Источник тока смещения для транзистора

 

пп 4845И

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

<-..фф.. !Ilrp (61) Дополнительное к авт. свид-ву (51) М. Кл. G 051 3/08 (22) 3 аявлено 29.11.68 (21) 1286262/

1? 58399/24-7 (32) Приоритет 08.12.67 (31) 689168 (33) США

Опубликовано 15.09.75. Бюллетень № 34

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 621.316.722.1 (088.8) Дата опубликования описания 30.12.75 (72) Автор изобретения

Иностранец

Аллен Ле Рой Лимберг (США) Иностранная фирма

«Радио Корпорейшн оф Америка» (США) (71) Заявитель (54) ИСТОЧНИК ТОКА СМЕЩЕНИЯ ДЛЯ

ТРАНЗИСТОРА

Известны источники тока смещения для транзистора, содержащие эмиттерный повторитель на транзисторе с резистивным делителем напряжения в цепи эмиттера и схему стабилизированного напряжения.

Известные источники характеризует небольшая стабильность тока в нагрузке при изменении теипературы и входного напряжения и соответственно низкая стабильность тока коллектора транзистора, смещение на который подается с одного из резисторов делителя напряжения, составляющего эту нагрузку.

Целью изобретения является улучшение стабилизации тока при изменении температуры и питающего напряжения. Это достигается тем, что описываемый источник снабжен дополнительными резистором и транзистором, эмиттер которого соединен с эмиттером основного транзистора, база вместе с базой основного транзистора подключена к средней точке резистивного делителя, а коллектор соединен с концом дополнительного резистора, подключенным к базе транзистора эмиттерного повторителя, пр|ичем другой конец дополнительного резистора подсоединен к схеме стабилизированного напряжения.

Кроме того, схема стабилизированного напряжения .выполнена на лавинном диоде, работающем в режиме пробоя.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема описываемого источни5 ка тока.

Она содержит пару транзисторов 1 и 2.

Транзистор 1 включен по схеме с общим эмиттером, коллектор которого подсоединен к клемме 3 через резисторы 4 и 5, а эмиттер о соединяется с основной клеммой 6. Другой транзистор 2 включен,по схеме с общим коллектором, и его коллектор соединен с клеммой 3, а эмиттер соединен с клеммой 6 через пару последовательно включенных:резисто-!

5 ров 7 и 8. Общая точка 9 между резисторами

7 и 8 подключена с помощью проводника 10 к базе транзистора 1, коллекгор которого соединен проводником 11 с базой транзистора 2. Проводник 12 соединяет общую точку

2о 9 с базой транзистора 13.

Сопротивления резисторов 7 и 8 выбраны такой величины, чтобы через транз исторы 1 и 2 протекал ток, достаточный для установления полного прямого падения напряжения

25 на их соответствующих переходах база эмиттер.

Схема вырабатывает постоянное напряжение на резисторе 8, которое по-существу рав484511

Предмет изобретения

Составитель Л. Стрелкин

Тсхред Л. Казачкова

Рсдактор Л. Тюрина

Корректор О. Тюрина

Заказ 98/11 Изд. № 1801 Тираж 869 Подписное

Ш-1ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений. и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

3 п а д с и и 1о н а п р я ж е и и 1 T p B H 3 I I c TO p I 1 .

Из-за последовательно.-о соединения резисторов 7 и 8 н в результате того, что сопротивление резистора 8 выбрано таким, что большая часть тока, протекающего через резистор 7, идет через резистор 8, напряжение на эмиттерпом электроде транзистора 2 равно его напряжению U„-,, (напряжению на переходе б",çà эмиттер), умноженному на число, равное единице плюс отношение величин сопротивлений резисторов 7 и 8. Величина сопротивления резистора 7 является числителем отношения, знаменатель которого составляет величина сопротивления резистора 8. Так как базовый электрод транзистора

2 находится под постоянным напряжением, прямое напряжение на переходе база — эмиттер более положительно, чем напряжение на его эмиттериом переходе, и так как в интегральных структурах прямое падение напряжения на переходе база — эмиттер всех транзисторов по-существу идентично, становится очевидным, что постоянное напряжение, полученное на конце резистора 5, удаленного от соединения 14, равно напряжению Уи в, умноженному на число 2 плюс упомянутое выше отношение сопротивлений.

Выбирая величину сопротивления резистора 7, равную 2,82 величины сопротивления резистора 8 (по-существу вдвое меньшую, чем заранее заданное число падений напряжения

11а полупроводниковых соединениях), получаем требуемое падение напряжения 2,82 на удаленном конце резистора 5. Это обеспечивает температурную компенсацию, 4 при которой коллскториый ток транзистора 1 равен величине тока тра.Iзисгора !3 (к".:ê определено величиной сопротивления резистора 5) . Отноше5 нне сопротивлений, выбранное окончатель1о, ие подвергается действию изменения температуры, так как в интегральных структурах как резистор 7, так и резистор 8 изменяют геличину сопротивления в аналогичных

10 пропорциях.

1. Источник тока смещения для транзисто15 ра, содержащий эмиттерный повторитель на транзисторе с резистивным делителем напряжения в цепи эмиттера и схему стабилизированного напряжения, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью улучшения стабилизации тока

20 коллектора транзистора при изменениях температуры и питающего напряжения, источник снабжен дополнительными резистором и транзистором, эмиттер которого соединен с эмиттером основного транзистора, база вместе с базой

25 основ.юго транзистора подключена к средней точке резистивного делителя, а коллектор соединен с концом дополнительного резистора, подключенным к базе транзистора эмиттерного повторителя, причем другой конец доЗ0 полиительного резистора подсоединен к схеме стабилизированного напряжения, 2. Источник тока по п. 1, отл и ч а ю щийся тем, что схема стабилизированного напряжения выполнена Ia лавшшом диоде, ра35 ботаю1цем в режиме пробоя.