Способ измерения температурной стабильности полупроводниковой усилительной схемы

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ!

Союз Советских

Социалистических

Республик

647620

К АВТРУСКОМУ СВИДИТИЛЬСТВУ (6|) Дополнительное к авт. свил-ву г (5|) M. Кл

G 01 Н 27/26 (22) Заявлеио13.05.75 (2|) 21 45000/18-21 с присоединением заявки №

Государственно!й квинтет ссср оо делом нзобрвтвнвй н отхро!тнй (23) Приоритет

Опубликовано15.02.79.Бюллетень №6 (53) УДК 621.317. .3 34.3 (088.8 ) Дата опубликования описания 18.02.79 (?2) Автор изобретения

В. А. >Келтиков (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРНОЙ СТАБИЛЬНОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ УСИЛИТЕЛЬНОЙ ССХЕМЪ|

Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при экспериментальном исследования температурной стабильности полупроводниковых усилительных схем.

Известен способ измерения температурной стабильности полупроводниковой усилительной схемы, основанный на измерении коэффициента усиления при изменениях температуры окружающей среды f1I.

Недостаток этого способа состоит в том, что для его реализации требуются большие затраты энергии, а также применение дорогостоящей аппаратуры.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является способ, включающий измерение параметров..усилительной схемы при из- менении напряжения(21.

Недостатками этого способа являются сложность практичесаой реализации из-за необходимости применения баррокамер и большое время измерения..

||ель изобретения — сокращение времени измерения и упрощение способа.

Это достигается тем, что по предлагаемому пособу измерения температурной стабильности полупроводниковой усили5 тельной схемы в качестве изменяемого напряжения выбирают напряжение питания, в качестве измеряемого параметра-. коэффициент усиления, а температурную стабильность усилительной схемы опре-!

o . деляют по величине отношения приращения коэффициента усиления к величине диапазона изменения напряжения питания.

Процесс измерения заключается в следующем.

Б процессе машинного метода расчета полупроводниковых усилительных схем и экс пери ментального исследовани я параметров рассчитанных схем при разлиц!ых внешних воздействиях установлено, что существует связь между темпе ратурной стабильностью и изменением коэффициента усиления схемы в зависимости от напряжения источника ее пита25 ния

647620 тельных единицах.

Составитель А. Изюмов

Техред 3. Фанта Корректор E. Папп

Редактор Л. Батанова

Тираж 696 Подписное

UHHHIM Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 299/38

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

На чертеже представлена схема для измерения приращения коэффициента усиления усилительной схемы в зависимости от изменения напряжения источника ее питания.

Напряжение питания при измерениях подается на усилительную схему 1 от источника 2 пйтания через делитель 3 напряжения. Сигнал на вход схемы 1 подается от генератора 4. Выход усилительной схемы связан с сопротивлением нагрузки 5, напряжение на которой измеряется вольтметром 6.

При измерении приращения коэффициента усиления схемы 1 напряжение на входе схемы поддерживается постоянным при помощи генератора 4. Напряжение питания изменяется в заданных пределах делителем 3, а напряжение на нагрузке В измеряется вольтметром 6.

Приращение коэффициента усиления определяется соотношением

К к о где К вЂ” коэффициент усиления схемы прн заданных условиях;

Ко- коэффициент усиления схемы при начальных (нормальных) условиях.

Выходное напряжение при постоянном входном всегда можно представить через Коэффициент усиления по напряжению. При этом температурная стабильность определяется по формуле hK

С вЂ” I т

Где Л U,н, — диапазон изменения напряжения источника питания схемы в относи5

Формула изобретения

Способ измерения температурной стабильности полупроводниковой усилительной схемы, включаюший измерение параметров усилительной схемы при изменении напряжения, о т л и ч а ю— ш и и с я тем, что, с целью сокрашения времени иземерения и упрощения способа, в качестве изменяемого напряжения выбирают напряжение питания, в качестве измеряемого параметра — коэффициент усиления, а температурную стабильность усилительной: схемы определяют по величине отношения приращения коэффициента усиления к величине диапазона изменения напряжения питания.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Технический каталог "Новые приборы", Полевые транзисторы, гибридные интегральные схемы, Электроника", 1974, с. 16-17, 2..Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.", ".Госэнергоиздат", М.-Л., 1964, с.1021 06.