Глазурь для керамических деталей радиоэлектронной аппаратуры

 

1!11 600I 04

ОП ИСА Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 03.05.73 (21) 1913951 29-21 (51) \1. Кл. - С 03С 5/02

С ОЗС 9/00//

//Н 05К 7/06 с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

Совета Министров СССР (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.03.78. Ьюллетснь ¹ 12 (45) Дата опубликоваш я описания 11.04.78 (53) УДК 621.315.612.7 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

Ю. Г. Агнивцев, Е. A. Лиоренцевич и В. И. Преснов (71) Заявитель (54) ГЛАЗУРЬ ДЛЯ КЕРАМИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ

РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЪ1

Настоящее изобретение относится к технологии изготовления радиоэлектронной аппаратуры, а именно — к глазурям для покрытия различных установоч Iblx деталей, выполненных из керамических материалов.

Известны глазури для нанесения на поверхности установочных деталей радиоэлектронIIoH аппаратуры на основе системы S10g—

В20з — А40з — РЬО.

Наиболее близка к изобретению глазурь, содержащая (в вес. % ): SiO 60 — -75, А!зО„

2,5 — 12,5, LaqO 25 — 10, ВаО 15 — 30, В Оз

0 — 5, МО 0 — 10 (М вЂ” 6g, Са, SI пли пх смеси).

Такая глазурь, обеспечивая хорошие электрические свойства деталей, имеет однако высокую температуру гладкого растекания и нс позволяет получить покрытие, равномерное по толщине, что затрудняет изготовление на установочных деталях мелкоструктурных пленочных элементов и ухудшает работу микросхем, в особенности схем, работающих на высоких частотах.

Целью настоящего изобретения является создание глазури для покрытия установочных деталей, например подложек микросхем, в особенности схем, работающих на высоких частотах, обладающей низкой температурой гладкого растекания и образующей равномерное по толщине покрытие. Поставленная цель достигается тем, что глазурь содержит РЬО, $10з, СаО, В.Оз н А1 Оз прп сaеду1oщeu соотношении компонентов (в вес. %): РЬ O

56 — 58, SiOq 31 — 33, СаО 4 — 6, В Оз 4 — б, 5 А1зОз 2 — 1.

Изобретение поясняется примером выполнения.

Для приготовления глазури берут шпхту, содержащую (в %): РЬз04 52,6, SiO> 30,0, 10 НзВОз 8:2, СаСОз 6 4, А1 Оз 2,8. 11ослс псрсмешиванпя в течение 30 мин пшхту подвергают плавке B корундовом тигле, поднимая в течение 4 час температуру до 1400 С. При этой температуре стекло выдерживают около

15 1 час. Если в стекле отсутствуют пузыри (показатель качества варки), то его выливают в холодную воду. При этом размср гранул стекла находится в пределах 2- — 5 мм. Гранулы размалывают до получения порошка с размс20 ром зерен 1 — 2 мк в фарфоровом барабане при помощи фарфоровых шаров диаметром

15 — 20 мм. Порошок просеивают сквозь сито.

В результате получают порошок глазури

25 (стекла), которая содержит (в %): РЬО 56, Si0 33, В Оз 5, СаО 4, А1 Оз 2.

Г1азh p0BBIIIIhlC II0KpbITII51 11анос5IT на II! .p2м!Iчссl 11е под, 10жкll с lперохогатостl.lо повсрхности около 3 — 6 мк любым известным спосо30 бом, например, пульверпзапией суспензпн по600104

Формула изобрстения

Составитель Т. Кугель

Тскрсд Л. Гладкова

Редактор Н. Громов

Коррсктор О. Тюрина

Заказ 414/15 Изд. № 364 Тираж 696

IIHO Государствсш|ого комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 4(-35, Раушская наб., д. 4l5

ГIодписное

Типография, пр. Сапунова, 2 рошка глазури в связкс. Может быть использована суспензия, содержащая 1в Bcc. I.):

Порошок глазури 75,3

1(анифольно-скипидарный раствор 21,5

1(асторовое масло 0,7

Скипидар 2,5

После íàHåññíèÿ суспензии подложки нагреваютт в муфельной печи до температуры

1050 С.

Величина поверхностных дефектов глазурованных образцов в пределах 0 — 0,5%. 1(ласс чистоты поверхности 13. На образцах покрытий проколов фоторезиста не обнаружено.

Величина подтравливания на покрытиях на

20% ниже, чем на покрытиях по патенту

СШ. г ¹ 3558346.

Высокие показатели поверхности глазурованных покрытий делают их пригодными для печатания практически любых пленочных элементов. Минимально возможные размеры элементов определяются в этом случае только разрешающей способностью фоторезнста и применяемой аппаратуры. На глазурованной поверхности удастся получить элементы шириной 30 мк и выше.

Глазурь для ксрамичсских деталей радиоэлектронной аппаратуры, включающая Si02, 10 А1 0з, СаО и В Оз, отличающаяся тем, что, с целью улучшения качества глазурованпой поверхности, она дополнительно содержит

I bO при следующем соотношении компонентов (вес. % ): SIO 31--33, А!зОз 2 — 4, В Оз

15 4 — -6, I bO 56 — 58, СаО 4 — 6.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Яманов С. А. Новые электропзоляционныс материалы и проблема надежности.

20 «Энергия», М., 1971, с. 89.

2. Патент CIIIA № 3501322, кл. 106 48, 1970.