Устройство для исследования вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов

 

Союз Советских

Социалистииеских

Ресл ((блик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.11.75 (21} 2183804/09 (5j) M. Кл.е

6 01 9 27/00 с присоединением заявки №

Гес1((дарстеенный номнтет

Совете Мнннстрев СССР пе делам нзебретеннй и открытей (23) Приоритет (43) Опубликовано25.01.77Л2(оллетень № 3

53) УДК 622 317 35 (088.8) (453 Дата опубликования описании18,05,77 (72) Авторы изобретен11Я 3. (). Добраво:-..OKI(c, Л, И. =- -"

Ордена Трудового (<рас11ага Знак:ени; icT!Itуг "„ изики полупроводт(ик ОВ А Н !(1 т!2 вс ко 1! (.С (-. (71) Заявитель (54) ОТ(ОЙ(ТВО QJ(H NOCJIEi3O(!Ail(»(BG)f(i (-:-;Р,И ((.Н- 1;

ХЛРЛКТИ ИСТИК ПОЛ ГК ОВОДКИКОВ1;!,, Х(:(Т(: — И,МОИ

Изобретение относится к измерительной технике и может использоватЬся для ИССле-1 дОВания палуправодни(.овых мате!2иалов.

Известны устройства для исследования .вольт-амперных характеристик полупроводниковых материалов.

Одно из известных устройств для иссле*ДОВания Вольтамперных хя(2актерис тик и!Ол2 проводниковых материалов используют IfpH измерениях наносекундный импульс, сформиро fo ванный ртутным реле и содержит подключенные к исследуемому образцу сопротивле- ния, индикаторный прибор. Однако в связи с нарушением однородности коаксиальной линии проведенные измерения содержат паг- 1б решности )1) .

Наиболее близким техническим решением к изобретентпо является устройство для исследования вольт-амперных характеристик полупроводниковых материалов, содержащее последовательно соединенные генератор, (2Tу-. т ное реле и коаксиальную измерительную линию, резистивный зонд, стробоскопический осциллограф и двухкг>ардинатный самописец (23.

2

Т

НОI бачйе су(!О(2(ве(ш1:1м деда!-тат(ьам таК(2 -.О УС! Р(>йСТВО fit;j!!!. 1гr IJ НИЗ :,аи Ц(2О11ЗВОДИ .

ТЕЛЬПОСТЬ ИЗ. . Е(2Е! И !..

ЦЕ;.1Ь И !ООРОТЕ(1ИЯ вЂ” ПОИ(!i!Ст(ij(! i!РОИЗВО»

Д!(ТЕ;ifHOC f jf !! .: IO!2 Н11Й.

ДЛЛ ДОСТ1 же!В(я 1!ОСТВЫ1е(11(О(1 11О41и В уС.

f2(2 ffGT I2 (д(1я ii! « .О Ч *. Ва2Ш11 ВОЛЬТ"-а (!11(!(!н ых

2(!..!(кг(;!! - (т!;...-.„., (1OВО!.".(!и! "i !ъ»;! "11 el- !(ачс(В

1" содержащее последовательно саед шею(ые генератор, рту-гное реле и коаксиалы(у1О из мерительную лин(по, резистивный зо1(д, стробоскопический осциллограф и двухкоордтц1атт ный самописец, введены второй резистивный

=-онд с стробоскопическим осциллографом, ограничитель тока, .щния задержки и аналоговая Вычислительная машина, причем второй резистивный за11д соединен с входом второго стробаскопическога Осциллографа„ к другому вход которого подкжочена линия задержки, соединенная с входом первого стробаскапическога Осциллографа! а Ограничи ель

ТоКВ Вкл Очен мсжду Входом кОаксиальной

ИЗМЕРИГЕЛЬПОй ЛИНИИ И ВХОДОМ ВВЕДЕИНОГО

1 ст(2ОООскопическОГО Осп11.!1лОгра(1!а, к. Выходам страбоскопических Ос1н(ллографав подключе

"> 3 3886 на аналоговая вычислительная машина, соединенная с двухкоординатным самописцем, Такое устройство обеспечивает повышение производительности измерений.

На чертеже приведена структурная электрическая схема предложенного устройства.

Устройство для исследования воль -ампер-; ных характеристик полупроводниковых материалов содержит последовательно соединенные генератор 1, ртутное реле 2 и коаксиаль о

- ную измерительную линию Э, реэистивный зонд 4, стробоскопический осциллограф 5, двухкоординатный самописец 6, второй резистивный зонд 7 с стробоскопическим осциллографом 8; ограничитель 9 тока, линию

10 задержки, аналоговую вычислительную машину l l причем второй резистивный зонд

7 соединен с входом второго стробоскопического осциллографа Ь, к другому входу которого подключена линия 10 задержки, .соединенная с входом первого стробоскопического осциллографа 5, а ограничитель 9 тока включен между входом коаксиальной измерительной линии 3 и входам введенного стробоскопического осциллографа 8, к вы«одам стробоскопических осциллографов 5 и;

В подключена аналоговая вычислительная машина 11, соединенная с двухкоординатным самописдем 6.

Устройство для исследовании вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов работаег следующим образом.

Образец подлежащий исследованию распо.? лагается по отношению к коаксиальной линии 3 таким образом, чтобы его масса имела 5 контакт с центральным и внешним ее проводниками. Сформированный реле 2 и генератором 1 наносекундный импульс регистры

I руется зондом 4 и осциллографом 5, установленным на расстоянии - Qt/g от иссле- 40 дуемого образца, где ь - длительность импульса, С - скорость света. Отраженный от образца импульс регистрируется зондом

7 и осциллографом 8. При этом запуск ос 45 цнллографов. 5 и 8 осуществляется одновр ,менно при помощи линии 10 задержки, а сте- бильность момента времени запуска осциллографов 5 и 8 обеспечивается ограиичит<:лем 9. Постоянное напряжение пропорциональное амплитудам пядаюшего и отраженного импульсов в определенный момент поступает на вход аналоговой вычислительной машины 11, лроизводяшей алгебраические операции, которые регистрируются самописцек

6 в виде вольт-амперной характеристики ис- следуемого образца.

Формула изобретения

Устройство для исследования вольт-ампер= ных характеристик полупроводниковых материалов, содержащее последовательно соединенные генератор, ртутное реле и коаксиальную ,измерительную линию, резистивный зонд, .стробоскопический осциллограф и двухкоординатный самописец, о т л и ч а ю ш е е, с я тем, что, с целью повышения произво-! дительности измерения, в него введены вто

;рой реэистивный зонд с стробоскопическим !, Осциллографом р Ограничитель ToKa) линия эа ь

:держки и аналоговая вычислительная машина„ причем. :втор&й резистивный зонд соединен с входом второго стробоскопического осциллографа, к другому входу которого подклю чена линия задержки, соединенная с входом первого стробоскопического осциллогра фа, а ограничитель тока включен между входом коаксиальной измерительной линии и входом введенного стробоскопического осциллографа, к выходам стробоскопических осциллографов подключена аналоговая вычислительная машина, соединенная с двухкоординатным самописцем, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Макгроди, "Осцилляции тока, бегущие волны объемного заряда и домены п«германия", Труды Международной конференции по: физике: полупроводников, t N „1 96 8 г (аналог)

2.% 3onseh, Н. Heinrich, Я method Fat .

Su.snunerse c,und pu use me rsure ment

of чоИ -imper а агаа1е isticS.„Revue ь о С ЕФ I n stvu me nt, 970, м И, р 228.

Составитель О, Тихонов

Редактор }0, Комаров Техред H. Андрейчук Корректор Ж, кестлер

Заказ 789/62 Тираж 1052 Подписное

11Н11ИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г, Уж прод, ул. Проектнаи, 4