Способ изготовления полупроводниковых диодов

Авторы патента:

Михайловский И.П.

Черепов Е.И.

Корчков В.П.

H01L21/24 - сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой

Способ изготовления полупроводниковых диодов путем нанесения на подложку определенного типа проводимости слоя диэлектрика, формирования в нем окон, создание области противоположного типа проводимости по отношению к подложке и контактов к ней, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров p-n перехода и упрощения способа, формирование окон, создание области базы и контактов осуществляют путем электрического пробоя слоя диэлектрика при напряженности поля 10⁵-10⁷ В/см и плотности тока 10⁶-10⁷ А/см².

Похожие патенты:

Материал для омических контактов // 596097

Припой для контактов к арсениду галлия // 429482

Патент 373794 // 373794

Способ изготовления германиевых планарных р_„_р- транзисторов // 293533

Способ получения р-п переходов // 152033

Способ получения тонкой базы // 133954

Патент 110731 // 110731

Способ изготовления кристаллов для детекторов // 45327

Роевка // 15327

Способ формирования силицидов металлов // 2405228

Изобретение относится к полупроводниковой технологии

Способ создания силицидов металлов // 884481

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках // 884482

Способ создания многослойных проводящих покрытий // 1047333

Способ создания силицидов металлов // 1080675

Способ изготовления выпрямительных элементов // 1082233

Способ изготовления горизонтальных биполярных транзисторов // 1537071

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 1581124

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов на основе кремния

Способ изготовления многослойных кремниевых структур // 1814430

Наверх