Устройство для измерения удельногосопротивления по сопротивлению pacte-кания

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к ввт. сеид-ву— (22) Заявлено 040179 (21) 2705617/18-21 с присоединением заявки Й9(23) Приоритет—

Опубликовано 15.07.81.Бюллетень Ì9 26

Дата опубликования описания 1507.81 (Я)М. КЛ

Н 01 Ь 21/00

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК 621. 385. ,002. 54 (088. 8) (72) Авторы изобретения

П.И.Кутовый,Е.A.Âoëêoâ,Í.È.Ñìåíîâ и Ю.Н.Б ри (71) Заявитель (54) УCTPOACTBO ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ УДЕЛЬНОГО

СОПРОТИВЛЕНИЯ ПО СОПРОТИВЛЕНИЮ

РАСТЕКАНИЯ

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля распределения легирующей примеси по поверхности и глубине полупроводниковых структур.

Наиболее близким к предлагаемому является устройство для измерения, содержащее держатель зондовых голо - вок, механизм перемещения зондов, микроскоп и предметный столик с механизмом юстировки (1).

Однако известное устройство не обеспечивает высокой точности измерения.

Пель изобретения — повышение точности измерения.

Укаэанная цель достигается тем, что в устройстве для измерения удельного сопротивления по сопротивлению растекания, преимущественно для изме- 2О рения профиля распределения удель-: ного сопротивления по сферическому или цилиндрическому шлифу полупроводниковых структур, содержащем держатель головки, механизм перемещения зондов, микроскоп и предметный столик с механизмоМ юстировки, последний снабжен вогнутой цилиндрической опорой с подвижно установленным на нем выпуклым цилиндрическим i ЗО сегментом, с возможностью угловых перемещений перпендикулярно плоскости, проходящей через точки контактирования зондов со сферической или цилиндрической поверхностью шлифа измеряемой, структуры и совмещенной с оптической осью микроскопа.

На чертеже схематически изображено устройство для измерения удельного сопротивления, общий вид.

Измерительный зонд 1 закреплен в держателе зондовой головки 2, шарнирно установленной на механизме 3 пере- мещения зонда. Образец 4 со сферичес.ким или цилиндрическим шлифом 5 установлен на.площадке клинообразного компенсатора б, имеющего возможность перемещаться по наклонной направляющей выпуклого цилиндрического сегмента 7,опирающегося на вогнутую цилиндрическую поверхность опры 8, установленной на основанги 9 предметного столика. Перемещения компенсатора б, сегмента 7, опоры 8 осуществляются соответственно посредством приводов

10, 11, 12. Над зондом установлен микроскоп 13, имеющий в поле зрения перекрестке.

Снятие профиля распределения удельного сопротивления по глубине полупро847403

Формул а изобретения

ВНИИПИ Заказ 5512/80 Тирам 784 Подписное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 водниковой пластины производится следующим образом.

Площадка клинообразного компенсатора б высталяется в горизонтальное положение. На площадку устанавливают образец 4 со шлифом 5. Приводами 10, 11, 12 регулируется положение рабочей поверхности столика до совмещения центра симметрии шлифа в плане с оптической осью микроскопа 13 (центром перекрестия) и установки изображения низшей точки шлифа, с которой контак- ( тирует зонд, на максимальную резкость, при этом обеспечивается совмещение центра сферической или оси цилиндрической поверхности шлифа с геометрической поверхности выпуклого сегмен- 5 та 7.

Использование предлагаемой установки для измерения удельного сопротивления по сопротивлению растекания обеспечивает по сравнению с известны- щ( ми установками по данным метрологоческих исследований повышение точности измерений.

Погрешность измерения составляет

+ ЗОВ при доверительной вероятности

5,95 при нагрузке на зонд 4 r (для сверхтонких слоев) °

Устройство для измерения удельного сопротивления по сопротивлению растекания, преимущественно для измерения профиля распределения удельного сопротивления по сферическому или цилиндрическому шлифу полупроводниковых структур, содержащее держатель зондовых головок, механизм перемещения зондов, микроскоп и предметный столик с механизмом юстировки, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышения точности измерения, механизм юстировки снабжен вогнутой цилиндрической опорой с подвижно установленным на нем выпуклым цилиндрическим сегментом с возможностью угловых перемещений перпендикулярно плоскости, проходящей через точки контактирования зондов со сферической или цилиндрической поверхностью шлифа измеряемой структуры и совмещенной с оптической осью микроскопа.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Инструментальный микроскоп

VEB CarI 3eiss JENA.ÎïèñàHHå конструкции, 1975.

Устройство для измерения удельногосопротивления по сопротивлению pacte-кания Устройство для измерения удельногосопротивления по сопротивлению pacte-кания 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к технологии получения фоторезисторов, и может быть использовано в оптоэлектронике, автоматике, вычислительной технике

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх