Способ изготовления полупроводниковых тензорезисторов
Союз Советских
Социалистимеских
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 26.09.74 (21)2064416/25-28 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (5l) И. Кл.
601 Ь 7/18
Госудврствоииый комитет
Соввтв Министров СССР по долом v эбретоиий и открытий (43) Опубликовано 25.02.7цБюллетень № 7 (53) УДК
531.781.2 (088.8) (45) Дата опубликования описания, 16.03.76
С. А, Аммер, В. А. Елисеев, В. С. Постников (72) Авторы изобретения и Б. В. Карелин
Воронежский политехнический институт (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ
Изобретение относится к измерительной текнике, а именно к тензометрии, и предназначено для измерения меканическик величин.
Известен способ изготовления полупро» З водниковых тензорезисторов, заключающийся в том, что выращивают кристалл требуемой длины посредством химическкк газотранспортнык реакций и присоединяют к нему вы воды из металла, И
Однако этим способом можно получать кристаллы только в виде прямолинейнык стержней, которые нельзя наклеивать на поверкности с малым радиусом кривизны.
Белью изобретения является получение И тензорезисторов заданной криволинейной фор- мы.
Достигается она тем, что при изготов лении.тензорезистора используют пуансон ,и матрицу определенного профиля, между
:которыми помешают,к„зисталл, нагревают ик в инертной среде до температуры,при котоtpoA упругие деформации кристалла переходят в пластические, и охлаждают кристалл, . зажатый между матриией и пуансоном, со! ,скоростью, обеспечивающей релаксацию внутренник напряжений в кристалле. ! После вырашивания кристалла требуемой, длины посредством газотранспортных реак ций его помешают между пуансоном и мат1 ! рицей, выполненными из термостойкого ма,.териала, например графита.
Профиль пуансона должен соответствовать крчволинейноляу профилю той поверхности, на которой .предполагается наклейка тензорезистора, а профиль матрицы дол:жен поc!цставлять собой эквидистантную по веркиость, отстояшую от поверхности пуансона HR ели"- пну, равнт. ю толцияне кри сталла. Затем кристалл вместе с матрицей и пуансоном нагревают в инертной среде до
: температуры,при которой упругие деформа, ции кристалла, дефор» чрованного пуансоноля, переходят в пластические. При этоМ под, действием усилий, приложенных к пуансону, ,например, под действием веса пуансона, об:разуется криволинейная форма тензорезистора. Изготовленный кристалл охлаждают вляесте с матрицей и пуансоном со скоро стью, обеспечиваюшей релаксацию внутрен504076
Составитель Н. Тимошенко
Техред М. Ликович Корректор 3. Фанта
Редактор В. Дибобес
Заказ 62
Подписное
Тираж 864
ЦНИИПИ Государственного комитета совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035,Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал lit tt t Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 ннх напряжений в кристалле, например при
I остывании вместе с печью.
После выполнения этих операций к полупроводниковому кристаллу присоединяют выводы из металла.
Формула изобретения
Способ изготовления полупроводниковых; тензорезисторов, заключающийся в том, что выращивают кристалл требуемой длины посредством химических газотранспортных
4 реакиий и присоединяют к нему выводы из металла, отличающийся тем, что, с пелью получения заданной криволинейной формы тензорезисторов, используют йуансон и матрицу определенного профиля, между которыми помещают кристалл, нагревают их в инертной среде до температуры, при которой упругие деформапии кристалла переходят в пластические, и охлаждают кристалл, зажатый между матриией и пуансоном, со скоростью, обеспечивающей релаксацию внутренних напряжений в кристалле.
