Сверхпроводящий мостик переменной толщины

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

О Il И С A H N Е (iii 637019

И3ОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 30.05.75 (21) 2135852/18-25 (51) М. Кл. с присоединением заявки № 2445286/18-25

Н 01 1 39/22

Государственный комитет

СССР по делам нзооретенмм н открытий (23) Приоритет

Опубликовано 25.05.79. Бюллетень. № 19 (53) УДК 621.326 (088.8) Дата опубликования описания 29.05.79 (72) Авторы изобретения

1

Э т

l р

В. П. Андрацкий и В. А. Громаковский (71) Заявитель (54) СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ МОСТИК

ПЕРЕМЕННОЙ ТОЛЩИНЫ

Изобретение относится к криогенной электронике и может быть использовано для построения элементов вычислительной техники и приборов СВЧ электроники.

Известен сверхпроводящий мостик переменной толщины, содержащий два пленочных электрода, расположенных один над другим и разделенных изолирующим слоем, и . металлическую перемычку, осуществляющую слабую связь между электродами. Причем если геометрические размеры перемычек достаточно малы, такой мостик проявляет эффект Джозефсона.

Однако при такой конструкции невозможно получение заданных геометрических размеров, а, следовательно, и воспроизводимых электрических параметров мостика.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является сверхпроводящий мостик переменной толщины, содержащий два пленочных электрода, расположенных на двух парал20 лельных уровнях, и соединяющую их вертикальную пленочную перемычку. При этом перемычка расположена на вертикальной плоскости ступеньки, соединяющей плоскости берегов.

Если размеры перемычки достаточно малы, такой мостнковый переход проявляет эффект

Джозефсона. В частности, прн действии на перемычку перпендикулярного внешнего магнитного поля мостик переключается из сверхпроводящего в нормальное состояние, так же, как туннельный переход Джозефсона.

Но при таком устройстве невозможно долаточно эффективно воздействовать на него магнитным полем тока, проходящего по управляющей полоске. Действительно, из-за того, что берега расположены несимметрично относительно перемычки, магнитное поле от управляющего тока будет существенно неоднородным при любом расположении управляющей полоски по отношению к перемычке.

Цель изобретения — получение заданных параметров мостика, Это достигается тем, что пленочная перемычка расположена на торце изолирующего слоя, нанесенного на нижний электрод, причем в месте расположения пленочной перемычки торцы изолирующего слоя и верхнего электрода совпадают.

637019

Формула изобретения

«и

Рог. 2

Составитель В. Кручинкина

Редактор Т. Колодцева Техред Л. Алферова Корректор E. Лукач

Тираж 922 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 2896/59

Филнал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг, 2 — то >ке, вид сбоку.

Предлагаемый мостик содержит токопроводящие электроды 1, 2 иэ сверхпроводника (бе. рега), изолирующий слой 3 между электродами и перемычку 4.

Длина мостика определяется толщиной изолирующего слоя 3, если торец изоляции совпадает с торцом верхнего электрода 1, Толщина мостика определяетсл толщиной перемычки 4.

В предлагаемой конструкщп «пиап и электрод расположен симметрично относительно перемыч ки. В этом случае магнитное поле тока, проходящего по управляющей шине, расположенной под нижним берегом, наводит экранирующпе сверхпроводящие токи на нижнем и верхнем берегах мостика. Экранпрующив токи создают необходимое для переключения однородное перпендикулярное магнитное поле (см. фиг. 2).

Необходимое магнитное поле можно создать также пропусканием дополнительного тока через один из берегов мостика перпендикулярно транспортному току. В этом случае, благодаря симметричному расположению нижнего берега относительно перемычки, проходящий по нижнему берегу дополнительный ток также создает

3 однородное и перпендикулярное поле, т.е. улучшаются характеристики мостика.

Сверхпроводящий мостик переменной толщины, содержащий два пленочных электрода, расположенных на двух параллельных уровнях, и соединяющую их вертикальную пленочную перемычку, отличающийся тем, что, с целью получения заданных параметров мостика, пленочная перемычка расположена на торце изолирующего слоя, нанесенного на нижний электрод, причем в месте расположения пленочной перемычки торцы изолирующего слоя и верхнего электрода совпадают.