Устройство для регистрации оптической информации

 

т патен „

О П И "" -Я --Е

Союз Советскик

Социалистических

Республик

< 746958

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К, АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 11.12.78 (21) 2703126/18-25 (51)М. Кл. (осударотвенный комитет

СССР

Н 04 М 5/84 с присоединением заявки ¹ (23)ПриоритетОпубликовано 07.07.80.Бюллетень № 25 ио делам изобретений и открытий (53) УДК 621.397..7 (088. 8) Дата опубликования описания 07.07.80.!

И. A. Паньшин, Е. A. Подпалый, Т. С. Кули-Заде, В. Б. Малкин и В. Г. Фадин (72) Авторы изобретения

Московский ордена Ленина и ордена Трудового Красного

Энамени институт инженеров железнодорожного транспорта (7!) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ

ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ

Изобретение относится к иэмерителт ной технике и может быть использовано для измерения параметров излучения оп тических квантовых генераторов и магния ного фотографирования.

Известно устройство для записи и хра5 нения оптической информации, состоящее иэ подложки, на которую последовательно нанесены магнитный регистрирующий слой, . электрод, слой фотопроводника и прозрачньтй электрод Я. Магнитный регист рирующий спой представляет ферромагнит ную пленку. Информация считывается магнитно-оптически через подложку.

Недостатком этого устройства является невозможность применения дифракци.- онного способа визуализации записанного оптического изображения с помощью магнитного коллон да.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство для регистрации оптической информации, содержащее тонкую магнитную пленку с полосовой структурой, покрытую со

2 стороны воспроизводимого изображения магнитным коллоидом с прозрачным покрытием, и полупроводниковый преобразователь (2).

Недостатком такого устройства является низкая разрешающая способность вследствие диффузионного характера движения носителей заряда в фотопроводящем слое и наличие значительных искажений при записи оптической информации, связанных с неоднородностьто электрофизических и фотоэлектрических свойств фотопроводящих слоев

Цель изобретения — повышение разрешающей способности и уменьшение .искажений при записи оптической информации.

Поставленная цель достигается тем, что полупроводниковый преобразователь выполнен в виКе низкоомной монокристаллической полупроводниковой подложки,на одну сторону которой нанесен периферийный кольцевой омический контакт, а HB другую сторону последовательно нанесены высокоомный эпитаксиальный полупроводниковый

746958 с"

3 слой с: тем же типом проводимости, что и подложка, диэлектрический слой с отверстиями, в которых располагаются промежуточные металлические электроды, образующие барьер Шоттки с:эпитак-, 5 .сиальным слоем, и резистивный слой.

На чертеже прецставлена схема устройства для регистрации оптчческой ин формации.

Устройство состоит из ни,зкоомной мо- щ нокристаллической полупровоцниковой поцложки 1 (электрода), на одйу сторону ко торой нанесен периферийный кольцевой омический контакт 2, а на другую сторону послецовательно нанесены высокоомный 15

Эпитаксиальный полупроводниковый слой

3 с тем же типом проводимости, что и

- noano>ma, диэлектрический слой 4 с отверстиями, в которых располагаются промежуточные металлические электроды 5, об- ц раэующие барьер Шоттки с эпитаксиальным слоем 3, резистивный слой 6, магнитная пленка 7 страйп-доменного типа, служа"щая одновременно вторым электродом, и магнитный коллоиц, закрытый стеклом 8. 2s

На электропы поцается импульс напря жения прямоугольной формы и одновременно с ним световой импульс. Регистрируемое излучение, пройдя через слои 2 и 3, увеличивает обратный ток барьера Шоттки 3о в месте засветки в соответствии с интенсивностью излучения. Основная доля. тепловой энергии выделяется в резиСтивном слое 6 и передается путем теплопроводности магнитному регистрирующему слою

7; в "нагретых участках которого уменьша-

=ется магнйтное трение и страйп-структу-.ра релаксирует к новому равновесному состоянию, т. е. происходит поворот страй- . пов на угол, пропорциональный количеству 40 выцелившейся в высокоомном резистивном "слое тепловой энергий.

В устройстве достигнута высокая раз-. решающая способность, так как использование в качестве полупроводникового пре- 45 образователя эпитаксиальной структуры с барьером Шоттки с нанесенным на --..." нее реэистивным слоем и выполнение токопровоцящего слоя в виде отдельных промежуточных металлических эпектродов приводит к уменьшению растекания"йоси- " телей заряда в полупровоцнике вследствие црейфового характера их цвижения в эпитаксиальном слое, уменьшению растекания ф тепла в полупроводнике и растекания но- . сителей заряда в металлическом электроде, Кроме того, устройство обладает минимальными искажениями при записи оптической информации, поскольку эпитаксиальный слой, выращенный на монокристаллической полупровоцниковой подложке, имеет высокую однородность электрофизичес- ких и фотоэлектрических свойств, Предлагаемое устройство используется для анализа структуры излучения импульсных оптических квантовых генераторов и магнитного фотографирования.

Формула иэоб ретения

Устройство для регистрации оптической информации, содержащее тонкую магнитную пленку с полосовой структурой, покрытую со стороны воспроизводимого изображения магнитным коллоидом, с прозрачным покрытием, и полупроводниковый преобразователь,, отличающееся тем, что, с целью повйшения разрешающей способности и уменьшения искажений при эа писи оптической информации, полупроводниковый преобразователь выполнен в виде низкоомной монокристаллической полупроводниковой подложки, на одну сторону. которой нанесен периферийный кольцевой омический контакт, а на другую сторону последовательно нанесены высокоомный эпитаксиальный полупроводниковый слой с тем же типом провоцимости, что и подложка, циэлектрический слой с отвер-. стиями, в которых располагаются промежуточные металлические электроцы, образующие барьер Шоттки с эпитаксиальным слоем, и резистивный слой.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. J.Р Kr игпще,Н.Неitma, О.ИоМЮВа. с пй К.Ч60ф6 "ИОР8;с, 1пофнс0о".орМсрИо° "

1осо дие1о 1 Sen6 wiCh Уог opticaЙнКо чтимМон1 Storage "J.AppE Р1 и 1977, 48.1 р. 366 368.

2. Авторское свидетельство СССР

М 298370,.кл. Н 04 N 5/84, 1969 (прототип).

746958

Подписное

Заказ 3976/54 Тираж 729

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул..Проектная, 4

Сосатавитель В. Манагоров

Редактор Н. Стрельникова Texperi Я.Петко Корректор В. сутяга