Выходной блок для устройства обращения к блокам памяти

 

О Il И С А Н И-Е ()63064!

ИЗОБР ЕТЕ Н И Я

Саня Советских

Социалистических

Республик

К АВТОР СНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 15.06.76 (21) 2373163, 18-24 (51) М.1 л.-" б 11 С 11/40 с присоединением заявки №вЂ”

Государственный комитет (23) Приоритет— по делам изобретений и открытий (43) Опубликовано 30.10.78. Бюллетень № 40 (53) УДК 681.327.66 (088.8) (45) Дата опубликования описания 03.11.78 (72) Авторы изобретения (72) Заявитель

Э. P. Караханян, Б. А. Копыткин и А. И. Стоянов (54) ВЫХОДНОЙ БЛОК ДЛЯ УСТРОЙСТВА

ОБРАЩЕНИЯ К БЛОКАМ ПАМЯТИ

Изобретение относится IH вычислительной технике и может быть использовано в начестве:выход и ого каскада сдвиго|вых регистра в, усилителей за писи — считывания, за.поминающих, устройств и в других элентронных узлах |вычислителыных машин.

Известны буферные .схемы аналогичного типа.

Од на из так|их схем ньтпол неиа,на МДПтранзисторах и МД Пчконде нсаторах (1). 10

Наиболее бл изким техническим решеaIHe» к:из о бр стен и ю является,буферная схема, которая .содерлаит разделительный транзистор, подключенный стоковым электродом к и нформац ионной шине, истэковьтм 15 элект|родом — IK запвору выходного úðàIHзистора и электродом затвора — |к:выходу сд вигового регистра, выходной транзистор, МДП-ааонденс атolp, включенный между элBlKTlpодами затвора и стока выходного 20 транзистора, и и н формациотоный МДПконденсатор, не IHI»еюцоий диффузионной обла сти, включенный между электродом затвора этого транзистора н общей точкой схемы (2). 25

К недостатку этой схемы следует отнести большую площадь, за нимаемую,инфорти аiцнolн H ы м IKoíäåíñ à ùðî». Информ ационный МДП.кон денсатцр внимает площадь з лять раз большую, чем МДП-конденса- з0 тор, обеспечивающий емкостную связь между стоком и затвором;выходного транзнс тoIp а.

Цель изобретения — повышение быспродействия блока путем увеличения емкостной связи между затвором IH стоком выходного МДП-транзистора.

Поста вле н ная цель доспигается тем, что в выходном блоке для устройства обращения к блокам памяти, содержащем входной МДП-транзистор, исток которого;подключен;к .затвору |выходного МДП-тра из.Iстора и через первый элемент связи, .вы полнен ный IHa МДП-нонденсаторе, н пер вой та,ктовой шине,и к стоку выходного МДПтранзистора, сток входного МДП-транзистора соединен с вход ной шинной, а затво р— с второй тактовой LUIHIHой, исток;выход ного

МДП-транзистстра подключен к выходной шине, второй элемент связи, выпол нен ный н а МДП-конденсаторе, и шину пита|ния, одна,из обкладс к второго МДП конденсато ра,под,ключена к заев.о р;у выходного МДПтранзистора, а другая — K шине пита|ния.

На чертеже представлена,п раанципиальная схема предлагаемого блока.

Выходной блок состоит из входного 1 II выход но го 2 МДП-тра нзисторов, первого элемента с вязи, выполненного на МДП-конденсаторе 3, одна обкладка которого под(1) 30

A„— а(А, + А„,) (2) 55

А„, Лщ

А„, "1 А

А„, Аз

А, где А,= —А,, з

А, ключена IK затвору выход ного МДП-транзистора, IH IB1ofpovo элемента связи, выполн ензого iEa МДП кюнден саторе 4, одна обкладка которого подключена к источнику постоЯ ннопо IHaflIIPHI2KleHiHIH Е. ПознциЯми 5 и 6 на чертеже показа ны вход и выход блока соответственно, а позициями 7 н 8 — raKTQBbIe ш,HIHbl.

Выходной блoIK работает следующи м образом.

В момент действия тактового сигнала .по нтине 7 на затворе выходного МДП-транвчстора устанавливается напряжение U -.

< Upi,èëè U Up, где Up — по роговое на паря- 15 жение.,Посл е оио н ча н ия действия taIKTofsiof1 o сигнала по шине 7 затвор выход ного МДПтранзистора оказы вается под плавающим

I1lO1 eIHiII,H a JI OIM.

Если затвор выходного МДП-пранзисто- 20

ipa находился под нап р яжвн ием U3

МДП-:конденсато р 4 отказывается за р яженньпм, а МД П-ко ндвнсатор 8 — разряжен ным. В результате ноэффидивнт емкостнюй связи (между затвором IH стокам выходнopo

МДП-тра|нзистора, олределяющий irroi»ехозащищенность блока,,рaiBeE

С., А„, "— = С,— А,+Л,+А„ где C> — ем ко сть, аключвнная между затво ро м,и стоком выходного

Tlp а нзи сто р а; 35

С вЂ” емкость, включенная между затво ром выходного транзистора

1и общей то чтой схемы;

А„1 — площадь переирыпия за"пвор

:сток выходного МД П-пранзи- 40

c1.olpa 2;

А4 — ллощадь МДП-конденсатора 4;

А. — площадь канала выходного

МДП-транзистора 2;

А„, —,площадь леренрытия между за- 45

"IlBoIpoIM iH ди ф фузиo)HIHioH областью МДП-конденсатора 4.

Решая выра жение (1) относительно нл|ощади А4 и норм и руя относительно площади Аз МДП конденсатцра 8, получим

Подстнвляя т нповые значения А„, =А „

=0,1 и значения а=0,05, А — — 0,5, получим

Л4 — — 1,4, тогда как в прототипе А4 — — 5.

В случае, когда U,+Up, вьпражвн ие для ноэффицзпента вм ко спной связи а следующее:

Л„, 1-1 а = —.= — — (3)

Лр,+ А„, где Ар, — ллощадь диффузлонной области МД П коиденсаи ра 4.

Рассчитанное .по формуле (3), а = 7 (,в,п ротопи пе а = 2). Вамню подчеркнуть, что IB вьпражен ие (3) не входит площадь

МДП;кю нден сатора 4 — А4.

TaIKHfvr образом, в:предлагаемом выходном блоке иключен МДП-KIoíäåíñàòîð, одна обкладка котор ого подключена;к источнику .постоянного напряжения, а диффузионная область — IK затвору IBblxоднюго МДПтранзистора. Это позволяет при той,же iBeTHч ине емко стной GBfHBH между затвором н стоком выходнюго IMIgIH-т1ранзистора уменьшить площадь, за нимавм ую информацию н ным,МД П-конденсатором, в трн раза.

Формула изобретения,Выходной блок для уст ройспва обращения к юлюкам памяти, юодelppKaluий вход,ной МДП-т ранзистюр, исток котороло подключен к затвору .выходного МДП-пра|нз,истора и через пе рвый элемент связи, выполненный на МДП-.конденсаторе, к;первой та ктовюй,шине и к стоку,выходнопо МДПтранзистора, сто к,вход ного МД П-тр а нзистора соединен Ic входной наиной, а запвор— .с второй та ктоьой шинной,:исток выходного

ЧДП-т ранзистю ра июдкл1очен IK выходной шитые, B1oploH элемент овяз и, .выполненный на МДП-конденсаторе, и шинн у питании, о тJIIH ч а ю щ,и йся тем, что, с целью llloIBbltlIelHIHH быст родей твня нутем увеличения емкостной связки между затво1ром:и стоком выход ного МДП- 7paH3IHicTofpa, юдна IH3 обк чадо к,второго МДП-кондвн сатора подключена ж запвюру выходного МДП-1lpaiEBIHfe1Oра, а другая — IK .шине питания.

Истюч ники:HlHQolplMafllIHIH, принятые IBo неман не п,р,и энопер;пизе:

1. Папвнт США № 3789,239, нл. 307—

i211, опублик. 1974.

2. Бергер Д. 1ЕЕЕ Solid-State Cirenits, № 1, 1973.

Редактор И. Грузова

Составитель А. Новиков

Техред С. Антипенко

Корректор И. Симкина

Заказ 736/1166 .11зд.. а 675 Тираж 692 Подписное

НПО Государственного комитета СССР го делам изобретений. и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фнл. пред, «Патент»