Способ размагничивания сферического многослойного ферромагнитного экрана

 

фТЕ библиотека МБЛ

ОП И- - ИЕ

Союз Советских

Социалистических

Республик

{и) 504253

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

° К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву —. (22) Заявлено 11.04.74. I (21) 2013742/24-7 о с присоединением заявки (23) Приоритет (43) Опубликовано 25,02.7б, Бюллетень № 7

{45) Дата опубликования описания13.04.76

1э (51) М. Кл.

Н01е 13 00

Гасударственный комитет

Соавтв Министров СССР

II0 делам иэаервтенвй и открытий (53) УДК 621.318.25. (088.8) {72) Авторы изобретенЬя

В. А, Захаров и,Л. Н, Приданников

{71) Заявитель (54) СПОСОБ РАЗМАГНИЧИВАНИЯ СФЕРИЧЕСКОГО

МНОГОСЛОЙНОГО ФЕРРОМАГНИТНОГО ЭКРАНА

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для размагничивания сфе,.рического многослойного ферромагнитного экрана с

:попеременно чередующимся магнитными и немагнитными оболочками, защищающего от постоянного и переменного магнитных полей любое устройство, лувствительное к незначительным изменениям магнитного поля, например чувствительный элемент магнитометра на эффекте Ханле.

Известный способ размагничивания состоит в создании внутри экрана переменного магнитного поля, амплитуда которого плавно уменьшается (вручную или автоматически) от максимального значения до нуля. Поле обычно создается проходящим через экю ран кабелем, по которому проходит переменный ток большой величины. Время изменения амплитуды должно составлять несколько минут. Разновидностью такого способа является способ, по которому переменный ток изменяющейся амплитуды проходит непосредственно через материал экрана. Для получения малой величины напряженности остаточного поля в центре Ферромагнитного экрана (2-3 гаммы, 1 гам-5 ма =10 э необходимо, чтобы амплитуда переменного поля изменялась очень плавно, синусоидальность поля не искажалась, и чтобы процесс размагничива ния проходил в скомпенсированном геомагнитном поле.

Напряженность остаточного поля на уровне

2 — 3 гамм достигается в общем случае многократным проведением процесса размагничивания переI

1 менным магнитным полем.

В результате применения способа необходимый результат (2-3 гаммы в центре экрана) получается ! после однократной операции размагничивания много1p, слойного экрана, стыки соседних магнитных оболочек которого расположены взаимно перпендикуляр1но (отверстие проходит сквозь экран), причем сам процесс размагничивания проводится в нескомпен1сированном геомагнитном поле.

15 . Для успешного однократг/ого процесса размагничивания многослойный ферромагнитный экран, стыки

° оболочек которого взаимно перпендикулярны, в не,скомпенсированном геомагнитном поле при комнатной температуре ориентируют так, чтобы плоскость

20 стыка внутренней магнитной оболочки располагалась в горизонтальной плоскости, жестко закрепляют на столе ударного стенда, однократно размагничивают переменным уменьшаюшимся по амплитуде магнитным полем цо величины, например. .5-30 гамм

25 в центре экрана и подве1п ают воздействию олнократ504253..ои ударной нагрузки вдоль оси, перпендикулярной к плоскости стыка внутренней магнитной оболочки экрана при величине ускорения в пределах от 5 до

80 ф °

На фиг. 1 показан многослойный ферромагнитный экран с попеременно чередующимися магнитны ми и немагнитными оболочками; на фиг. 2 показа-" н расположение внутренней магнитной оболочки многослойного экрана относительно системы коор;: динат и стола ударного стенда (друтие оболочки и крепление всего многослойного экрана к столу удар.ного стенда не показаны, .

Ферромагнитный экран содержит, магнитные 1 и

:немагнитные 2 оболочки, установленные на столе 3.

Для эффективногеразмагничивания сферическсго многослойного ферромагнитного экрана, стыки оболочек которого расположены взаимно перпендикулярно, т,е, с отверстием, проходящим сквозь экран (см. фиг. 1), необходимо предварительно закрепить данный экран на столе 3 ударного стенда,: например, марки Я Ц 80. Конструкция крепления может быть любой, до должна обеспечивать максимальную жесткость крепления экрана к столу ударного стенда при минимально возможной деформации, его наружной оболочки. Следует: предотвращать не- посредственное касание внешней оболочки экрана стола ударного стенда. Перед окончательным креплением экрану его необходимо ориентировать относительно горизонтальной говерхности стола стенда так, чтобы плоскость, проходящая через стык внутренней оболочки экрана (см. фиг. 2), была параллельно столу ударного стенда (то есть ось ОУ должна быть перпендикулярна к столу) . После ориентации многослойного экрана относительно стола ударного стенда необходимо провести однократную операцию размагничивания постепенно уменьшающимся переменным (50 r .магнитным полем, максимальная напряженность которого не менее 10 э на расстоянии эт размагничивающего кабеля, равном радиусу первой внутренней оболочки многослоййого экрана, В данном случае не имеет значения, как уменьшается амплитуда переменного поля (вручную или автоматически) . Несущественны также возможные искажения синусоидальности переменного поля, которые приво-. дят к величинРнапряженности, остаточного поля экрана после размагничивания, равной 25-30 гамм.

Такая величина напряженности остаточного поля в центре экрана после размагничивания является совершенно неудовлетворительной как для прове4 дения исследований физических свойств ферромагнитного экрана, так и для удовлетворительной ра: боты чувствительного элемента.магнитометра на эффекте Ханле. Кроме того, размагничивание до уровня величины напряженности поля, равной 2530 гамм, легко провести однократным актом. После этого экран подвергают ударной нагрузке. Минимальная величина ускорения, возниказэщего при ударе, при котором .(аблюдается эффект размагничивания, щ составляет 5$ тГде f -ускорение свободного паде нйя. Максимальная величина ускорения, при Котором .наблюдается эффект размагничивания, составляет

80. у При величинах ускорений меньших 5ч и больших 80ч исследования не проводили. При этом саИ мые лучшие результаты получены в диапазоне величин ускорений от 20 до 80,у . Величина напряженности остаточного по. я в центре. экрана, после воздействия однократной ударной нагрузки составляет 2-3, гаммы. Даннья вели ина напряженности остаточного

З1 поля как и повторяемость результатов размагничи-© вания является вполне достаточной для проведения необходимых исследований физических характеристик экранов и для успешного иа использования (в состоянии, полученном таким способом размагничива- р ния) в защите чувствительного элемента магнитометра на эффекте Ханле.

Формула изобретения

Способ размагничивания сферического многослойного ферромагнитного экрана с взаимно перпендику- лярным расположением стыков и сквозным. отверстием, основанный на создании в экранированном объеме переменного магнитного поля с убывающей амплитудой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения числа циклов размагничивания до одного и получения при этом эффективного размагничивания в геомагнитном поле, экран ориентируют так, 46 чтобы плоскость стыка внутренней, магнитной оболочки располагалась в горизонтальной плоскости, жестко закрепляют на столе ударного стенда, однократно размагничивают переменным уменьшающимся по амп; итуде магнитным полем до величины, например, 25-30 гамм в центре экрана и подвергают воздействуют оцнокуатной ударной йагруэки вдоль, оси, перпендикулярной к плоскости стыка внутрен-; ней магнитной оболочки экрана при величине ускорения в пределах от 5 до 80 .

504253

Составитель А. Луки

Редактор Н. Данилович Техред А. Демьянова

-оКорректор А. Лакида

Заказ 1663

Филиал ППП „Патент", г. Ужгород ул. Гагарина, 101

Тираж 977 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СбЬета Министрвв СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5