Носитель оптической информации

 

OllNCA ÍÈÅ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик ») 474287 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 23.07.73 (21) 1946698, 26-25 с присоединением заявки че (23) Приоритет (43) Опубликовано 251-276 Бюллетень N47 (45) Дата опубликования описания 19.04.77 (Я1) Я 1(л 2

G 03 С 9,, 08

@ ф

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открьпий (эЗ} УД.K

77".99 (088.8) (72) Авторы изобретения

С. Б. Гуревич, Н. H. Ильяшенко, Б. Т. Коломиец. В. М. Любин, M. В. Сухарев и В. П. Шило

Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (71) Заявитель (54) НОСИТЕЛЬ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ

Изобретение касается материалов для голографии, фотографии и устройств оптической обработки информации, Известны эффективные носители оптической информации для записи голограмм при работе

Не-Ne — лазером. Носители содержат тонкий светочувствительный слой стеклообразного селенида мышьяка (As Se ), нанесенного на диэлектрическую полупрозрачную основу. Такие носители обладают способностью изменять оптические свойства (коэффициент поглощения, показатель преломления) в результате облучения светом и характеризуются высокой разрешающей способностью, отсутствием необходимости химической обработки (проявления, закрепления и др.), возможностью реверсивной ряботы, т.е. многократного повторения циклов записи и стирания информации.

Однако эти носители отличаются недостаточно высокой дифракционной эффективностью (до 5%) и светочувствительностью, т. е. имеют большое время записи и сравнительно малую величину достижимого контраста (до 10 ) . Это мешает широкому внедрению носителей оптической информации в технику голографии и оптической обработки информации.

Для повышения светочувствительности, контраста и дифракционной эффективности полупроводниковый слой предлагаемого носителя содержит

45-80 ат.% мышьяка и 55-20 ат.% селена.

5 На чертеже изображен предлагаемый носитель.

Носитель содержит прозрачную твердую или гибкую диэлектрическую основу 1, выполненную, например,иэ силикатного стекла, слюды и лавсана; полупрозрачную и проводящую пленку 2, выпол10 пенную, например из SnO или 3п О; токоподг г з водящие контакты 3, выполненные, например, из серебра и светочувствительный слой 4.

Работа носителя заключается в том, что освещенные участки светочувствительного слоя 4 изме15 няют свои оптические параметры (коэффициент поглогцения и показатель преломления) в зависимости от интенсивности и длительности освещения.

Стирание записанной информации производят нагревом светочувствительного слоя за счет про20 пускания электрического тока через проводящую пленку 2 при помощи токоподводящих контактов

Параметры светочувствительного слоя могут быть значительно улучшены, если изготовить слой

25 не из стеклообразного селенида мышьяка (AS>Se ) >

Составитель Г хала ова

Т«ред М. Ликович

1 сдактор И. Шубина

Корректор 13. Куприянов

Заказ 5572/291

Тираж 575 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 в котором атомное соотношение элементов селена и мышьяка составляет 60:40, а из других стеклообразных полупроводниковых материалов системы

Se — As с повышенным содержанием мышьяка. При содержании в светочувствительном слое из стеклообразных полупроводников 45-80 ат.% мышьяка и

52-23 ат.% селена повышается светочувствительность, достижимый контраст и дифракционная эффективность. Так, при записи на предлагаемых носителях двухлучевой решетки с помощью

Не — Ne — лазера, мощностью 20 мвт, были получены значения контраста 100-200, амплитудной чувстви474287 тельности 1,5-2,0С и дифракционной эффективности 30-50 %.

Формула изобретения

Носител. оптической информации, содержащий тонкий светочувствительный слой стеклообразного

T.oëóïðoâoäíèêà системы мышьяк — селен, нанесенного на прозрачную основу, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения светочувствитель)g ности, контраста и дифракционной эффективности, полупроводниковый слой содержит 45-80 ат.% мышьяка и 55-20 ат.% селена.