Мультивибратор

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К ABYQP CNORWAY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

СОцивлисти4есних

Республик пч634451 г (51) M. Кл, Н 03 К 3/282 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено10.11.74 (21)2074000/18 21 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано25.11.78.Бюллетень ЛЪ 43 (45) Дата опубликования описания 2V.11.78

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений

И UTKPbITHN (53) УДК 621.374.. 531. 1 (088. 8) И. 3. Белик, М. И. Гришонко и H. В. Якимович (72) Авторы изобретения (71) За.явитель (54) МУЛ ЬТИВИБРATOP

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в качестве задающего генератора импульсов.

И.в=. т:-н самовозбуждаюшийся мультивнбратор с;оллекторно-базовыми емкостными связями, содержаший диодные схемы

ИЛИ в цепях предотвращения срыва генерации (1). Этот мультивиоратор имеет относительно сложную схему.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми свяIO зями, содержащий управляемый вентиль в цепи предотврашения срыва генерации (2).

В этом мультивибраторе B случае одновременного открытия транзисторов, управляемый вентиль подключает к коллектору одного из транзисторов дополнительный резистор, сопротивление которого выбирается таким, чтобы при подключении его параллельно коллекторному резистор транзистор вышел из режима насыщения. При этом через транзистор протекает повышенный кол- 2В лекторный ток, причем время протекания зависит от степени насыщения транзистора, обуславливаемой в основном коэффициентом усиления. Так, как коэффициент усиления транзистора изменяется в широких преде IBx при воздействии внешних факторов окружаюшей среды, то величину сопротивления дополнительного резистора необходимо выбирать достаточно малой, чтобы обеспечигь выход транзистора в активную область даже цри максимально возможном коэффициенте усиления. Необходимость применения дополнительного резистора достаточно м алой величины шунтируюшего коллекторный резистор транзистора понижает надежность работы мультивибратора, так как через транзистор при этом протекает значительный коллекторный ток, что может привести к тепловому пробою транзистора.

Целью изобретения является повышение надежности работы мультивибратора при снижении требований ио разбросу электрических параметров элементов.

Достигается это тем, что в мультивибраторе на транзисторах с коллекторно-базовыми связями, содержащем управляемый вентиль в цепи предотвращения срыва генерации, катод управляемого вентиля соединен с выходом резпстивного делителя напряжения, подключенного межд базой второго транзистора и шиной источника питания.

634451

Формула изобретения. 3На чертеже приведена принципиальная схема .-редлагаемого мультивибратора.- ..

Мультивибратор .содержит, транзисторы 1 и 2, управляемый вентиль 3, конденсаторы коллекторно-базовых связей 4, 5, резисторы 6 — 11.

База транзистора 1 через резистор 9 соединена с шиной источника питания и через конденсатор 5 с коллектором транзистора 2. База транзистора 2 через резистор 6 соединена с катодом управляемого вентиля 3 и через конденсатор 4 — с коллектором транзистора . l. Катод управляемого вентиля 3 через резистор 10 соединен с шиной источника питания. Коллектор транзистора 1 через резистор 8 соединен с шиной источника 15 питания и через резистор 7 с управляющим электродом вентиля 3. Коллектор транзистора 2 соединен с анодом управляемого вентиля 3 и через резистор 1! с ши1юй источника питания. Эмиттеры транзисторов

1 и 2 соединены с общей шиной.

Мультивибратор работает следующим образом. Базовые сопротивления 6, 9, 10 создают условия релаксационного процесса в момент включения питания. Суммарное со- 25 противление резисторов 6 и 10 выбирается равным сопротивлению 9. В момент одновременного открытия транзисторов 1 и 2 открывается управляемый вентиль 3, резисторы 10, 11 включаются параллельно, а резистор 6 через открытый тири стор подключается к коллектору транзистора 2. Усилительный каскад охватывается местной отрицательной обратной связью. Это приводит к уменыпению тока базы и выходу транзистора 2 из области насыщения в активную область, что, в свою очередь, неизбежн!р вызовет начало автоколебательного процесса.

При заданных коллекторных сопротивлениях величина резистора 6 выбирается достаточно малой для вывода транзистора 2 в активную область в случае открытого управляемого вентиля. Это позволяет выбрать сопротивление резистора 10 болыним и значительно ослабить его влияние на коллекторную цепь транзистора 2.

3а счет исключения влияния цепи предотвращения срыва генерации на режим работы транзистора повышается надежность работы устройства в целом.

Мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми связями, содержащий управляемый вентиль в цепи предотвращения срыва генерации, управляющий электрод которого через резистор соединен с коллектором первого транзистора, а анод подключен к коллектору второго транзистора, от,гичаюи4ийся тем, что, с целью повышения .надежности при снижении требований по разбросу электрических параметров элементов, катод управляемого вентиля соединен с.выходом резистивного делителя напряжения, подкгпоченного между базой второго транзистора и шиной источника питания.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР № 301826, М.Кл . Н 03 к 3!282, 1969.

2. Авторское свидетельство СССР

¹ 322847, М.Кл . Н 03 к 31282, 1970.

ЦНИИПИ Заказ 6779 56 Тираж 1044 Подпненое

Филиал ПГ1Г! «Патент», г. Ужгород, угк Проектная, 4