенную величину и направленным согласно с полем, например,,магнитопровода 1, то доменная стенка сместится вправо, поскольку ббльшая часть пластинки оказывается намагниченной по полю магнитопровода 1.

Таким образом, дискретно увеличивая однородное магнитное поле Н соленоида 6 и измеряя смещение доменной стенки Al, строят зависимость ЛБ = f (hl) и вычисляют градиент поля в любой его точке, Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с известным имеет более высокую точность, поскольку тарировка прибора, реализующего этот способ, производится при наличии испытуемого образца монокристалла, свойства которого исследуют на тарируемом приборе.

Предмет изобретения

Способ определения градиента магнитного поля, создаваемого двумя противоположно направленными магнитными потоками, основанный на формировании плоской доменной

1р стенки в магнитоодноосном монокристалле, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, на образец монокристалла дополнительно воздействуют однородным магнитным полем смещения, перпендикулярным к

ls плоскости образца, измеряют изменение положения доменной стенки и определяют искомый градиент как отношение изменения однородного магнитного поля к соответствующему изменению положения доменной стенки в

20 плоскости образца,