Тигель для выращивания монокристаллов
Тигель для выращивания монокристаллов, содержащий сосуд для подпитывающего материала с отверстием в дне, установленный в верхней части тигля, и поплавок, снабженный направляющим стержнем, расположенным в отверстии сосуда, отличающийся тем, что, с целью предотвращения проливания подпитывающего расплава при приготовлении исходного раствор-расплава, поплавок снабжен тарелкой, закрепленной на направляющем стержне и размещенной в сосуде для подпитывающего материала.
Похожие патенты:
В. и. ульянова // 185492
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано в конструкции плавильного устройства для выращивания кристаллов из расплава, преимущественно кремния
Изобретение относится к устройству для выращивания кристаллов и способу выращивания кристаллов
Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции
Изобретение относится к технологии получения кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например кремния, для полупроводниковой промышленности методом Чохральского
Устройство для непрерывного группового выращивания ориентированных слоев кремния на углеродной ткани // 2258772
Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей)
Способ подготовки тигля для выращивания монокристаллического слитка кремния по методу чохральского // 2286407
Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов
Резервуар для приема расплавленного кремния или для плавления кремния и способ его изготовления // 2303663
Изобретение относится к созданию резервуара для хранения расплавленного кремния и способа его изготовления
Изобретение относится к области выращивания оптических кристаллов, предназначенных для применения в оптоэлектронных приборах
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, преимущественно, при получении кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского