Стекло для защиты полупроводниковых приборов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ИТИЛЬСТВУ

CoIo3 Сеаетфкни

Соцнаанстнчеемнк

Респубпнн (ц881028 (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 21.1279 (21) 2851081/29-33 р1)м. к .з с присоединением заявки HP—

С 03 С 3/12 (23) Приоритет

Государственный конитет

СССР ио делан изобретений н открытнЙ

Опубликовано 15,11,81. Бюллетень Й3 42

{53) УДК666.112. .4 (088.8) Дата опубликования описания 151181 (72) Авторы изобретения

П.Ф.Рза-заде, Н.С.Шустер и К.Л.Ганф. Институт неорганической и физической химии

AH Азербайджанской CCP

I (71) Заявитель (54) СТЕКЛО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Изобретение относится .к составам легкоплавких стекол, используемых в микроэлектронике для стабилизации и защиты полупроводниковых приборов.

Известно стекло, (11, содержащее, вес.В:

В

РЬО 74-94 в ов 2-10

Со,105 0,2-2 10 и по крайней мере один окисел иэ группы CaO, SrO, ВаО, С40, MOg, В i 10 5-15 .

Это стекло используется для пропитки ЦТС-керамики и не преднаэначе.= но для защиты полупроводниковых приборов.

Наиболее близким к йредложенному по технической сущности и достигаемому результату является состав стекла $2) для защиты полупроводниковых приборов, содержащий вес.Ъг РЬО

65-76, S i О 8-14, В 05 6 "10, Т10

1-3, 040 1 "4, ZnO 0,2-4. г.

Это стекло характеризуется.,повышенной влагостойкостью (гидрслитичес ккй класс стойкости 1), необходимой адгеэией и согласованностью с коэф фициентом линейного термического расширения полупроводниковых материалов -30 (с(.=82-87 10 †"-), низкой кристаллиград зационной способностью.

Однако температура оплавления ука.эанного стекла недостаточно низка

:(T.ïë.=410+10), удельное сопротивле1

:ние прн 200оС недостаточно высоко ,Ч1 у (1-4) .10 Ом см, концентрация за ряда s поверхностях состоящих МДПтранзистора, при нанесении в качестве стабилизирующего и изолирующего .слоя данного стекла вшсока Ngy 1,8-

-9,5)101® 1/см что не обеспечивает достаточно высокой стабильности параметров прибора.

Целью изобретения является сниже-. ние температуры плавления стекла, повышение удельного сопротивления и улучшение стабилизирующих свойств.

Эта цель достигается тем, что стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее PbO, В О, дополнительно содержит 8110, А1 0 при следующем соотношении компонентов, вес.Ъ:

Pb0 73,18-87,34 в о 5 74-6,86

В1105 5,1-20,68

a1 О> 0,2-0,7

881028

Конкретные составы стекол и их свойства приведены в таблице.

РЬО В 10В Вг10 А1 0 Тпл ° С T> Ñ 7p>Q py200 gp

q, О

Ом -см 20-30 н - Е„ у,104 град-

87,34 6,86 5,1 0,7 390 365 320 3 10 92 5.10 3 10 15 3

82,.5 6, 5 10,8 0,2 380 360 320 5 10 В 87 6 109 4 ° 10 17 5

73 18 5 74 20 68 0 4 370 330 305 1, 1019 75 8 ° 10 5 106 19 1

Формула изобретения

Составитель С.Белобокова

Техред М.Голинка Корректор М.Демчик.

Редактор П.Коссей

Заказ 9855/38 Тираж 523

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4

Варку стекол осуществляют в платиновых тиглях в электропечах при 900.1000 С 3 ч. В качестве исходного сырья используют окислы элементов с маркой "ч.д.а". ч г

Для получения пленки разработанного стекла, его перетирают в порошок с размером зерен порядка 0,2 мкм, в дальнейшем наносят на поверхность и .сплавляют с выдерживанием при температуре оплавления 370-390 С 2030 мин. "

Стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее Pbp, 8 0, 3$ о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью снижения температуры оплавления, повышения удельного сопротивления и улучшения стабилизирующих свойств, оно дополнительно содержит В 0 3 и 4р

Кристаллизация стекол данного состава отсутствует при выдерживании их 160 ч при 350-400 С.

По своей химической устойчивости в воде стекла относятся к первому гидролитическому классу потери

0,08 вес.Ъ (ГОСТ 10134-62) . Применение этих стекол при герметизации полупроводниковых приборов позволяет получить покрытия с достаточно низкой температурой оплавления, высоким удельным сопротивлением и стабилизирующими свойствами, что благоприятствует их использованию и технологии герметизации МДП-транзистора и позволяет уменьшить дрейф параметров прибора.

Al 0 при следующем соотношении компойейтов, вес. Ъ: Pbp 73,18-87,34;

В 0 5,74-6,86; В ig0 5,1-20,68;

Al,10 0,2-0,7.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9 425857, кл. С 03 С 3/12, 1972.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 543625, кл. С 03 С 3/10, 1975.