Кассета для герметизации полупроводниковых приборов преимущественно лучом лазера

Авторы патента:

H01L21 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Х АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (ii) 868890 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04. 01. 80 (21) 2863361/18-21 с присоединением заявки Йо (23) Приоритет

Опубликовано 30.0981. Бюллетень N9 36 (51)М. Кл.

H 01 L 21/00

Государственный комитет

СССР но делам. изобретений н открытий (53) УДК 621. 396. . 6-181. 5 (088. 8) Дата опубликованияописания 30. 09. 81 (72) Авторы изобретения

С.B. Смирнов, A.E. Потапов и E.Ë (71) Заявитель (54) КАССЕТА ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЬЖ

ПРИБОРОВ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ЛУЧОМ ЛАЗЕРА Изобретение относится к электронной технике и может быть использова-. но для лазерной герметизации полупроводниковых приборов в металлостеклянных и металлокерамических корпусах с плоскими крышками.

Известна кассета для пайки радиодеталей, содержащая корпус с пазами и направляющими, а также Г-образный рычаг, шарнирно закрепленный в корпусе для фиксации изделий по их корпусам (1).

Недостатками известной кассеты являются низкое качество гермети- 15 зируемых в ней приборов из-за наличия смещения деталей корпуса в процессе пайки, а также низкая производительность, связанная с трудностями при загрузке деталей в кассету. 20

Наиболее близкой к предлагаемой является кассета для герметизации полупроводниковых приборов, .содержащая корпус с гнездом для полупроводникового прибора, съемную крышку-при-25 жим в виде пластины и фиксатор (2), Однако при герметизации в этом устройстве происходит разогрев по всей поверхности прибора, что влияет на качество его параметров. ЗО

Цель изобретения вЂ” повышение качества герметизации.

Поставленная цель достигается тем, что кассета для герметизации полупроводниковых приборов, преимущественно лучом лазера, содержащая корпус с гнездом для полупроводникового прибора, съемную крышку-прижим в виде пластины и фиксатор, снабжена толкателем с подпружиненным прижимом, при этом гнездо для полупроводникового прибора выполнено в виде канала, а толкатель размещен внутри него с возможностью перемещения.

На чертеже представлена кассета для герметизации полупроводниковых приборов, преимущественно лучом лазера.

Предлагаемая кассала содержит корпус 1, пластину 2, крышку-прижим

3, пружину 4, толкатель 5, фиксатор

6 корпус полупроводникового прибо- ра с крышкой 7.

В исходном положении фиксатор 6 повернут на 90о относительно положения, показанного на чертеже,толкатель 5 с пружиной 4 при этом отведены пластиной 2 вниз, упор крьхакаприжим снята. Крышку-прижим 3 изго868890

Формула изобретения

2О

Составитель Л. Гришкова

Техред A.À÷ Корректор Г. Решетник

Редактор Н. Безродная

Тираж 787 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 8344/77

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 тавливают из прозрачного материала, пропускающего инфракрасные лучи,например из кварцевого стекла или алунда.

Загрузка корпусов полупроводниковых приборов в кассету производится

s следующей последовательности.

Корпуса полупроводниковых приборов с крышками 7 закладывают в каналы кассеты. Вставляют в кассету крышку-прижим 3 и фиксатором 6 освобождают пластину 2, в результате чего толкатели 5 плотно прижимают с помощью пружин 4 корпус к крышке 7 и к крышке-прижиму 3. Герметизацию производят путем разогрева крышки полупроводникового прибора инфраксным излучением (например, лазером). С целью повышения качества герметизации крышку 7 предварительно покрывают слоем припоя.

Предлагаемая кассета позволяет производить герметизацию детекторных и смесительных диодов путем нагрева крышки прибора лучом лазера, при этом остальные узлы прибора, в том числе и кристалл, нагреваются до температуры, не превышающей 100 С, что позволяет увеличить выход годных приборов на этой операции на 10-15%.

Кассета для герметизации полупроводниковых приборов, преимущественно лучом лазера, содержащая корпус с гнездом для полупроводникового прибора, съемную крышку-прижим в виде пластины и фиксатор, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью повышения качества герметизации, она снабжена толкателем с подпружиненным

15 прижимом, при этом гнездо для полупроводникового прибора выполнено в виде канала, а толкатель размещен внутри него с возможностью перемещения.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 559785, кл. В 23 Q 3,00,26.01.76.

2. Патент CUBA Р 3465943, кл. 288-4, 09.09.69 (прототип).

Кассета для герметизации полупроводниковых приборов преимущественно лучом лазера

Способ ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния // 867233

Способ изготовления вч транзисторных структур // 867224

Способ монтажа кристаллов на основания // 865071

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам // 865065

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, использующей полупроводниковые соединения типа АIII ВV такие как арсенид галлия, фосфид галлия, фосфид индия и твердые растворы на их основе, касается проблемы формирования оптических контактов к перечисленным материалам и может быть использовано при разработке и изготовлении светодиодов, лазерных диодов, транзисторов, диодов Ганна и других приборов

Способ создания профилей ионной повреждаемости // 865063

Способ обработки пластин арсенида галлия // 865057

Способ изготовления интегральных мдп-транзисторов // 865053

Шаблон для рентгенолитографии // 864383

Способ формирования рисунков // 864382

Способ формирования пленки карбида кремния на подложке // 2100870

Способ изготовления биполярных полупроводниковых приборов // 2100871

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Способ обработки лавинных диодов // 2100872

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Способ изготовления интегральных схем на моп-транзисторах // 2100873

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ нанесения пленок // 2102814

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ легирования твердого тела // 2102816

Способ изготовления полупроводниковых структур // 2102817

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией