Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур
Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур, включающий создание коллектора, базы, травление в маскирующем диэлектрике эмиттерных окон, осаждение легированной поликристаллической пленки кремния, формирование из пленки мезы, внахлест маскирующей эмиттерное окно, создание эмиттерного p-n-перехода, формирование внутрисхемной разводки, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости характеристик транзисторных структур и увеличения процента выхода годных, перед осаждением легированной поликристаллической пленки кремния в эмиттерных окнах проводят предварительное подлегирование примесью того же типа проводимости, что и пленки поликристаллического кремния.
Похожие патенты:
Изобретение относится к электронике, преимущественно к технологии изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей
Геттер для уменьшения уровня шумов // 668502
Патент 400931 // 400931
Патеитно- техническая10киблиотека // 232392
Фотомишень видикона // 218214
Способ изготовления тиристоров // 2106038
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия
Способ изготовления магнитодиода // 2304322
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д
Способ изготовления диодов шоттки // 818372