Ассоциативный запоминающий элемент на мдп-транзисторах

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОЬ ЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено22.О9.75 (21) 2173749/24 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет (43) ОпубликованоО5.О1.77.Бюллетень ¹ 1 (45) Дата опубликования описания 30.03.77 (11) 54-2243 (51) M. Кл."G 11 С 15/04

Государственный комитет

Соаета Иинистроа СССР по делам изобретений и отирытий (53) УДК 681 327 °. 67 (О88.8) Б, В. Барашенкэв (72) Автор изобретения (71) Заявитель (54) АССОЦИАТИВНЫЙ ЗАПОМИНАЮШИЙ ЭЛЕМЕНТ

НА МДП вЂ” ТРАНЗИСТОРАХ

Изобретение отнэсится к области запоминающих устройств.

Известны запоминающие элементы на

МДП-транзисторах (1, 2).

Один из известных элементов, хотя и сэ- 5 держит небольшое количество транзисторов может быть использован только в составе

ОЗУ и может выполнять только функцию хранения информации, но функцию ассоциативнэгэ поиска не реализует (1) .

Ip

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является ассоциативный запоминающий элемент на МДП-транзисторах, содержащий транзистор считывания, исток которого подключен к числовой шине, 15 а затвор — к ацресной шине считывания, транзистор записи, сток которого соединен с числовой шиной, затвор — с адресной шиной записи, а исток — с затвором информационнэгэ транзистора, конденсатор, включенный меж- gp ду истоком и затвором информационнэгэ транзистора, дополнительные транзисторы, шину опроса и шину нулевого потенциала j2).

Недостатком этого элемента является большое количество транзисторов,чтэ ðn- 25 вэдит к значительной потере площади кристалла при пэстрэении ассоциативных ЗУ с большой степенью интеграции.

Целью изобретения является упрощение элемента.

Поставленная цель достигается тем, чтэ предложенный элемент содержит дополнительный кэнденсатэр, включенный между шинэй нулевэгэ пэтенциала и стоком транзистора считывания, кэторый соединен сэ сТоКоМ инфэрмациэннэгэ транзистэра, исток кэтэрэго подключен к шине опроса.

На чертеже изэбражена схема предлэженногэ запэминающегэ элемента.

Элемент сэдержит транзистэр считывания 1, транзистэр записи 2, инфэрмациэнный транзистэр 3, конценсатэр 4, служащий для запэминания инфэрл ации, числэвую шину 5, адресную шину считывания 6, адресную шину записи 7, шину опроса 8, шину нулевого потенциала 9 и дэпэлнительный кэнденсатэр 10, служащий для хранения результата сравнения. Шины 5 и 9 образуют паразитный конденсатор. Исток транзистора 1 подключен к шине 5, зат542243 вор — к шине 6. Сток транзистора 2 соединен с шиной 5, затвор — с шиной 7, а исток — с затвором транзистора 3. Конденсатор 10 включен между шиной 9 и стоком транзистора 1, который соединен со стоком транзистора 3, исток которого подключен к шине 8.

Элемент рабэтает следующим образом.

В режиме записи информации импульсэм, подаваемым по адресной шине записи 10

7, открывается транзистор записи 2 и заряжается конденсатор 4 в зависимости от значения сигнала "О" или "1", подаваемого на числовую шину 5 при нулевом потенциале шины опрэса 8 и шины считывания 6.

В режиме считывания информации при нулевэм потенциале на шине записи 7 подается импульс на шину эпроса 8, а затем импульсом, подаваемым по шине считывания 6, открывается транзистор 1. 20

В случае, если конденсатор 4 заряжен (хранит "1"), заряжается паразитный конденсатор 11, при незаряженном конденсаторе 4 (хранит "О") конденсатор 11 не заряжается, чем обуславливается дискримина- 25 дия сигнала на числовой шине 5.

При поиске информации элемент работае т следующим э бр аз эм.

В режиме поиска на числовую шину 5 пэдается импульс, который через транзис- 30 тэр 1, открытый управляющим сигналом на шине считывания 6, заряжает конденсатор

10 этнэсительнэ шины 9.

Для исключения сквозных токов через транзистэр 1 и транзистор 3 в исток тран-* зистэра 9 подается импульс по шине опроса 8.

По окончании импульса на истоке транзистора 3 разряжается конденсатор 10 через открытый транзистор 3, если кондея- 4" сатэр 4 хранит "1" — совпадение при поиске "1", либэ конденсатор 10 остается заряженным, если транзистор 3 закрыт, т. е. хранит "О" — несовпадение при поиске "1". В режиме поиска "О" импульс на числовую шину 5 не подается, и при нулевом потенциале числовой шины 5 разряжается конденсатор lO через транзистор 1, открытый импульсом на шине считывания

6 по затвору. Затем производится опрос состояния запоминающего элемента импульсом, который подается по шине опроса 8 в исток транзистора 3. Если конденсатор

4 хранит "О, конденсатор 10 остается разряженным, так как транзистор 3 закрыт — совпадение при поиске "О". Если конденсатор 4 хранит "1", он заряжается через открытый транзистор 3 — несовпадение при поиске "О".

В режиме маскирования, так же как при поиске "О", конденсатор 10 предварительно разряжается через транзистор 1, но импульс в шину опроса 8 не подается и конденсатор 10 остается разряженным, чтэ соответствует сигналу совпадения при поиске "О" или "1".

Формула изобретения

Ассоциативный запоминающий элемент на МДП-транзисторах, содержащий транзистор считывания, исток которого подключен к числовой шине, а затвор - к адресной шине считывания, транзистор записи, сток которого соединен с числовой шиной, затвор — с адресной шиной записи, а истокс затвором информационного транзистора, конденсатор, включенный между истоком и затвором информационного транзистэра, шину опроса и шину нулевогэ потенциала, отличающийся тем, что, с целью упрощения элемента, он содержит дополнительный конденсатор, включенный между шиной нулевого потенциала и стоком транзистора считывания, KoTopbIH соединен со стоком информационного транзистора, исток которого подключен к шине опроса .

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство № 450230, М. кл. 11 С 15/04, 1973 г.

2. Патент США № 37O1980, кл. 340173, 1972г .

542243

Поцписное

Министров СССР

Заказ 5990/32 Тираж 723

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета по делам изобретений и эткрьггий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.

4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель В. Рупаков

Рецактор Л. Утехина Техред A. Демьянова Корректор Н. Ковалева

Ассоциативный запоминающий элемент на мдп-транзисторах Ассоциативный запоминающий элемент на мдп-транзисторах Ассоциативный запоминающий элемент на мдп-транзисторах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к архитектуре памяти и, более конкретно, к способам и системам для ассоциативной памяти (САМ)
Наверх