Способ формирования тензорезисто-pob

 

ОПИСАНИЕ

ИЗ Б,, <щ804718

Союз. Советских

Социалистических

Республик

М АВТ©МИОМА 4ЗИ ВТВИЬСТВМ (63) Дополнительное и аэт. саид-ву (22) Заявлено 070778 (23) 2640442/18-21 Ф}М 4Л с присоединением заявки N9

С 23 С 13/ОО

Н 01 В 5/14

Государстаеавый комитет

СССР во дедам изобретений

ll ©тар @тай (23) Приоритет

Опубликовано 1562S1, бюллетень ЙЯ б

Дата опубликования описания 1502S1 ($$} УДЫ б 21 ° 395 ° б (088. 8) (72) Авторы изобретения

В.A,Ýåëåèöîý и В.В.Бабаков (71) 3аявитель (54) СПОСОБ ФОРИИРОВГ.НИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано как при разработке и изготовлении тонкоппеночных малога баритных первичных преобразователей физических величин повышенной точнос ти, так и при изготовлении тонкопленочным микросхем.

Известен способ изготовления тонкопленочной интегральной схемы, предусматривающий нанесение тонкой пленки матереала,обладающего высокимй адгезионными свойствами к материалу подложки. затем на подложку наносят тонкую пленку материала, имеющего слабые адгезионные свойства по отношению к материапу подложки. Третья плевка, которая наносится на подлож» ку, обладает слабыми адгезионныьж свойствами по отношению к подложке _#_ с двумя ранее нанесенными слоями, но имеет хорошую адгезию по отнсиаению к материалу второго слоя. При нанесении четвертого слоя используется материал, аналогичный материалу первого слоя. Используя ультразвуковые колебания, создающие напряжения в третьем и четвертом слоях тонкопленочного покрытия, частично отслаивают и отшелушивают третий и четвер- ЗО

2 тый слои, в результате чего на топологическом рисунке, образованном первым н вторым тонкопленочными слоями, поп чают еще два топологических слоя (1 ), Однако этот способ не обеспечивает получение резисторов с высокой точностью, кроме того, операция ультразвуковой обработки создает напря женин в резиативном и проводящем слоях, которые являются причиной нестабильности резистивных тонкопленочных элементов.

Наиболее близким по технической сущности к предложенному являетая способ формирования тензорезиа1оров, включающий нанесение на металличес кую подложку с изолирующим слоем резистивиой пленки, создание конфигурации элементов схемы методом фотолитографии, нанесение слоя проводящего материала (2 1.

Недостатком способа является то, что при формировании резистивных элементов тонкопленочной схемы изоляционный алой должен обладать высокими адгезионными свойствами к материалу резиативной пленки, так как он входит в качестве подалоя материала токопроводящей пленки.

804718

Это приводит к тому, что при селективном травлении материала изоляционного слоя и его удалении с участков схемы, где располагаются резистивныв элементы,-не удается полностью удалить с резисторов материал изоляци- онного слоя и получить номиналы ре.зисторов с высокой точностью и acicпроизводимостью.

Цель изобретения - повышенйе точности номиналов сбпротивления тенэорезисторов и их воспроизводимости.

В спосрбе формирования тензорезисторов, включающем нанесение на металлическую подложку с изолирующим слоем резистивной пленки, создание конфигурауии элементов схемы методом фотолитографии, нанесение слоя про водящего материала, после нанесения реэистивной пленки наносят пленку материала, имеющего слабые адгезионные свойства с реэистивным и изолирую-20 щим слоями, а перед нанесением слоя проводящего материала наносят подслой иэ материала, имеющего хорошие адгезионные свойства с материалом реэистивного слоя, на слое проводящего материала формируют маску, после чего удаляют пленку, имеющую слабые адгезионные свойства.

На чертеже изображена схема формирования тензорезисторов. 30

На металлическую подложку 1 с изолирующим слоем 2 напыляется тонкая пленка тенэорезистивного материала 3. В качестве последнего используется сплав-нихром Х 20 Н 80. После проведения фотолитографии создается фоторезистивная защитная маска, через которую травлением формируется конфигурация элементов схемы»теизорезисторов и участки под контакты и токопроводящие дорожки. После проведения 40 межоперационной химической обработки на подложку напыляется тонкая технологическая пленка 4 и методом фотолитографии создаются участки под контакты и токоведущие дорожки с последука1им удалением в травителе материала технологического слоя в открытых местах. В качестве материалов технологического слоя применялись тонкие пленки алюминия и меди толщиной

$0

0,08- 0,1 мкм. После межоперационной обработки на подложку напыляется слой проводящего материала 5 с подслоем 6. В качестве материала токопроводящего слоя используется золото,. а Материала подслоя - хром. Затем с помощью фоторезистивной маски формируется конфигурация контактных площадок и токопроводящих дорожек, и раздельным травлением удаляются незащищенные участки золота и хрома . до появления технологического слоя меди илн алюминия. Последующим удалением материала технологического слоя открываются участки схемы, обладающие электрическим сопротивлением.

При использовании предлагаемого способа изготовления тензорезисто" ров отсутствует "загрязнение" материала резистивной пленки материалом подслоя, обладающим высокой степенью адгезии к резистивному материалу, повышается точность получения номинала сопротивления и уменьшается разброс резисторов внутри схема, можно изготовлять тензоризистивные схемы без использования подгонки ре- зисторов, а также исключается воздействие травителей на изолирующий слой подложки в местах расположения элементов теиэорезистивиой схемы.

Формула изобретения

Способ формирования теиэореэисторов, включающий нанесение на металлическую подложку с изолирующим слоем резистивной пленки, создание конфигурации элементов схемы методом фотолитографии, нанесение слоя проводящего материала, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения точности номиналов сопротивления

1теизореэисторов и их воспроиэводимости, после нанесения резистивной пленки наносят пленку материала, имеющего слабые адгезионные свойства с резистивным и изолирующим слоями, а перед нанесением слоя проводящего материала наносят подслой иэ материала, имеющего хорошие адгеэиоиные свойства с материалом реэистивиого слоя, на слое проводящего материала формируют маску, после чего удаляют пленку, имеющую слабые адгеэионные свойства.

Источники информации, принятые во вникание при экспертизе

1. Патент Японии Р 50-8179, кл, Н 05 K 3/02, 1975.

2. Патент США Р 3423260, кл. 156-3, 1969 (прототип).

804718

Составитель Л. Беспалова

Техред Т. Маточка Корректор М. Демчик

Редактор П.Коссей

Заказ 10824/42 Тираж 1059 Подпис ное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, И-.35, Ра явская наб., д. 4/5 т

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4