Узел крепления кремниевой пластины

 

6::3420

Ф ор мул а изобретения

Составитель В. Белоконь

Техред И. Михайлова

Редактор Н. Коляда

Корректор И. Симкина

Подписное

Заказ 335/562 Изд. № 478 Тираж 964

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» аналогично слою 4 хорошую адгезию серебряного покрытия 7 к слою никеля 9, нанесенному на молибденовое основание,для хорошей

1дгезии с его поверхностью. Кольцевое основание 10 может быть изготовлено из материала, коэффициент теплового расширения которого

«о11иэок к коэффициенту теплового расширения кремния, например, молибдена, ковара, кремния, сапфира, керамики.

Для сохранения фотоэлектрических свойств кремниевой пластины процесс пайки проводят ври невысокой температуре нагрева (250 С), а для сохранения качества поверхности пайка проводится без применения флюса;в среде ар;.о,на.

Предлагаемый узел обеспечивает хоро|ший теплообмен, по зволяет,получить более высокие телеви|зионные па раметры мишени, увеличи вазт механическую прочность и надежность изгота вливаемой мишени.

Узел крепления кремниевой пластины мишени видикона с основанием, содержащий промежуточный слой на OctHGBG металла, о тл ич а ю щ.и и с я тем, что, с целью повышения механической прочности и термостойкости в диапазоне от — 200 до +300 С, промежуточный слой выполнен из твердого распвора ин10 дий-серебро, а на обе его стороны симметрично нанесены слои соответственно из серебра, меди и химически активного металла, например, никеля.

15 Источники информации, |принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США ¹ 3398316, кл. 313 †, опублик. 1955.

2. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология

20 лроизводспва полу проводниковых приборов, М., «Высшая школа», 1974, с. 282.