Способ изготовления конденсатора постоянной емкости
М 5 327
Класс 21g, 10,„
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, ВЫДАННОМУ НАРОДНЫМ КОМИССАРИАТОМ ОБОРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Зарегистрировано е Бюро последуюшей регистрации изооретений Госплана при СИК СССР
Г --—." Г;
В. С. Нелепец.
Способ изготовления конденсатора постоя ной;,.скости.
4., (Заявлено 4 февраля 1937 года за М 119).
Опубликовано 31 марта 1939 года.!
I (::- 1
Г
Тнп. арт. «Сов. Печ.». Зак. 3008 — 550
Согласно изобретению предлагается способ изготовления конденсаторов большой емкости с тонким слоем окисла, играющего роль диэлектрика.
На положительную анодную металлическую обкладку конденсатора электролитическим путем наносят слой окисла, поверхность которого металлизируют путем регенерации; эта металлизированная пластинка служит отрицательной обкладкой (катодной); находящийся между этими обкладками тонкий слой окисла служит диэлектриком.
Анодная пластинка, например, алюминиевая, подвергается оксидированию тем же способом, что формование в ваннах пластин электролитических конденсаторов. Поверхность получившейся оксидной пленки подвергается восстановлению химическим путем; образовавшийся поверхностный металлический слой служит катодной пластинкой.
Выполнение описанного процесса с длинными полосами материала, с последующим свертыванием в рулон, позволит получать конденсаторы большой емкости.
Описываемый конденсатор, имеющий в некоторых чертах сходство с электролитическим конденсатором, имеет следующие преимущества:
1. Конденсатор получается сухим, т. е. удобным для употребления и транспортирования.
2. Отсутствие электролита исключает температурную зависимость электрических параметров.
3. Отсутствие электролита в значительной степени снижает угол потерь.
Предмет изобретения. ! Способ изготовления конденсатора постоянной емкости, отличающийся тем, что на металлическую пластинку, служащую одной из его обкладок„ наносят электролитическим путем окисный слой, поверхность которого восстанавливают с тойцелью, чтобы восстановленная поверхность представляла собой вторую обкладку, а окисный слой являлся диэлектриком.