Криостат

 

<о)оз Советских

Социалистических

Республик

" 669433

;) .I

1, (61) Дополнительное к авт. свид-ву /.;

1 (22) Заявлено 06.09.77 (21) 2520179/24-07 с присоединением заявки №вЂ”

Государствеииый комитет

СССР оо делам изооретеиий и открытий (23) Приоритет—

Опубликовано 25.06.79. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 03.07.79 (53) УДК 621 3!8.37 (088.8 ) (72) А втор изобретения

Г. Г. Ьорзов (71) Заявитель

Б

- <й <)ЬФ.". " "<Е (54) КРИОСТАТ

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при конструировании сверхпроводящих магнитных систеч.

Известен криостат, в корпу c котороп> размещена магнитная система, экран из сверхпроводящего материала, гслисвая ечкость и тепловой экран (1).

Недостатком конструкции такого криостата является то, что экран из сверхпроводящего материала для уменыпения внешних полей, создаваемых магнитной системой, размещен внутри гелиевой емкости. Это увеличивает объем гелиевой емкости и снижает надежность, так как в случае перехода магнитной системы из свс17хпро13О»яще)О в норчяльное состояние Bbl IEëÿåòñÿ тепловая энергия

I испаряется боль!Иое количество жидкого гелия и повышается давлеиис в криостате, которое может привести к аварии.

Цель изобретения — сокря!пение Ооъечя гелиевой емкости и повышение падеж!к)сги криостата.

Это достигается тем, что экран из сверхпроводящего материала размещен между тепловым экраном и гелиевой емкостью и соединен с последней тепловыми >!Ост(1>!и.

ЯВЛЯЮЩИ М ИСЯ O;1!1013P(. >ICII IIO II ) .З, l;! Ч И ).Р< I!ления экряия из свсрхпр<)но»я)щ I О ч;! гi риала.

На чертеже из<и>р(!+ Ii кр нос г;! г, ll()(>;Eo I bIlI>IЙ pfI3pc.i. В криостятс акр;)и I сверхпроводящего материала почсщяст(я вне гелисвой ечкости 2, я именно в !31)куу>1ном пространстве 3 между гслиевой емкостью и тепловым экраном 4. Охлаждение экр llld из свер>п!роводящего материала осу!цсcTBляется от основной гелиевой емкости 2 по

3о тепловыч мостам 5, которые выполняют также фу!IKILIIK) опор, крепя!цих экран.

Г1роцесс экрянировяния Ос> щсствлястся следую!Иим Обрязоч. В зяхоложсиноч сo(ТОЯ И И И >I i! Cli IITII;151 IICT< .LI

Обмотку мяп!итнои .истсчы в<)зр;! т

Ч Я ГИ И I.ИО(II().1(. ()Я(< (и Н И Я ii<1!)();I I!T Н»:КР;1!

1. " р;)с ci

5I II II 51 li l1 i< Il POI I X C l(fI l<)T П Х ЗЯ II PC. IC, I I)l M I

20 <.и<"г< >11,!

В ilp(. », lo>!

ГЕЛ11С В<1 51 (. >!К()CТЬ li .

III II И ООЪС ч IIO (. 17 я 1311(Ii ll к) C Обь) и и ы)(! р<13 >1< б)(а()433 °,а:

) « с

Составвитель 3. Горник

Редактор Н. Разумова Техред О. Луговая Корректор Е. Паап

Заказ 3670/44 Тираж 922 Подписное

ЦНИИ ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4 5

Филиал ППП «Патент>к >х Ужгород, ул. Проектная. 1

Щ(НИЕ>а1 ОСНОВНЫХ И ЭКРанИРУК)ЩИХ ООЧОтОК.

Вакуумное жс иростран "IB() крио(:тата увсЛИЧИВа(«ТСЯ, ЧТО ОО(С!1<. IIIHLICT ()(), IB(. ДЛИТС.II>ное сохранение вакуума, т. с. лучшей тси.и>изоляции, при одноч и точ же натскании

I à3à а вакуум для сравниваемых конструкf ций. Жесткость конструкции гелиевого сосуда увеличивается )а счет тепловых мостов и экранов из листового cBppxflpoBoлящего материала, которые образуют коробчатую конструкцию вокруг гелиевого сосуда. В целом эти мероприятия повышают надежность криостата., . « „а(,)5(Зл К

:, а)л Криостат, в корпусе которого размещена

-,...,)а)щи нитная система, экран из сверхпроводя„,, ° 4> ., Ъ и(С!О а! аТСРII fi 1(1, ГСЛ ИСВа H С)!КОС ГI> I l Т>гl I, l<) вой 3I(ра tl, 07.fl(>L(f OLLLLLL1C>L Тс Xi, I I < > < 1. с()kpflllf(. ния О(гьсча гслисвой сч>.осги и !I()вы шеи ия над(. Ж ности и р носта I I. э р(! 1! 113 сверхпроводящего материала разчс>ц«kl между тепловым экраном и ге)иlс в<>и сvlкостью и соеди нси с !>ослсдией тсll71() âi 1>«> è мостами, являющимися ()дноврсмснно и узл;1ми крепления экрана из свсрхироводя!цсго материала.

ff) Источники информации, прииятыс B() внимание цри экспертизе! . Сверхироводящис машины и x«lp<)ii(iва Под ред. С. Фонера и Ь. Шварца.Мир, М., 1977, стр. 298.