Мишень запоминающей электроннолучевой трубки

 

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Донолнительное к ав, санд-ву (22) Зайвлен012.07.76. (2l), 2383849/18-25 с присоединением заявки М—

Гвццввмнн((ввюм

ЬЮИ NOOOOlyOO 0(Ð

11 3OJION HOOTS(IOIOOO5

O Oé IO1é (23) приоритет . (43) Опубликовяно050178, Ввллетень М 1 (53) УДК 621.,832 (088.8) (45) дата опубликований опнсаниж170178

В . A. Богаченко, С. В. Денбновецкий, B. И. Третяк и A. С. Чайковский

Киевский ордена Ленина политехнический институт имени

50-летия Великой Октябрьской социалистической революции (45 иишкнь злпоминлюцкя элкктРОннолучквой

ТРУБКИ

Изобретение относится к конструкциям мишеней бессеточных запоминающих электроннолучевых трубок (БЗЭЛТ) с видимьва иэображением. Оно может быть использованс в БЭЭЛТ, которые применяются в запоминающих осциллографах, масштабно-временных преобразователях импульсных сигналов, устройствах. связи оператора с ЭЦВМ и т.п.

Известна мишень бессеточной saпоминающей электроннолучевой трубки $1) . Недфстатками мишени являются низкая скорость записи и невысокие яркость и контрастность воспроизводимой записанной .информаций. .Известна, также другая мишень запоминающей электроннолучевой труб« ки (2), содержащая прозрачное основание, с одной стороны которого выполнены выступы и впадины,, коллектор и диэлектрик-люминофор. Эта мишень имеет те же недостатки, что и описанная payee(i).

11елью изобретения является увеличение яркости и контрастности изображения и скорости записи.

Указанная цель достигается тем, что коллектор мишени выполнен из непрозрачной проводящей пленки, по. крывающей выступы и боковые поверхности впадины.

На чертеже показана предложенная мишень. !

ÍèøåHü содержит основание 1 с выступами и впадинами, коллектор 2 в виде непрозрачной проводящей пленки, покрывающей основание и стенки впадин, и диэлектрик-люминофор 3.

10 Уменьшение площади контакта коллектора 2 с диэлектриком-люминофором 3 (дно.не покрыто люминофором) обеспечивает уменьшение емкости мишени, что.увеличивает скорость записи.

Я НапримеР, при кубической форме впадин плошадь контакта диэлектрика-люминофора 3 а коллектором 2 в мишени уменьшается на 20% по сравнению с тем же параметром известной мишени, 30 что обеспечивает увеличение скорости записи. примерно на 20%, так. как удельная емкость мишени прямо пропорциональна площади контакта диэлектрик-люминофора 3 с коллектором 2, а

Г скорость записи обратно пропорциональна емкости мишени.

Отсутствие пленки коллектора 2 в основаниях впадин, а также выполнение его в виде непрозрачной пленки

Ж повышает яркость и контрастность

587528

Составитель P. Белоконь

Редактор Т. ОФловская Техред 3.ФантаКорректор;Е. Папп

Заказ 145/41 Тираж 060 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета .Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул, Проектная, 4 иэо6ражения, что обусловлено отсутствием дополнительных потерь светового потока, неизбежных при прохождении

aFo через прозрачную пленку:коллек-. тора в зоне основания впадин и рассеянии светового потока через боковую поверхность впадин °

Повышение контрастности и яркости изображения зависит от соотношения геометрических размеров выступов и впадин основания мишени. Кон- 10 трастность в предложенной конструкции мишени выше в 2-3 раза, чем в известной, а яркость больше на 10-15%.

Формула изобретения

Мишень запоминающей электроннолу- !6 чекой трубки, содержащая ПрОэрачНОЕ основание, с одной стороны которого выполнены выступы и впадины коллектор и диэлектрик-люминофор, о т л ич а ю ш а я с я тем, что, с целью увеличения яркости и контрастности иэображения и скорости записи, коллектор выполнен из непрозрачной проводящей пленки, покрывающей выступы и боковые поверхности впадин.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент ClrR В 3531675, кл, 31368, 1970.

2. Научно-технический отчет в 9020 по НИР Луч,