Диэлектрическая кювета

 

00 439042

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 23.02.73 (21) 1888384/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.08.74. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 29.01.75 (51) М. Кл. Н Ols 3/22

Н 011 13/00

Гссударствеиный комитет

Совета Министров GCCP по делам изобретений е открытий (53) УДК 621.375.8 (088.8) (72) Автор изобретения

В. M. Климкин

Институт оптики атмосферы Сибирского отделения АН СССР (71) Заявитель (54) ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ КЮВЕТА

Изобретение может быть использова но в спектроокопии, металлургии, .производстве технической керамики — в тех областях техники, где необходимо на столб паров металлов воздействовать импульсными или стационарными электрическими полями.

Известны вьтсокотем пературные диэлектрические кюветы для получения столба паров металлов термическим испарением в электрическом,поле, изготовленные из окиси алюминия. Такие кюветы представляют собой открытые с торцов керамические трубки. Внутри кювет размещены ванночки с испаряемыми металлами. Кюветы помещают в высокотемператур ные вакуумные стечи с холодными окнами. Для предохранения окон от осаждения на их поверхности паров металлов, печь на полняют буферным инертным газом (Не, We, Ar) при давлении несколько торр. Электрическое поле, приложенное к кювете, направлено вдоль ее оси.

Недостатком из вестных кювет является низкая химическая стойкость,,приводящая к взаимодействию стенок с химически а ктивными металлами. В таких кюветах невозможно удержать столб паров, так как пары осаждаются на стенки в виде трудно испаряемых химических соединений. Кроме того, для испарения могут быть взяты только благородные и полублагородные металлы (из-за малой химической стойкости кювет).

Цель изобретения — повышение химической стойкости к воздействию паров металлов и

5 уменьшение продольной электропроводности стенки кюветы.

Поставленная цель достигается за счет изоляции стенки кюветы от столба паров тонкой пленкой химически стойкого высокотемпера10 турного соединения — двуокиси тория, наносимой на внутреннюю поверхность кюветы.

Кювета изготовляется из ВеО. Тонкую (доли микро на) пленку химически стойкого окисла Т1тОи |наносят на внутреннюю поверх15 ность трубки из ВеО путем катодного распыления в чистом кислороде стержня, изготовленного из Th.

Такая кювета обладает высокой химической стойкостью и высоким электросопротив20 лением; кроме того, вследствие малой массы пленки радиоактивность и токсичность высокотемпературных химических соединений не представляет серьезной опасности, а нанесе нная пленка отличается высокой. пластично25 стью и повышенной стойкостью к воздействию внешней среды.

В о писанной кювете получен столб паров

Nd и Се при температуре стенки выше 140 C.

Это свидетельствует о высокой химической

30 стойкости кюветы, так как редкоземельныЕ

439042

Составитель Я. И. Крымский

Техред 3. Тараненко

Корректор T. Гревцова

Редактор Т. Орловская

Заказ 3710/16 Изд. № 122 Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 элементы цериевой грулпы обладают высокой химической активностью.

Предмет изобретения

Диэлектрическая кювета для получения столба, паров металлов термическимм испарением, изготовленная из ВеО, о тл и ч а ю щ а яся тем, что, с целью повышения химической стойкости к воздей ствию паров металло в и уменьшения продольной электропроводности

5 стенки, внутренняя поверхность кюветы покрыта,пленкой из двуокиси тория.

Диэлектрическая кювета Диэлектрическая кювета 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к лазерной технике, а точнее к блокам генерации излучения лазера с поперечной прокачкой газового потока

Изобретение относится к лазерной технике, а именно к конструкциям твердотельных лазеров

Изобретение относится к области квантовой электроники

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройству формирования объемного самостоятельного разряда (ОСР) для накачки импульсно-периодических лазеров и может быть использовано в решении технологических и лазерно-химических задач

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть применено в качестве плазмолистовых электродов в щелевых разрядных камерах, открывающих перспективное направление в создании нового поколения мощных газоразрядных лазеров без быстрой прокачки рабочей смеси

Изобретение относится к области оптоэлектроники и интегральной оптики, в частности к способу получения направленного когерентного излучения света устройствами микронного размера

Изобретение относится к области квантовой электроники и может использоваться при создании мощных и сверхмощных газовых лазеров непрерывного и импульсно-периодического действия

Изобретение относится к лазерному оборудованию, а точнее к блокам генерации излучения многоканальных лазеров
Наверх