Дата опубликования описания 150581 (53) УДК 681. 327. . 66 (088. 8) A,Ã. Жучков, 10.В. Коростелев, B.Ä. Мочалов, П.И. Набокин и Т.Г. Шмелева (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

/-" .." -=...-, : 7.) (54) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В ОПЕРАТИВНОЕ" ° . -:;: /

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО HA ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ :-,:-,.-. (/

МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ -,-: " /

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

На фиг. 1 показана последовательность операций при записи информации; на фиг. 2 вЂ” размещение информации в ячейках памяти ОЗУ; на фиг, 25 3 вЂ” запись одного или двух ЦМД в ячейку памяти ОЗУ (на примере

Г-образной ферромагнитной аппликации.

Способ осуществляется следующим

30 образом.

Известен способ записи информации в запоминающие устройства (ЗУ) на ЦМД, основанный ha генерации

ЦМД в локальном участке магнитоодноосной пленки и их последующей передаче в регистры хранения информации на ферромагнитных аппликациях (1) .

Недостатком этого способа являет-. ся малое быстродействие.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению явля- ется способ записи информации в ЗУ на ЦМД, основанный на одновременном воздействии на ферромагнитные аппликации, расположенные на магнитоодноосной пленке, магнитным полем смещения и планарным магнитным полем управления (2).

Недостатком данного способа запи си информации является возможность самопроизвольного зарожденья ЦМД, что усложняет запись информации.

Цель изобретения вЂ” упрощение.спосо6а записи информации в оперативное, ЗУ (ОЗУ) на ЦМД.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу записи информации в ОЗУ, основанному на подаче импульсов тока в ортогональные шины ОЗУ, намагничивают магнито10 одноосную пленку до насыщения магнитным полем смещения, направленным перпендикулярно ее поверхности, прикладывают планарное магнитное поле и намагничивают до насыщения ферромагнитные аппликации, снижают магнитное поле смещения до величины, соответствующей существованию в магнитоодноосной пленке устойчивых

ЦМД, и снимают планарное магнитное поле.

830564

Магнитоодноосная пленка 1 с расположенной на ней ферромагнитной аппликацией 2 (фиг. la) помещается в магнитное поле 3 смещения, направленное перпендикулярно поверхности пленки 1. Величина поля 3 смещения такова, что пленка 1 намагничена до насыщения, После этого к пленке 1 с аппликацией 2 (фиг °

lб) прикладывают планарное магнитное поле 4 и намагничивают аппликацию 2 до насыщения, после чего уменьшают поле 3 смещения до величины поддержания стабильных ЦМД, При этом вертикальная компонента поля рассеивания аппликации 2 зарождает ЦМД 5, поскольку направление этой компо- 15 кенты противоположно полю 3 смещения. Если убрать планарное поле 4 (фиг. lв), то под аппликацией 2 сохраняется стабильность ЦМД 5.

При воздействии описанной после- Щ довательности операций на матрицу ячеек памяти (фиг. 2), в которых пермаллоевые аппликации 2 выполнены

Г-образной формы, в перекрестии ортогональных шин ОЗУ 6 и 7, в каждой ячейке памяти возникает ЦМД, Если планарное поле 4 направлено так, как показано на фиг, 3 а, то на обоих концах аппликации 2 возникает одинаковая максимально возможная плотность потока рассеивания, что приводит .к воэможности зарождения двух ЦМД 5, а направление планарного поля 4, показанное на фиг.3б, в, создает только одно место в аппликации 2, в котором зарождается

ЦМД.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет достаточно просто с помощью всего лишь двух источников магнитного поля (например, в виде токопроводящих катушек) записать информацию в ОЭУ, т.е. одновременно зародить ЦМД во всех ячейках матриЦЫ

Формула изобретения

Способ записи информации в оперативное,запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах, основанный на подаче импульсов тока в ортогональные шины оперативного запоминающего устройства, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью упрощения способа записи информации, намагничивают магнитоодноосную пленку до насыщения магнитным полем смещения, направленным перпендикулярно ее поверхности, прикладывают планарное магнитное поле и намагничивают до насыщения ферромагнитные аппликации, снижают магнитное поле смещения до величины, соответствующей существованию в магнитоодноосной пленке устойчивых цилиндрических магнитных доменов, и снимают планарное магнитное поле.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Патент США М 3591999,кл,340-174, опублик. 1973.

2.IEEE Trans,Nagn., V.12; Р 4, 1976, р, 346 (прототип) .

830564

Fur.Ç

Составитель Ю. Розенталь

Редактор М. Циткина Техред E.Гаврилешко Корректор H. Стец ж

Заказ 2897 32

Тираж 645 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раущскаи наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4