Способ изготовления керамических изделий на базе двуокиси титана

 

1Класс 80Ь, 12аа

J% 77972

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

И. Н. Беляев

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСК

НА БАЗЕ ДВУОКИСИ ТИТАН

Заявлено 12 января 1949 года в Комитет по изобретениям и открытиям при Совете Министров СССР за ¹ 390000

Опубликовано 31 декабря 1949 года

893

Двуокись титана, несмотря на высокую диэлектрическую проницаемость — 120 (чем она выгодно отличается от обы гных диэлектриков, применяемых в радиопромышленности), не может быть использована ,для изготовления керамических изделий вследствие высокой температуры спекания.

Предметом изобретения является способ изготовления керамических изделий на базе двуокиси титана посредством добавления к нему таиих компонентов, которые снижали бы температуру спекания с 1800 до

1200 С и ниже.

Таким компонентом является фосфат свинца Pb3 (Р04) g, приготов ленный из,водных растворов дважды перекристаллизованных уксуснокислого свинца и трехзамещенного фосфата аммония;или сплавлением углекислого свинца с монофосфатом аммония.

Известны способы изготовления керамической массы на базе спекающейся при температуре 1300—

1500 двуокиси титана (рутила) того же назначения с другими добавками, обеспечивающими диэлектрические свойства изделия.

Особенность предлагаемого способа заключается в том, что для получения диэлектрической керамики в массу вводится только один добавочный компонент — фосфат свин ца, обеспечивающий как понижение температуры спекания ее до 1100 с обычной для рутила 1800, так и прочность, при сохранении за изделием необходимых диэлектрических свойств.

Рассчитанные количества порошкообразных двуокиси титана и фосфата свинца отвешиваются на весах, тщательно перемешиваются и растираются в агатовой ступке, прессуются в сухом состоянии в таблетки под давлением 250 †5 кг/см и обжигаются в электрической печи при температуре 1100 †12, в зависимости от содержания фосфата свинца. При 15 Д фосфата свинца спекание достигается уже при 1100 .

При уменьшении содержания фосфа та температура спекания возрастает до 1200, при увеличении — снижается до 1000 и ниже, № 77972

594

Предмет изобретения

Способ изготовления керамических изделий на базе двуокиси титана

Отв. редактор М, М. Акишин (рутила), отличающийся тем, что для понижения температуры спекания рутиловой массы в иее добавляют фосфат свинпа.

Редактор Э, Н. Атаян .

Способ изготовления керамических изделий на базе двуокиси титана Способ изготовления керамических изделий на базе двуокиси титана 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к композиционным керамическим материалам, проявляющим диэлектрические свойства и способность поглощения мощности микроволнового излучения

Изобретение относится к области микроволновой техники и может быть использовано в качестве конструктивного элемента микроволновых муфельных печей, используемых для сушки, спекания и плавления различных керамических материалов и металлов, а также синтеза неорганических соединений

Изобретение относится к керамическим однородным суспензиям керамического порошка и способу их приготовления
Изобретение относится к получению изделий, включающих субоксиды фазы Магнели формулы TiOx, где х = 1,55 - 1,95

Изобретение относится к области неорганической химии, в частности к пенокерамическим высокопористым композиционным материалам, которые могут быть использованы в качестве носителей катализаторов, фильтров для нагретого газа, пористых электродов, шумопоглощающих устройств

Изобретение относится к керамической полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления полупроводниковой керамики на основе титаната бария, а также полупроводниковой керамики с позисторным эффектом

Изобретение относится к материалам для электронной техники, которые могут быть использованы для изготовления изделий СВЧ-техники и микроволновой техники
Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектронике, и может быть применено для изготовления приемных и передающих устройств, зондов для диагностики полупроводящих сред, а также для получения сверхтонких пленок для микроэлектротехники

Изобретение относится к созданию материалов на основе титаната бария

Изобретение относится к производству материалов для электронной техники и может быть использовано в технологии производства изделий микроволновой и СВЧ-техники
Наверх