Способ изготовления малоинерционных термобатарей

 

Класс 21Ь, 2(„„I

М 72488

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

t

:.т1 l 14 ;11 1

1 ,=-.;; С): «1

А. А. Васильковский

I fIj ".14,, ГГ р

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАЛОИНЕРЦHOHHblX

ТЕРМОБАТАРЕЙ

Заявлено 6 шоня 1946 г. эа т4 346066 в . 1нннстерство элентропромышленностп СССР

Известны способы изготовления малоинерционных термобатарей методом распыления материалов в вакууме.

Относительно большая инерция и малая чувствитеlbHocTb сугцествующих термобатарей обьясняется невозможностью уменьшить массу батарей оез уменьшения механической прочности отдельных термопар.

Описываемый способ, обеспечивающий высокую чувствите IhHocTr. термобатареи при достаточной прочности ее, заключается в том, что на растворимую подкладку, например, из каменной соли методом распыления в вакууме наносятся поочередно слои: одного металла, диэлектрика, другого металла и вновь диэлектрика.

Термопара металл А — металл В может быть заменена парой м"талл — по 7упроводни к.

Такие чередующиеся слои металлов и диэлектрика, каждый в огдельности черезвычайно тонкие и хрупкие, а при большом их числе в термостолбике будут обладать необходимой прочностью при высокой чувствительности.

После того, как термостолбик приобрел необходимую прочност, подкладка, на которую он наносился, удаляется путем ее растворения.

Предмет изо бр етен ия

Способ изготовления малоинерционных термобатарей в виде столбика, составленного из наложенных друг на друга в чередующемся порядке весьма тонких слоев двух различных металлов (и7и металла и. полупроводника} и разделяющего их диэлектрика, наносимых методом распыления материалов в вакууме, отличающийся тем, что слои наносят на подкладку, удаляемую в дальнейшем путем растворения. например на подкладку из каменной соли.

Способ изготовления малоинерционных термобатарей 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии. Сущность: термоэлектрический материал содержит полупроводниковую подложку, полупроводниковую оксидную пленку, образованную на полупроводниковой подложке, и термоэлектрический слой, выполненный на полупроводниковой оксидной пленке. Полупроводниковая оксидная пленка имеет образованное в ней первое наноотверстие, термоэлектрический слой имеет конфигурацию, обеспечивающую возможность наложения множества полупроводниковых наноточек на или над первым наноотверстием с образованием структуры уложенных частиц. По меньшей мере некоторые наноточки из множества полупроводниковых наноточек имеют второе наноотверстие, образованное в ее поверхности, и соединены друг с другом посредством второго наноотверстия с выравниванием ориентации их кристаллов. Термоэлектрический материал получен путем применения этапа окисления полупроводниковой подложки с образованием полупроводниковой оксидной пленки на полупроводниковой подложке; образования первого наноотверстия в полупроводниковой оксидной пленке, и эпитаксиального роста для наложения множества полупроводниковых наноточек, выполненных из полупроводникового материала, на первое наноотверстие. Технический результат: повышение коэффициента термоэлектрического преобразования. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 9 ил.

Группа изобретений относится к получению наночастиц типа сердцевина/оболочка и материалам для термоэлектрического преобразования. Способ получения наночастиц включает генерирование плазмы в растворе, содержащем два типа растворенных солей металлов, с обеспечением высаживания первого металла и второго металла. Сначала генерируют плазму путем приложения первой мощности с обеспечением селективного высаживания упомянутого первого металла, который имеет больший окислительно-восстановительный потенциал, чем упомянутый второй металл, для формирования сердцевин наночастиц. Затем генерируют плазму путем приложения второй мощности, которая больше первой мощности, с обеспечением высаживания упомянутого второго металла, который имеет меньший окислительно-восстановительный потенциал, чем упомянутый первый металл, на поверхности упомянутых сердцевин из первого металла для формирования оболочек наночастиц. Материал для термоэлектрического преобразования получают спеканием наночастиц. Обеспечивается предотвращение испарения легкоиспаряющегося элемента в процессе спекания, а также отсутствие примесей от восстановителя. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 10 ил., 3 табл., 3 пр.
Наверх