Способ контроля совмещаемости фотошаблона

 

ОП ИСАЙ ИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических реслублин (ii 819856 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 29.05.79 (21) 2773675/18-2! (51) М. Кл.

Н 01 L21/00 с присоединением заявки №вЂ”

Гееударстеенный кемитет

СССР (23) Приоритет— (53) УДК 621.382.

002(088 8) Опубликовано 07.04.81. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 17.04.81 ло делам изобретений и еткрытий

П. Н. Богатов, В. Н. Борщев, Ю. М. Спалек и А. И. Черепков (T2) Авторы изобретения (71 ) 3 ая в и тел ь (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ СОВМЕЩАЕМОСТИ

ФОТО ШАБЛОНОВ

Изобретение относится к микроэлектронике, преимущественно к производству интегральных микросхем, и может быть использовано при контроле совмещаемости комплекта фотошаблонов гибридных интегральных схем, больших гибридных ин- 5 тегральных схем, полупроводниковых интегральных схем, а также фотошаблонов печатных плат.

Известен способ контроля .совмещаемости фотошаблонов методом контрольной фотолитографии на полупроводниковых пластинах (1). Сущность его заключается в следующем: на полупроводниковую пластину делают произвольную пропечатку 1-го фотошаблона из,комплекта. Затем на установке совмещения делают пропечатку второго д фотошаблона, совмещая его с первым. Таким образом, для комплекта из Й фотошаблонов избирается 8-1 полупроводниковых пластин со следами двойных совмешенных пропечаток. По отклонениям размеров зазоров между совмещаемыми элементами судят с точности совмещения каждой пары фотошаблонов в технологической последовательности, т.е. первый с вторым, второй с третьим и т.д. Такой способ является дорогим и трудоемким.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ контроля совмещаемости фотошаблонов, включающий последовательное проецирование изображений фотошаблонов на экран, ориентирование этих изображений относительно базовых меток на экране, совмещение изображений фотошаблонов между собой и оценку совмещаемости фотошаблонов (2).

Цель изобретения — снижение трудоемкости контроля комплекта фотошаблонов.

Достигается это благодаря тому, что в способе контроля совмещаемости фотошаблонов, включающем последовательное проецирование изображений фотошаблонов на экран, ориентирование этих изображений относительно базовых меток на экране, совмещение изображений фотошаблонов между собой и оценку совмещаемости фотошаблонов, проецирование изображений всех фотошаблонов на экран производят через один и тот же оптический канал, а совмещение изображений фотошаблонов между собой производят путем после819856 довательного перемещения их относительно оси оптического канала с частотой стробоскопирования.

На чертеже схематично представлено устройство для реализации предлагаемого способа контроля совмещаемости изображений фотошаблонов.

Устройство состоит из диска 1 с закрепленными на нем фотошаблонами 2, экрана

3, оптического канала, состоящего из импульсного осветителя 4, коллиматора 5, объектива 6, системы синхронизации, состоя10 щей из осветителя 4, датчика 7, фотоэлектрического датчика 8 и блока синхронизации 9.

Пример. На диске 1 закрепля.от любое количество фотошаблонов 2, предварительно совместив их по реперным знакам 10, с базовыми метками 11 на экране 3. Затем диск 1 приводят во вращательное движение.

В момент введения фотошаблона 2 в оптический канал (4, 5, 6) при совпадении реперных знаков 10 фотошаблона 2 с базовыми метками на экране 3 синхронизированно, посредством системы синхронизации, включают импульсную лампу 4, которая проецирует через объектив 6 изображение фотошаблона 2 на экран 3. Аналогично вводятся и проекцируются изображения остальных фотошаблонов, причем частота прохождения фотошаблонов через оптический канал составляет не менее 10 Гц.

Благодаря некоторой длительности зрительного впечатления, каждое последующее изображение будет накладываться на пре- зо дыдущее (стробоскопический эффект), и на экране 3 будет видно совмещенное изображение 12 всего комплекта фотошаблонов.

На экране визуально или с помощью специальных устройств, управляемых от ЭВМ, проводят оценку совмещаемости комплекта фото шаблонов.

Использование предлагаемого способа контроля совмещаемости изображений фотошаблонов, благодаря введению в один оптический канал любого количества фотошаблонов с частотой не менее 10 Гц, по сравнению с существующими способами снижает трудоемкость контроля совмещаемости. фотошаблонов; повышает точность контроля и позволяет контролировать одновременно любое количество фотошаблонов или заданное число слоев, что значительно повышает качество и сокращает сроки изготовления прецизионных фотошаблонов для производства ИС.

Формула изобретения

Способ контроля совмещаемости фотошаблонов на экран, ориентирование этих изображений относительно базовых меток на экране, совмещение изображений фотошаблонов между собой и оценку совмещаемости фотошаблонов, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля комплекта фотошаблонов, проецирование изображений всех фотошаблонов на экран производят через один и тот же оптический канал, а совмещение изображений фотошаблонов между собой проводят путем последовательного перемещения их относительно оптического канала с частотой стробоскопирования.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, «Введение в фотолитографию» под редакцией В.. П. Лаврищева. — М., «Энергия», с. 106, 1977.

2. «Введение в фотолитографию» под ред. В. П. Лаврищева. — М., «Энергия», с. 107, 1977 (прототип).

819856

Составитель Л. Беспалова

Редак ор Е. Гончар Техред А. Бойкас Коллектор Л. Иван

Заказ 1291 30а Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий! 13035, Москва, )K — 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП <Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ контроля совмещаемости фотошаблона Способ контроля совмещаемости фотошаблона Способ контроля совмещаемости фотошаблона 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, и может быть реализовано при изготовлении полевых транзисторов преимущественно на арсениде галлия и интегральных схем субнаносекундного диапазона и СВЧ-транзисторов

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх