Полупроводниковый ключ

 

(») 43722

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соваесюа

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 10.01.72 (21) 1737445/26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 25.07.74. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 26.12,74 (51) М. Кл. Н 03k 17/60

Государственный комитет

Совета Министров СССР ео делам нзооретеннй и открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Автор изобретения

E. С. Яковлев (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЛЮт1

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в дискретных фазовых устройствах и в системах многоканальной связи для коммутации высокочастотных синусоидальных и импульсных сигналов в электрических цепях.

Известны полупроводниковые ключи, содержащие последовательно соединенные эмиттерные повторители, причем база транзистора первого эмиттерного повторителя подсоединена к шине питания через два последовательно соединенных резистора, и схему коммутации сигнала, состоящую из коммутирующего транзистора и сложного инвертора, выполненного на двух транзисторах, коллекторы которых через резисторы соединены с шиной питания, эмиттер первого транзистора через диод соединен с базой второго транзистора сложного инвертора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а между базой и эмиттером второго транзистора сложного инвертора включен резистор, при этом коллектор коммутирующего транзистора подсоединен к базе транзистора второго эмиттерного повторителя, эмиттер подсоединен к общей шине, а база — к коллекгору второго транзистора сложного инвертора.

Однако известные ключи характеризуются недостаточной температурной компенсацией.

Целью изобретения является улучшение температурной компенсации.

Для этого база первого транзистора сложного инвертора подключена к точке соединения двух резисторов, включенных между базой транзистора первого эмиттерного повторителя и шиной питания.

Изобретение пояснено чертежом.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема ключа.

Полупроводниковый ключ содержит схему

N прохождения сигнала, выполненную на транзисторах 1 — 3, включенных по схеме эмиттерных повторителей, и схему коммутации сигнала, состоящую из коммутирующего транзистора 4 и сложного инвертора, выполненного

15 на транзисторах 5, б и диоде 7.

Режим работы транзисторов задается резистор а ми 8 — 17.

Полупроводниковый ключ работает следую20 щим образом, При подаче на сигнальный вход синусоидального или импульсного сигнала, а на вход управления — высокого уровня напряжения транзисторы 5 и б открыты, а транзистор 4 за25 крыт и входной сигнал проходит через транзисторы 1 — 3 на выход.

При подаче на вход управления низкого уровня напряжения транзисторы 5, 6 закрываются, а транзистор 4 открывается и шунти30 рует базовую цепь транзистора 2, что приво437221

Предмет изобретения

Составитель А. Шевьев

Редактор А. Зиньковскнй Техред A. Лроздова Корректор А. Степанова

Заказ 3446/18 Изд. М 109 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Я-35, Раугпская наб., д. 4i5

""нпография, пр. Сапунова, И дит к запиранию транзистора 2 и, соотвегственно, транзистора 3.

В этом случае входной сигнал не проходит на выход ключа.

Температурная компенсация выходного сигнала осуществляется за счет трех температурно-зависимых элементов р — п-переходов база †эмитт транзисторов 5, 6 и диода 7.

Полупроводниковый ключ, содержащий последовательно соединенные эмиттерные повторители, причем база транзистора первого эмиттерного повторителя подсоединена к шине питания через два последовательно соединенных резистора, и схему коммутации сигнала, состоящую из коммутирующего транзистора и сложного инвертора, выполненного на двух транзисторах, коллекторы которых через резисторы соединены с шиной питания, эмиттер первого транзистора через диод соединен с базой второго транзистора сложного инвертора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а между базой и эмиттером второго транзистора сложного инвертора включен резистор, при этом коллектор коммутирующего транзистора подсоединен к базе транзистора

10 ьторого эмиттерного повторителя, эмиттер подсоединен к общей шине, а база — к коллектору второго транзистора сложного инвертора, отличающийся тем, что, с целью улучшения температурной компенсации, база первого

15 транзистора сложного инвертора через резистор подключена к точке соединения двух ре зисторов, включенных между базой транзистора первого эмиттерного повторителя и шиной питания.