Генератор радиоимпульсов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Й АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскиз

Соцнвпнстнч есина

Республик

«iiS60273 (61) Дополнительное к авт. свид-ву

{22) Заявлено 23, 01. 78 (21) 2572469/18-09 (511М. К . с присоединением заявки Ì9

Н 03 В 9/14

Государственный номнтет

СССР но делам нзебретеннй н открытнй (23) Приоритет

Опубликовано 300881, Бюллетень Йо 32 (53) УДК 621. 373 (088.8) Дата опубликования описания 30. 08. 81 (72) Авторы изобретения

A,В. Андриянов и В.С. Сюваткин (71) Заявитель

Горьковский политехнический инстит им. А.A. Жданова (54 ) ГЕИЕРАТОР РАЦИ01ЯЧПУЛЬСОВ

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в радиоаппаратуре для получения радиоимпульсов наносекундной длительности.

Известен генератор радиоимпульcos, содержащий коаксиальный резонатор, в разрыве центрального проводника которого установлены включенный у торцовой стенки диод Ганна и полупроводниковый диод, подключенный к источнику постоянного напряжения, конденсатор и источник импульс.ного напряжения (1 .

Однако известный генератор не обеспечивает получение радиоимпульсов 1> наносекундной длительности иэ-эа большого времени установления фронта радиоимпульса, вызванного переходными процессами.

Цель изобретения - уменьшение 20 фронта радиоимпулъса.

Для этого в генераторе радиоимпульсов, содержащем коаксиальный резонатор, в разрыве центрального проводника которого установлены включен- 2 ный у торцовой стенки диод, Ганна, конденсатор и полупроводниковый диод, подключенный катодом к положительному полюсу источника импульсного напряжения и отрицательному полюсу ис-i 30 точника постоянного напряжения и через конденсатор с диодом Ганна.

На чертеже приведена конструкция генератора.

Генератор радиоимпульсов содержит коаксиальный резонатор 1 с центральным проводником 2 и поршнем 3, диод

Ганна 4, конденсатор 5, полупроводниковый диод 6, источник 7 постоянно го напряжения и источник 8 нмпульсно го напряжения.

Генератор радиоимпульсов работает следующим образом.

Конденсатор 5 защищает диод 4

Ганна от попадания на него постоянного напряжения от источника 7 и обеспечивает воэможность прохождения на диод Ганна 4 сигналов от источника 8.

В исходном состоянии при пропускании напряжения через полупроводниковый диод 6 в прямом направлении от источника 7 в базе полупроводникового диода 6 накапливаются неосновные носители. При подаче импульса обратной полярности от источника 8 полупроводниковый диод б остается открытым в течение времени рассасыва-. ния неосновных носителей в базе полупроводникового диода б и шунтйрует

8б0273

Формула изобретения

ВНИИПИ Заказ 7571/84 Тираж 988 Подписное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

r диод Ганна 4. После рассасывания неосновных носителей полупроводниковый диод б резко восстанавливает свое сопротивление до значения, соответствующего запертому состоянию. Вследствие этого в коаксиальном резонаторе 1 возникает резкий перепад напря" жения, дающий широкий спектр частот достаточно большой амплитуды, и начинаются колебания на частоте настрой,ки коаксиального резонатора 1.

При подаче модулирующего импульса от источника 8 одновременно с нарастанием напряжения на полупроводниковом диоде б возрастает напряжение на диоде Ганна 4, и он переходит в режим генерации.на пролетной частоте.

Диод Ганна 4 эффективно работает в режиме гашения доменов. С целью облегчения перехода в режим гашения доменов под воздействием поля коаксиального резонатора 1 диод Ганна 4 помещен на торцовой стенке коаксиального резонатора 1 в области пучности тока. Наличие в коаксиальном резона торе 1 дополнительного СВЧ поля,возникающего в результате ударного возбуждения, созданного полупроводниковым диодом б, способствует ускоренному переходу диода Ганна 4 иэ пролетного режима в режим гашения, в резулbraze чего длительность переходных процессов установления колебаний, определяющпх время формирования фронта импульса, резко сокращается.

Поскольку амплитуда ударно возбуждаемых колебаний в широком диапазоне частот больше критической величины, то режим с гашением доменов будет осуществляться в значительно более широком диапазоне час-гот-перестройки коаксиального резонатора 1.

В течение радиоимпульса полупроводниковый диод б, смещенный в обратном направлении, не оказывает. влияния на СВЧ колебания в кэаксиальном резонаторе 1 v. представляет собой емкость, влияющую на частоту настройки коаксиальногo резонатора 1.

Генератор радиоимпульсов, содержа щий коаксиальный резонатор, в разрыве центрального проводника которого установлены включенный у торцовой стенки диод Ганна, конденсатор и полупроводниковый диод, подключенный к источнику постоянного напряжения -и источник импульсного напряжения, о т л и ч а ю ц и и с я тем, что, с целью уменьшения фронта радиоимпульса, катод полупроводникового диода подключен к положительному полюсу источника импульсного напряжения и к отрицательному полюсу источника постоянного напряжения и соединен через конденсатор с диодом Ганна.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Р 3735286, кл. Н 03 В 7/14, 1973 (прототип). !