Свервысокочастотный аттенюатор

 

Союз Советскмн

Социалистических

Республик

ОП ИСАЫИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ а 657485

К АВТОРСКОМУ СВИДВТИЛЬСТВУ (6!) Дополнительное к авт. свил-ву— (22) Заявлено03.06.77 (2l) 2493093/18-09 (51) М. Кл

Н 01 Р 1/22 с присоединением заявки №Государственный ноинтет

СССР пе делам нзебретеннй н аткрытнй (23) Приоритет

Опубликовано 15.04.7 9.Бюллетень №14

Дата опубликования описания 20 04 79 (53} УДК 621.372 (088. 8) (72) Авторы изобретения

А. В. Андриянов, А. В, Горячев и Г. Б. Дзехцер (73) Заявитель (54) СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ АТТЕНЮАТОР

Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться при конструировании в широкополосных быстродействуюших модулируюших устройств с использованием р- i — n — диодов.

Известен сверхвысокочастотный ат тенюатор, содержащий источник управляк» щего сигнала, подключенный к базам двух транзисторов, коллекторы которых подключены соответственно к двум разнополярным источникам питания, а амиттеры соединены между собой и через резисторный делитель напряжения и ускоряюший конденсатор подключены к катодам р- "1 — п -диодов(11.

Однако такой сверхвысокочастотный аттенюатор имеет низкое быстродействие при переключении из состояния с малым ослаблением в состояние с большим ослаблением.

1Делью изобретения является повыш ние быстродействия.

Иля этого в сверхвысокочастотном аттенюаторе, содерж;мнем источник управляюшего сигнала, подключенный к оазам двух транзисторов, коллекторы которых подключены ссютветственно к двум разнополярным источникам питания, а эмитгеры соединены между собой и через резисторный делитель напряжения и ускоряюший конденсатор подключены к катодам p- -6-диодов, между одним из источников питания н катодами р- С - р «« диодов включены дополнительно введенные и последовательно соединенные полупроводниковый диод и резистор, причем по отношению к полярности источника питания полупроводниковый диод включен встречно.

На чертеже представлена принпипиал ная электрическая схема предложенного сверхвысокочастотного аттенюатора.

Сверхвысокочастотный аттенюатор содержит источник 1 управляющего сиг нала, транзисторы 2 и 3, источники

4 и S питания, резисторный делитель 6, ускоряюший конденсатор 7, р- i — и— диоды 8, полупроводниковый диод 9 и резистор 10.

657485

Сверхвысокочастотный аттенюатор работает следующим образом.

В отсутствии запускаюшего импульса транзистор 2 открыт, транзистор 3 закрыт, а через р- i — n-диоды 8 про5 текает прямой ток, определяемый напряжением источника 5 питания и резиторным делителем 6. Ускоряющий конденсатор 7 заряжается, и в базе р-i -пдиодов 8 накапливается отрицательный

10 электрический заряд. При подаче на базу транзисторов 3 и 2 положительного импульса транзистор 2 закрывается, а транзистор 3 открывается. К р i -n—

15 диодам 8 прикладывается напряжение удвоенной величины (напряжение источника 4 питания и напряжение на ускоряюшем конденсаторе 7), что позволяет т быстро рассосать заряд в базе р- i -й - диодов 8. Когда р- i л -диоды 8 восстанавливают свое обратное сопротивление, ускоряющий конденсатор 7 начинает разряжаться через полупроводниковьй диод 9 и резистор 10, при этом к моменту окончания импульса напряжение на нем составляет несколько процентов от напряжения питания. При формировании среза транзистор 2 открывается, а транзистор 3 закрывается, причем чем больше по модулю величина напряжения на р- — n — диодах 8, тем быстрее они переключаются в,состояние с малым сопротивлением, поэтому при малом напряжении на ускоряющем кон- З денсаторе 7, что обеспечивает полупроводниковый диод 9, импульс тока через р- — n- диоды 8 имеет максимальную величину, а длительность среза-минимальную величину. Резистор 10 регулирует щ остаточное напряжение на ускоряющем конденсаторе 7. Действие цепочки, состояшей из полупроводникового диода 9 и резистора 10, особенно эффективно прп малых длительностях радиоимпульсов, когда ускоряюший конденсатор 7 не успевает разрядиться за время действия и мпульса.

Предложенный сверхвысокочастотный аттенюатор позволяет на серийных р- i -п -диодах типа КА517А с вреди нем жизни носителей в базе порядка

1 мкс получить радиоимпульсы длительностью 0,1 мкс с временем фронта и среза 50 нс в диапазоне от 0,1 до

12 ГГц.

Формула изобретения

Сверхвысокочастотный аттенюатор, содержаший источник управляющего си нала, подключенный к базам двух транзисторов, коллекторы которых подключены соответственно к двум разнополярным источникам питания, а эмиттеры соединены между собой и через резисторный делитель напряжения и ускоряюший конденсатор подключены к катодам р- i - -и - диодов, о т л и ч а ю ш и йс я тем, что, с целью повышения бысч родействия, между одним из источников питания и катодами р- i — n -диодов включены дополнительно введенные и последовательно соединенные полупроводниковыйдиод и резистор, причем по отнс шению к полярности источника питания полупроводниковый диод включен встречно.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Дзехцер Г. Б. и Орлов О. С.

Р- — n — диоды в широкополосных устройствах СВЧ, М., "Советское рацио", 1970, рис. 4.25

ЦНИИПИ Заказ 1814/51

Тираж 922 Подписное

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4