Способ оценки индекса паразитной фазовой модуляции в амплитудных модуляторах
л
ИЗОБРЕТЕНИЯ
ОП ИСА-НИЕ
Союз Советских
Социалистических
Республик о >714310
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б1} Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 01;04.77 {21) 2471660/18-21
G 01 Н 29/06 с присоединением заявки bio
Государственны Й иомнтет
С.СС Р ио делам изобретеняй н открытий (23) ПриоритетОпубликовано pS0Z80. Бюллетень 14о 5 (53) УДК 621.317. ,73 {088.8) Датаопубликоваиия описания . 080280
В.Н. Григоренко, С.И. Нятин, Ю.-A.A. Свейката, В.И. Юкнис и Е.- К.М. Янкунас (72) Авторы иаобретения каунасский политехнический институт имени Антанаса Снечкуса (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОЦЕНКИ ИНДЕКСА ПАРАЗИТНОЙ ФАЭОВОЙ
МОДУЛЯЦИИ В АМПЛИТУДНЫХ МОДУЛЯТОРАХ
1::: .:.. 2
Изобретение касается электр@изме: ка и при наличии фаэовой модуляции рителъной техники и может быть приме- .определеннЫх величин, измеряют пРи нено при измерении индекса паразит- помощи иэмеригеля группового времени ной фазовой модуляции в амплитудных $ запаздывания и вычерчивают самописмодуляторах с применением отраженно-.. цем амплитудно-,частотные характерисго сигнала. тики и частотные характеристики групИзвестен способ, заключающийся в пового времени запаздывания амплитудтсм, что анализируемый сигнал глодают ного модулятора, сравнивают их с рас. на вход осциллографа, фотографируют 10 четньваи -и йо совмещенным характерисизображение сигнала с экрана осцил- -тикам группового времени запаэдывалографа через маску, вырезающую толь«ния определяют величину индекса фаэоко центральную часть осциллограммы вой модуляции (2) . вдоль горизонтальной оси, получеииое . Общим нецостаткси укаэанных спосов виде дифракционной решетки изобра- 1е бов является низкое быстродействие. жение облучают когерентньм источникбм Цель изобретения - повышение быстсвета и при псмощи оптического спект- родействия. / рометра определяют интенсивность диф- Для этого на рабочей частоте устаракционных максимумов, по которой вы- навливают минимальное значение коэфчисляют индекс паразитной угловой мо-2О фициента отражения одной из двух отдуляции (1), ражающнх секций модулятора, измеряют
Наиболее близким по технической его и по полученному результату оценисущности к предложенному является вают индекс фазовой модуляции. способ, заключающийся в тсм, что вы- На фиг. 1 изображена функциональбирают фильтр в качестве эталонного 2с ная схема амплитудного модулятора с четырехполюсника, рассчитывают на ЭВМ использованием отраженного сигнала; семьи амплитудно-частотных характерис- на фиг. 2 — вид изменения модуля тик и частотных характеристик. группо- коэффициента отражения от управляемового времени запаздывания при разных ro модулирующим напряжением активнопараметрах эталонного четырехполюсми- го сопротивления диода и частоты.
714310
При осуществлений амплитудной модуляции измерение фазового угла ксмплексного коэффициента отражения 0C g„, а
g< = arcing (-26) f. (1 - g> — b ), вызывает фазовую модуляцию. При этом индекс фазовой модуляции ф равен
1- г- Ф„?
4 где Ч,,? Ч?- — фазовые углы коэффициента отражения при модулируемых сопротивлениях, соответствующих модулям ? и Г," соответственно.
Предлагаемый способ опирается на экспериментально рассчитанную зависимость
IK к4гмин ?
r= D - и Р 4д)г1(+ 1 " З) где где
Фориула изобретения
Способ оценки индекса паразитной фазовой модуляции в амплитудных модуляторах, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, устанавливают на рабочей частоте минимальное значение модуля коэффициента отражения одной из двух отражающих секций модулятора, измеряют его и по полученнсму результату оценивают индекс фазовой модуляции.
Источники информации, принятые Во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СССР
Р 342140, М., кл. G 01 R 29/06, СССР.
2. Радиоэлектроника. Тезисы, Каунас, f974, с. 168.
/
Амплитудные модуляторы с примененйИа бтраженного сигйала содержат мост 1, разделяющий падакщие и отраженные волны. К двум выходам его подключены идентичные отражающие секции
2 и 3. Эквивалентная схема отражающей секции (OC), с применением в качестве уй1?авляющих элементов коммутирующих диодов, состоит из подстроеч-. ной емкости С.?, конструктивной емкости диода С?, индуктивности вводов и держателя диода L< и результирующих емкостей и сопротивлений переходов диода, соответственно С> и R<. В ксжмутирующих диодах величина R зависит -от приложенного модулирующего напряжения, то есть R, = f(UO) . Работу амплитудного модулятора характеризует модуль комплексного коэффици ента отражения OC
g Ь вЂ” соответственно, активная и реактивная составляющие ксиплексной проводи- у5 мости ОС:
Д 1 о
Ъ
t P (R„jp) (-q ) +?
35 линии передачи;
g =ц?/ц? — обобщенная угловая частоо та; / 3 / .4 3 40
Глубину амплитудной модуляции щ определяет величина изменения модуля комплексного коэффициента отражения
: ОС ЬГ по отношению его начального значения fz при управлении модулирую- 45 щим напряжением активного сопротивле-. ния R (рис. 2) то есть
Г„„„- минимальное значение модуля комплексйого коэффициента отражения ОС модулятора на рабочей частоте в зависимости от модулируемого сопротивления управляющего элемента (фиг. 2 точка A)
К вЂ” коэффициент пропорциональности, зависящий от глубины амплитудной модуляции.
714310
Закаэ 9279/42
Тираж 1019 Подпис ное
ЦНИИПЙ Росударственного комитета СССР по делам изобретений и откРытий
113035, Москва, Ж-35, Рау жкая наб., д. 4/5
Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Составитель A. Беляев
Редактор В,,Сапирштейн Техред О.Айдрейко КоРРектоР Е. Капп
