Волноводный измерительный преобразователь

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 2&0177 (21) 2444701/18-09 с присоединением заявки,рй (23) Приоритет

Гоо1даретнннный комнтат

Сонета Мнннотроа СССР но данам наабрнтаннй н открытей (43) Опубликовано 2501785юллетень Мй 3 (45) Дата опубликования описания 130178

Ю. К. Григулис, М. К.Дагилис, В.М. Пориньщ и С.Ю.Русманис (72) Pâòîpû изобретения

Физико-энергетический институт,AH CCP (71) Заявитель (54 ) ВОЛНОВОДНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

-1

Изобретение относится к контрольн(зиэмерительной технике и может испольт. зоваться для контроля параметров сло(ев полупроводниковых структур.

Известны сверхвысокочастотные методы измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин, при которых образец помещается в волново а и, кроме того прижат к концу волно, в од а (1).

Однако в известном преобразовате.ле точность измерения недостаточна, особенно при контроле тонких слоев материалов двух или более слойных структур с малым удельным сопротив- 15 (лением.

Наиболее близким техническим реше. нием к изобретению является волновод ный преобразователь для контроля лектрических параметров полупровод- ЯО ииковых структур, содержащий переходной фланец и отрезок волноводного тракта 2). Однако у этого волноводного преобразователя чувствительность измерения толщины высокоомных слоев на низкоомных структурах недостаточна.

Цель изобретения — увеличение чувотвительности измерения толщины высокоомных слоев на ниэкоомных стру»- 30 турах и параметров низкоомных структур с линеаризацией функциональной зависимости при низких значениях этих величин, Для этого в волноводном преобразо вателе для контроля электрофиэических параметров полупроводниковых структур, содержащем переходный фланец и отрезок волноводного тракта, на конце отрезка волноводного тракта установлена отражающая поверхность.

На фиг. 1 показан предлагаемый волноводный преобразователь, воэможнщй вариант конструкции; на фиг.2 — кривые, характеризующие эффективность использования предлагаемого преобразователя.

Волноводный преобразователь для контроля электрических параметров полупроводниковых структур содержит переходный фланец 1, отрезок волноводного тракта 2, на конце которого установлена отражающая поверхность 3, При наложении на отражающую поверхность 3 испытуемого обр,лзца возникает поперечное распространение сверхвысо кочастотной мощности в высокоомном поверхностном слое 4 вследствие многократного отражения потока между

589571 о тражающей поверхносгью 3 и низкоомной структурой 5.

Кривые (см. фиг.2) характеризуют ,возможность достижения значительного прироста чувствительности измерений на примере контроля толщины J диэлектрических слоев, нанесенных на ниэкоомных полупроводниковых пластинках с

0,001, 0,03, О, 1 и 0,5 Ом см по показан(ям разности тока измерительного устройства, например по разнице оказаний тока индикатора I и 1 в ми о нимуме стоячей волны-измерительной инии при контроле структуры со слоем основы, !5

Кривые 1 определяют изменение раз ности тока для преобразователя без отражающей поверхности, а кривые tt .характеризуют изменение разности тока в измерительном приборе для тех же контрольных образцов при использовании предлагаемого измерительного пре образователя.

При использовании предлагаемого реобразователя чувствительность иэме-, ения контролируемых параметров образ цов, т.е. толщины слоев r3 или удельйого сопротивления Р (а также поверх(ностного сопротивления Я, на порядок

1

ыще, чем для преобразователей не

:3(! меющих отражающей поверхности, причем такая чувствительность сохраняет ся не только при контроле толщины диэлектрических и высокоомных nonynpdводниковых слоев, а также при контро-ле параметров подложки при определенной толщине верхнего слоя. Такой при рост чувствительности возможен вслед1 ствие возникновения в приповерхностндм слое контролируемой структуры многократных отражений потока электромаг нитной энергии.

Формула изобретения

Волноводный измерительный преобра-

Зователь для контроля электрофизичес" ких параметров полупроводниковых структур, содержащий переходный фла нец и отрезок волноводного тракта, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности измерения толщины высокоомных слоев на низкоомных структурах и параметров низкоомных структур с линеариэацией функциональной зависимости при низких значениях этих величин, на конце отрезка волноводного тракта установлена отражающая поверхность.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Давыдов A., Арапов Ю. ПТЭ, 1967, Р 6, с. 113.

2. Авторское свидетельство СССР Р 166763, М.Kw . 501 R 31/26, 1962.

589571

=а

=ав

= гаити мкн фиг.Я

Составитель А.Меньшикова

Техред Н.Андрейчук Корректор М.Демчик

Редактор Т.Зубкова

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 386/33 Тираж If Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5